Патенты автора Синельников Борис Михайлович (RU)

Изобретение относится к области производства высокотемпературных керамических изделий. Способ получения высокотемпературной керамики на основе оксида иттрия включает смешивание частиц оксида иттрия со связующим, формование изделий, сушку и отжиг. Частицы оксида иттрия представляют собой смесь порошка оксида иттрия с размером частиц 0,002 мм в количестве 9-18 вес.%, гранул оксида иттрия с размером частиц 0,05-0,15 мм в количестве 63-72 вес.% и гранул оксида иттрия с размером частиц 1,0-1,5 мм в количестве 12-21 вес.%, причём гранулы оксида иттрия получают в результате дробления материала, полученного путём плавки порошка оксида иттрия методом гарнисажа в тигле с температурой охлаждающей воды 22-32°С, и просеивания полученного дроблёного материала через сита с соответствующими размерами ячеек. Связующим материалом является водный раствор поливинилового спирта с концентрацией поливинилового спирта 1-8 вес.%. Сушку изделий проводят при температуре 120-300°С, отжиг на воздухе - при температуре 1250-1300°С и отжиг резистивным нагревом в высоком вакууме 10-3-10-5 Па при температуре 1900-2000°С. Технический результат изобретения – повышение устойчивости изделий к высоким температурам. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в полиграфических изделиях. Магнитный люминесцентный пигмент на основе алюмоферрата стронция, кобальта, каждая частица которого обладает как магнитными свойствами, так и стоксовой люминесценцией в спектральном диапазоне 450-750 нм, возникающей под действием возбуждающего излучения, лежащего в спектральном диапазоне длин волн 360-1360 нм. Химический состав пигмента соответствует следующей эмпирической формуле: (Sr1-X-Y-M CoXEuYMgM)(Al1-ZFeZ)2O4, где: 0,2≤Х≤0,8, 0,0001≤Y≤0,10, 0≤М≤0,3, 0,2≤Z≤0,8. Способ получения магнитного люминесцентного пигмента включает смешение компонентов шихты, содержащей оксиды алюминия, железа, кобальта, магния, карбонат стронция, водные растворы борной кислоты и хлорида европия. После чего шихту гомогенизируют, сушат при температуре 120-240°С до состояния пыления и прокаливают при температуре 1150-1350°С в течение 4-12 часов. Обеспечивается получение пигмента, в каждой частице которого совмещены магнитные и люминесцентные свойства, что позволяет вводить в оборот новые комплексные машиночитаемые и визуализируемые защитные метки и методы их определения. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 19 пр.
Изобретение относится к выращиванию высококачественных высокотемпературных монокристаллов оксидов, в том числе профилированных, например, таких как лейкосапфир алюмоиттриевый гранат, рутил, и может быть использовано в лазерной технике, ювелирной и оптических отраслях промышленности. Способ включает плавку исходной шихты в тигле и последующий рост монокристалла на затравку при одновременном охлаждении расплава и последующее охлаждение выращенного монокристалла, при этом в тигель устанавливают выполненный из тугоплавкого материла с температурой плавления выше 2300°С формообразователь с конвекционными в нижней и разгрузочными в боковых частях прорезями, в качестве исходной шихты используют поликристаллический материал или поликристалл, полученный методом плавки в холодном тигле, либо осколки монокристалла соответствующего оксида, а рост монокристаллов ведут со скоростью от 0,5 до 4 мм/ч. Технический результат изобретения состоит в повышении качества выращенных монокристаллов, в разнообразии получаемых форм при сокращении материальных и временных затрат, в возможности выращивания монокристаллов как легированных, так и без примесей. 15 з.п. ф-лы, 9 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Инфракрасный (ИК) люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфида иттрия, активированный ионами Tm3+, имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: (Y1-x-y-z-dLnxTmyMe1zMe2d)2O2S, где Ln - один из ионов La3+, Gd3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Са2+, Sr2+, Ва2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Та5+) группы Периодической системы; 0<х<0,80; 0,0025≤y<0,05; 0,01≤z<0,1; 0,005≤d<0,05. Изобретение позволяет увеличить глубину фотостимулированного тушения стоксовых ИК полос люминесценции ионов Tm3+ в областях 1,36-1,52 мкм и 1,65-1,98 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,79-0,82 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 4 ил., 1 табл., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Инфракрасный (ИК) люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфидов иттрия или лантана, активированный ионами Nd3+ и соактивированный ионами Pr3+, имеет химический состав, отвечающий следующей эмпирической формуле:(Ln1-x-y-z-d-cGdxNdyPrzMe1dMe2c)2O2S,где Ln - один из ионов Y3+, La3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Ca2+, Sr2+, Ba2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Ta5+) группы Периодической системы; 0<x≤0,820; 0,005≤y≤0,025; 0,00001≤z≤0,005; 0,01≤d≤0,1; 0,005≤c≤0,05. Изобретение позволяет увеличить фотостимулированное тушение стоксовой ИК люминесценции ионов Nd3+ в областях 0,86-0,95 мкм, 1,03-1,12 мкм и 1,3-1,45 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,79-0,82 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 4 ил., 1 табл., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Инфракрасный (ИК) люминофор на основе оксисульфида иттрия, активированный ионами Yb3+, соответствует следующей эмпирической формуле: , где Ln - один из ионов La3+, Gd3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Ca2+, Sr2+, Ba2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Ta5+) групп Периодической системы; 0<x<0,65; 0,05≤y<0,2; 0,01≤z<0,1; 0,005≤d<0,05. Изобретение позволяет увеличить фотостимулированное тушение стоксовой ИК люминесценции ионов Yb3+ в области 0,98-1,12 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,94-0,98 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 1 табл., 4 ил., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Инфракрасный (ИК) люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфида иттрия, активированный ионами Er3+ и соактивированный тонами Ce3+, имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: , где Ln - один из ионов La3+, Gd3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Ca2+, Sr2+, Ba2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Ta5+) групп Периодической системы; 0<x≤0,6425; 0,05≤y≤0,2; 0,00005≤z≤0,0025; 0,01≤d≤0,1; 0,005≤c≤0,05. Изобретение позволяет увеличить фотостимулированное тушение стоксовой ИК люминесценции ионов Er3+ в области 1,5-1,6 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в областях 0,79-0,82 мкм или 1,50-1,55 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 4 ил., 1 табл., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфидов редкоземельных элементов, активированный ионами Ho3+ и сенсибилизированный ионами Yb3+ имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: , где Ln – по крайней мере один из Y3+, La3+, Gd3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Ca2+, Sr2+, Ba2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Ta5+) групп Периодической системы; 0,01≤x≤0,2; 0,0005≤y≤0,01; 0,01≤d≤0,1; 0,005≤c≤0,05. Изобретение позволяет увеличить фотостимулированное тушение видимой антистоксовой люминесценции ионов Ho3+ в области 0,54-0,56 мкм, а также стоксовой ИК люминесценции ионов Yb3+ и Ho3+ в областях 0,96-1,12 мкм, 1,15-1,22 мкм и 1,9-2,1 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при однофотонном возбуждении ИК излучением в области 0,94-0,98 мкм. 1 табл., 4 ил., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Люминофор на основе оксисульфида иттрия, активированный ионами Er3+, сенсибилизированный ионами Yb3+, имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: , где Ln - один из ионов La3+, Gd3+; Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Ca2+, Sr2+, Ba2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Ta5+) группы Периодической системы; 0<x<0,6; 0,005≤y<0,1; 0,015≤z<0,15; 0,01≤d<0,1; 0,005≤c<0,05. Изобретение позволяет увеличить глубину фотостимулированного тушения стоксовой инфракрасной (ИК) люминесценции ионов Yb3+ и Er3+ в областях 0,96-1,2 мкм и 1,5-1,6 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,79-0,82 мкм или 0,94-0,98 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 7 ил., 1 табл., 19 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Инфракрасный (ИК) люминофор на основе ортофосфата иттрия, активированный ионами Er3+, соактивированный ионами Се3+ и сенсибилизированный ионами Yb3+, соответствует следующей эмпирической формуле: Y1-x-y-z-d-cYbxEryCezMe1dMe2cPO4, где Me1 - один из ионов элементов II группы Периодической системы - Са2+, Sr2+, Ва2+; Me2 - один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Та5+) группы Периодической системы; 0,2≤x≤0,94; 0,001≤у≤0,10; 0,0001≤z≤0,01; 0,01≤d≤0,1; 0,005≤с≤0,05; x+y+z+d+c<1. Изобретение позволяет увеличить глубину фотостимулированного тушения стоксовой ИК люминесценции в областях 0,96-1,04 мкм и 1,5-1,6 мкм без существенного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,94-0,98 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 5 ил., 1 табл., 17 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфидов иттрия, лантана, гадолиния, активированный ионами Tm3+ и сенсибилизированный ионами Yb3+, имеет следующий химический состав: (Ln1-x-y-d-cYbxTmyMe1dMe2c)2O2S, где Ln - по крайней мере один из ионов Y3+, La3+, Gd3+; Me1 - по крайней мере один из ионов элементов II группы Периодической системы Д.И. Менделеева - Са2+, Sr2+, Ва2+; Me2 - по крайней мере один из ионов элементов IV (Ti4+, Zr4+, Si4+) или V (Nb5+, Та5+) групп Периодической системы; 0,05≤х≤0,25; 0,0005≤у≤0,005; 0,01≤d≤0,1; 0,005≤c≤0,05. Изобретение обеспечивает увеличение фотостимулированного тушения стоксовой ИК люминесценции ионов Yb3+ в области 0,96-1,12 мкм, видимой антистоксовой и стоксовой ИК люминесценции ионов Tm3+ в областях 0,465-0,495 мкм, 0,79-0,84 мкм и 1,65-1,98 мкм без значительного изменения спектрального состава исходного излучения при совместном воздействии возбуждающего ИК излучения в области 0,94-0,98 мкм и стимулирующего излучения в области 0,30-0,75 мкм. 4 ил., 1 табл., 19 пр..

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении люминесцентных меток и регистрации быстропротекающих процессов. Быстрокинетирующий инфракрасный люминофор на основе оксисульфида иттрия или лантана обладает гексагональной структурой и имеет химический состав, отвечающий следующей эмпирической формуле: (Ln1-x-yNdxPry)2O2S, где Ln=Y, La; 2,5·10-3≤х≤2·10-2; 1·10-5≤у≤5·10-3. Люминофор при возбуждении лазерным излучением диапазона 0,8-0,82 мкм имеет увеличенную интенсивность двух групп ИК-полос люминесценции в областях спектра 1,03-1,12 мкм и 1,30-1,45 мкм. 2 ил., 1 табл., 14 пр.

Изобретение может быть использовано для визуализации ИК-излучения и в устройствах для скрытой записи информации. Фотостимулируемый люминофор сине-зеленого цвета свечения на основе алюмината стронция, активированного ионами Eu2+ и Dy3+ , имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: (Sr1-x-y-z-cEuxDyyTmzLnc)4Al14O25, где 1·10-3≤x≤5·10-2; 0≤y≤5·10-3; 1·10-5≤z≤2,5·10-2; 1·10-4≤c≤2,5·10-2; Ln - La3+ или Er3+. Изобретение обеспечивает повышенную интенсивность фотолюминесценции в области 475-525 нм. 3 ил., 11 пр.

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH4, C2H6, С3Н8, (CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, при этом C/Si≥2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH3SiCl3 при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для производства инфракрасных люминофоров, обладающих при возбуждении излучением в ближнем ИК-диапазоне (0,80-0,82 и 0,90-0,98 мкм)

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в производстве инфракрасных люминофоров, предназначенных для создания на ценных бумагах скрытых машиночитаемых люминесцентных меток

Изобретение относится к области автоматического выращивания высокотемпературных монокристаллов и может быть использовано для управления процессом выращивания в ростовых установках с весовым методом контроля

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира
Изобретение относится к светопреобразующему материалу, предназначенному для покрытия парников, теплиц, стен, в качестве материала солнцезащитных зонтов, устройств подсветки и освещения, защитной одежды и элементов такой одежды, суспензий, паст, кремов

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в производстве неорганических многофункциональных антистоксовых люминофоров на основе оксисульфида иттрия, которые могут применяться как для преобразования ИК-излучения в видимое свечение, для защиты ценных бумаг и документов, бланков строгой отчетности, знаков соответствия товаров и изделий, акцизных и идентификационных марок, банкнот, так и для изготовления систем аварийного и сигнального освещения, эвакуационных, пожарных, предупреждающих, указывающих светознаков, для указателей в шахтах, тоннелях, путепроводах, метро и переходах для информационно-указательных щитов на автострадах и декоративной косметики

Изобретение относится к технологии модифицирования антистоксовых люминофоров на основе оксихлоридов редкоземельных элементов

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию с помощью охлаждаемых фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур

Изобретение относится к резистивным нагревателям и может быть использовано для выращивания монокристаллов карбида кремния
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов сапфира и может быть использовано в оптической, химической и электронной промышленности

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии
Изобретение относится к светопреобразующим материалам, применяемым в сельском хозяйстве, медицине, биотехнологии и легкой промышленности
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при получении люминесцентного наполнителя в парниковой полиэтиленовой пленке

Изобретение относится к области научного приборостроения, позволяет создавать и исследовать объекты размерами до 10 -10 метра

Изобретение относится к элементам микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резонатора в устройствах микро- и наноэлектроники как элемент, стабилизирующий несущую тактовую частоту

Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства

 


Наверх