Патенты автора Савченко Евгений Матвеевич (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве малошумящего устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например в арсенид-галлиевых операционных усилителях (ОУ), компараторах и т.п., в т.ч. работающих в широком диапазоне температур и воздействия радиации. Технический результат: создание условий, при которых в ДУ фиг. 1 обеспечивается увеличение крутизны усиления при работе GaAs полевых и GaAs биполярных транзисторов с малыми статическими токами. Многоканальный дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых и биполярных транзисторах содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) токовые выходы устройства, согласованные с первой (5) шиной источника питания, первый (6) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, исток подключен к эмиттеру первого (7) выходного биполярного транзистора, второй (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, исток подключен к эмиттеру второго (9) выходного биполярного транзистора, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого (7) выходного биполярного транзистора и второй (11) шиной источника питания, второй (12) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго (9) выходного биполярного транзистора и второй (11) шиной источника питания, причем базы первого (7) и второго (9) выходных биполярных транзисторов соединены друг с другом. В схему введены первый (13) и второй (14) выходные полевые транзисторы, истоки которых объединены и подключены к базам первого (7) и второго (9) выходных биполярных транзисторов, а также связаны со второй (11) шиной источника питания через третий (15) токостабилизирующий двухполюсник, стоки первого (6) и второго (8) входных полевых транзисторов согласованы с первой (5) шиной источника питания, причем сток первого (13) выходного полевого транзистора соединен с первым (3) токовым выходом устройства, а сток второго (14) выходного полевого транзистора соединен со вторым (4) токовым выходом устройства. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве элемента усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре арсенид-галлиевых микросхем различного функционального назначения, в т.ч. «обслуживающих» IP-модулях в усилителях мощности. Технический результат: увеличение крутизны усиления дифференциального каскада, у которого входной многополюсник (1) может иметь десятки модификаций и работать с малыми статическими токами GaAs транзисторов. Арсенид-галлиевый дифференциальный каскад с умножителем крутизны усиления содержит входной многополюсник (1) на арсенид-галлиевых транзисторах с первым (2) и вторым (3) потенциальными входами, а также первым (4) и вторым (5) токовыми выходами, согласованными с первой (6) шиной источника питания, первый (7) и второй (8) токовые выходы устройства, причем общая истоковая цепь (9) входного многополюсника (1) на арсенид-галлиевых транзисторах согласована со второй (10) шиной источника питания. Первый (4) токовый выход входного многополюсника (1) соединен с затвором первого (11) дополнительного полевого транзистора и через первый (12) дополнительный резистор связан с истоком первого (11) дополнительного полевого транзистора и затвором второго (13) дополнительного полевого транзистора, сток второго (13) дополнительного полевого транзистора подключен к первому (7) токовому выходу устройства, а его исток соединен со стоком первого (11) дополнительного полевого транзистора, второй (5) токовый выход входного многополюсника (1) на арсенид-галлиевых транзисторах соединен с затвором третьего (14) дополнительного полевого транзистора и через второй (15) дополнительный резистор связан с истоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора и затвором четвертого (16) дополнительного полевого транзистора, сток четвертого (16) дополнительного полевого транзистора подключен ко второму (8) токовому выходу устройства, а его исток соединен со стоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора, истоки второго (13) и третьего (14) дополнительных полевых транзисторов соединены со входом (17) дополнительного неинвертирующего каскада (18), выход которого (19) связан с затворами пятого (20) и шестого (21) дополнительных полевых транзисторов, сток пятого (20) дополнительного полевого транзистора соединен с затвором первого (11) дополнительного полевого транзистора, сток шестого (21) дополнительного полевого транзистора подключен к затвору третьего (14) дополнительного полевого транзистора, а истоки пятого (20) и шестого (21) дополнительных полевых транзисторов подключены к источнику напряжения смещения (22). 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат: создание буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом и биполярных GaAs p-n-р-транзисторах и обеспечивающего малую зону нечувствительности амплитудной характеристики. Двухтактный арсенид-галлиевый буферный усилитель с малой зоной нечувствительности амплитудной характеристики содержит вход (1) и выход (2) устройства, источник сигнала (3), соединенный со входом (1) устройства, выходной биполярный транзистор (4), база которого соединена со входом (1) устройства, а коллектор связан с первой (5) шиной источника питания, причем выход устройства (2) связан с эмиттером выходного биполярного транзистора (4), входной полевой транзистор (6), сток которого согласован со второй (7) шиной источника питания, вспомогательный источник тока (8), согласующий р-n-переход (9). Затвор входного полевого транзистора (6) соединен со входом (1) устройства, его исток связан со вспомогательным источником тока (8) и подключен к затвору дополнительного полевого транзистора (10), сток дополнительного полевого транзистора (10) согласован со второй (7) шиной источника питания, а исток связан с выходом (2) устройства через согласующий р-n-переход (9) и подключен к стоку входного полевого транзистора (6). 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве элемента усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре арсенид-галлиевых микросхем различного функционального назначения. Технический результат: увеличение крутизны усиления дифференциального преобразователя без существенного повышения общего статического токопотребления GaAs транзисторов. Арсенид-галлиевый дифференциальный преобразователь «напряжение-ток» содержит первый (1) и второй (2) входы, а также первый (3) и второй (4) токовые выходы, первый (5) и второй (6) входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой (7) шиной источника питания через первый (8) источник опорного тока, первый (9) и второй (10) вспомогательные резисторы, причем первый (3) и второй (4) токовые выходы согласованы со второй (11) шиной источника питания, затвор первого (5) входного полевого транзистора соединен с первым (1) входом устройства, затвор второго (6) входного полевого транзистора связан со вторым (2) входом устройства. Сток первого (5) входного полевого транзистора соединен с затвором первого (12) дополнительного полевого транзистора и связан с истоком первого (12) дополнительного полевого транзистора и затвором второго (13) дополнительного полевого транзистора через первый (9) вспомогательный резистор, сток второго (13) дополнительного полевого транзистора соединен с первым (3) токовым выходом устройства, исток второго (13) дополнительного полевого транзистора подключен к стоку первого (12) дополнительного полевого транзистора, сток второго (6) входного полевого транзистора соединен с затвором третьего (14) дополнительного полевого транзистора и связан с истоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора и затвором четвертого (15) дополнительного полевого транзистора через второй (10) вспомогательный резистор, сток четвертого (15) дополнительного полевого транзистора подключен ко второму (4) токовому выходу устройства, а его исток связан со стоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора, первый (8) источник опорного тока выполнен в виде управляемого по входу (16) инвертирующего источника опорного тока, истоки второго (13) и четвертого (15) дополнительных полевых транзисторов связаны с эмиттером дополнительного биполярного транзистора (17), база которого подключена к источнику напряжения смещения (18), а коллектор соединен с управляющим входом (16) источника опорного тока (8). 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат: создание буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs p-n-р транзисторах. Арсенид-галлиевый буферный усилитель на полевых и биполярных р-n-р транзисторах содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор (3), затвор которого соединен со входом (1) устройства, исток подключен к выходу (2) устройства, а сток согласован с первой (4) шиной источника питания, выход устройства (2) соединен со стоком выходного полевого транзистора (5), затвор которого связан со второй (6) шиной источника питания через источник опорного тока (7), между истоком выходного полевого транзистора (5) и второй (6) шиной источника питания включен источник опорного напряжения (8), вспомогательный полевой транзистор (9), сток которого соединен с первой (4) шиной источника питания, вспомогательный р-n переход (10). Затвор вспомогательного полевого транзистора (9) соединен со стоком входного полевого транзистора (3), исток вспомогательного полевого транзистора (9) подключен к стоку входного полевого транзистора (3) через дополнительный резистор (11) и связан с эмиттером дополнительного биполярного транзистора (12), база дополнительного биполярного транзистора (12) соединена с источником напряжения смещения (13), коллектор дополнительного биполярного транзистора (12) связан с затвором выходного полевого транзистора (5), а между источником напряжения смещения (13) и стоком входного полевого транзистора (3) включен вспомогательный р-n переход (10). 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в структуре аналого-цифровых интерфейсов и IP-модулей систем связи и телекоммуникаций, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур. Технический результат: создание операционного усилителя с «перегнутым» каскодом, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, имеющего малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля. Устройство содержит первый (1) и второй (2) входы, связанные со входами входного дифференциального каскада (3) на полевых транзисторах с управляющим р-n переходом, выход устройства (4), первый (5) и второй (6) токовые выходы входного дифференциального каскада (3), причем первый (5) токовый выход связан с первой (7) шиной источника питания, общая истоковая цепь (8) входного дифференциального каскада (4) соединена со второй (9) шиной источника питания через источник опорного тока (10), второй (6) токовый выход входного дифференциального каскада (3) соединен с эмиттером выходного биполярного p-n-р транзистора (11) промежуточного каскада, база которого подключена к источнику напряжения смещения (12), а коллектор через источник опорного тока (13) промежуточного каскада связан со второй (9) глиной источника питания, первый (14) вспомогательный транзистор, выходной буферный усилитель (15), низкоомный выход которого является выходом (3) устройства. Источник опорного тока (10) выполнен в виде двух идентичных и параллельно включенных вспомогательных источников опорного тока. Источник опорного тока (13) промежуточного каскада реализован на каскодных составных транзисторах и идентичен первому (16) и второму (17) вспомогательным источникам опорного тока. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться для подавления нежелательных сигналов (помех) в системах связи и радиолокации, в т.ч. в функциональных узлах усилителей мощности. Технический результат: создание режекторного фильтра, в котором предусмотрена регулировка полосы пропускания не за счет изменения параметров частотозадающей индуктивности 8 или конденсатора 7, а за счет управления сопротивлением вспомогательных резисторов. В частных случаях в качестве данных вспомогательных резисторов могут использоваться цифроуправляемые резисторы или цифровые потенциометры. Режекторный фильтр с перестраиваемой полосой пропускания содержит вход (1) и выход (2) устройства, согласующий резистор (3), последовательный LC колебательный контур (4) с первым (5) и вторым (6) выводами, включающий частотозадающие конденсатор (7) и индуктивность (8), причем первый вывод согласующего резистора (3) соединен с входом (1) устройства, а его второй вывод связан с выходом устройства (2) и подключен к первому выводу (5) последовательного LC колебательного контура (4). Второй вывод согласующего резистора (3) связан с выходом устройства (2) через первый (9) буферный усилитель, выход (2) устройства соединен через дополнительный делитель напряжения (10) с входом второго (11) буферного усилителя, выход которого связан со вторым выводом (6) последовательного LC колебательного контура (4). 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений. Арсенид-галлиевый буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первую (6) шину источника питания, токовое зеркало (7), согласованное с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9). Между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10). 6 з.п. ф-ы, 8 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к технологии изготовления корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат - повышение СВЧ характеристик керамического основания и существенное повышение прочности присоединения внешних выводов. Достигается тем, что в способе изготовления керамического основания с тонкопленочными микрополосковыми элементами, включающем формирование микрополосковых линий и контактных площадок, к которым припаивают выводы, контактные площадки выполняют из меди толщиной 1-3 мкм. На концы выводов, подлежащих пайке, осаждают гальванически серебро толщиной 2,5-8 мкм, которое вакуумным осаждением покрывают слоем титана толщиной 0,1-0,3 мкм. Концы выводов прижимают к контактным площадкам и проводят термообработку в вакууме до полного перехода в припой меди контактной площадки и гальванически осажденного серебра на концах, подлежащих пайке. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов методами, используемыми традиционными методами для керамики на основе оксида алюминия. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе тонкоплёночной металлизации подложек из алюмонитридной керамики, включающем очистку подложки, нанесение на нее вакуумным осаждением системы металлизации, первым слоем которой является металл, химически взаимодействующий с оксидом алюминия, а вторым медь, непосредственно перед напылением металлов, плазменной обработкой на поверхности подложки формируют слой α-Al2O3. Первым слоем металлизации предпочтительно выбирать ванадий, ниобий или тантал. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями, сформированными лазерной резкой. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию, включающем стадию очистки в кислотных травителях, смывку кислоты водой и сушку, стадию очистки в кислотных травителях проводят при температуре тающего льда до полного удаления алюминия с поверхности отверстий. В качестве травителя предпочтительно использовать раствор соляной кислоты в воде с соотношением 0,7-1,3 объёмных частей кислоты на 1 объёмную часть воды. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА). Органическим амином является полиэтиленполиамин (ПЭПА). Состав содержит компоненты в следующих соотношениях объемных долей: Диметилсульфоксид - 0,9-1,2; Диметилформамид - 0,9-1,2; Полиэтиленполиамин - 0,7-0,9. Изобретение позволяет сократить время удаления имидизированного полиимидного покрытия с поверхности изделий без механического воздействия и использования высоких температур. 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей. Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включает нанесение вакуумным осаждением на поверхность керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, состоящего из титана и осажденной на него меди. Тонкоплёночный слой титан-медь покрывают тонкопленочным слоем химического никеля, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации по тонкоплёночному слою химического никеля. В упомянутых переходных отверстиях размещают медные вставки высотой, меньшей толщины керамической пластины на величину не более толщины припоя, после чего к покрытым никелем участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь в вакуумной или водородной среде. Обеспечивается совмещение в одном технологическом процессе изготовление плат для изделий повышенной мощности с выполнением части элементов из меди большой толщины и части элементов методом травления по тонкоплёночной металлизации. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом является исключение возможности нахождения резонансной частоты корпуса интегральной схемы в ее рабочем диапазоне частот. Указанный технический результат обеспечивает корпус СВЧ интегральной схемы, состоящий из керамической платы, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки металлизации, первого слоя керамики с полосковыми линиями металлизации, электрически соединенными с внешними выводными площадками через металлизированные отверстия в плате и первом слое керамики, площадки металлизации на плате для размещения кристалла микросхемы, второго слоя керамики, к металлизации которого припаян металлический ободок для герметизации корпуса металлической крышкой, металлизации, электрически соединяющей ободок с площадкой металлизации на плате. При этом ободок соединен с площадкой металлизации на плате металлизированными отверстиями, количество и размеры которых выбраны таким образом, чтобы собственный резонанс корпуса находился за пределами рабочего диапазона частот микросхемы. 3 ил., 2 табл.

Изобретение относится к электронным устройствам, в частности к усилителям. Техническим результатом заявляемого изобретения является увеличение трансимпеданса, повышение коэффициента усиления по напряжению и повышение устойчивости усилителя без увеличения емкости корректирующего конденсатора. Технический результат достигается за счёт двухтактного операционного усилителя с токовой обратной связью с повышенным коэффициентом усиления и расширенной полосой пропускания, который содержит основной блок усиления, нагрузкой которого являются два отражателя тока Вильсона, содержащий активные цепи частотно-фазовой коррекции на конденсаторах. Дополнительно в него введены два управляемых источника тока на транзисторах VT4 и VT8 для задания режима пониженной потребляемой мощности нагрузочных транзисторов VT3 (VT5) в статическом режиме. Дальнейшее расширение полосы пропускания в режиме малого сигнала обеспечивается путем введения двух пассивных частотно-корректирующих цепей R2-R3-C3 и R5-R6-C4, которые дополнительно убирают выброс на фазочастотной характеристике. 1 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса. Для этого предложен операционный усилитель, который содержит четыре входных транзистора, первый двухполюсник, включенный между первой шиной и эмиттерами второго и четвертого транзисторов, второй двухполюсник, включенный между второй шиной и эмиттерами первого и третьего транзисторов, первое токовое зеркало, вход которого подключен к коллектору третьего транзистора, а выход соединен со входом буферного усилителя и первым корректирующим конденсатором, второе токовое зеркало, вход которого соединен с коллектором четвертого транзистора, а выход подключен ко входу буферного усилителя, выход которого является выходом устройства. Эмиттеры второго и четвертого транзисторов связаны с первым токовым зеркалом через второй корректирующий конденсатор, а эмиттеры первого и третьего транзисторов связаны со вторым токовым зеркалом через третий корректирующий конденсатор. 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения и уменьшении времени установления переходного процесса в ОУ. Быстродействующий операционный усилитель содержит первый и второй входные транзисторы, источник питания, токостабилизирующий двухполюсник, первый корректирующий конденсатор, связанный с коллектором первого входного транзистора, токовое зеркало, согласованное со второй шиной источника питания, буферный усилитель. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл.

Изобретение относится к области вычислительной техники, автоматики и может использоваться в различных цифровых структурах и системах автоматического управления, передачи информации. Техническим результатом является повышение быстродействия и создание устройства, в котором внутреннее преобразование информации производится в двузначной токовой форме сигналов, определяемое состоянием входных токовых двоичных сигналов. Устройство содержит четыре логических элемента НЕ, четыре логических элемента И, два размножителя сигналов. 3 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах автоматической регулировки усиления, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах фазовой автоподстройки и умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи, по напряжению которого зависит от уровня сигнала управления

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в структуре аналоговым микросхем различного функционального назначения

Изобретение относится к радиотехнике и связи

Изобретение относится к радиотехнике и связи

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх