Патенты автора Раевский Владимир Леонидович (RU)

Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы

Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов и может быть использовано, например, для выращивания монокристаллов сапфира или граната

Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава в установках горизонтальной направленной кристаллизации

 


Наверх