Заявлен мощный полевой транзистор СВЧ, содержащий полуизолирующую полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой выполнена заданная структура полупроводниковых слоев на основе арсенида галлия, на лицевой стороне которой - по меньшей мере одна заданная топология пассивной и активной областей полевого транзистора, последняя представляет собой последовательность элементов - единичных электродов истока, затвора, стока, каждый с соответствующими контактными площадками, токопроводящего канала с канавкой между каждой парой единичных электродов исток - сток под каждый единичный электрод затвора, при этом одноименные единичные электроды - истока, затвора, стока соединены электрически. В котором на поверхности заданной топологии пассивной и активной областей полевого транзистора либо на поверхности заданной топологии пассивной области и на поверхности отдельных элементов заданной топологии активной области в различной их комбинации выполнено высокотеплопроводящее покрытие из высокотеплопроводящего материала с удельной теплопроводностью k, толщиной H, причём произведение удельной теплопроводности k и толщины H составляет величину более 10-4 Вт/К. Технический результат - повышение удельной выходной мощности, выходной мощности, коэффициента усиления, долговечности, расширение функциональных возможностей. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.