Патенты автора Приступчик Никита Константинович (RU)

Заявлен мощный полевой транзистор СВЧ, содержащий полуизолирующую полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой выполнена заданная структура полупроводниковых слоев на основе арсенида галлия, на лицевой стороне которой - по меньшей мере одна заданная топология пассивной и активной областей полевого транзистора, последняя представляет собой последовательность элементов - единичных электродов истока, затвора, стока, каждый с соответствующими контактными площадками, токопроводящего канала с канавкой между каждой парой единичных электродов исток - сток под каждый единичный электрод затвора, при этом одноименные единичные электроды - истока, затвора, стока соединены электрически. В котором на поверхности заданной топологии пассивной и активной областей полевого транзистора либо на поверхности заданной топологии пассивной области и на поверхности отдельных элементов заданной топологии активной области в различной их комбинации выполнено высокотеплопроводящее покрытие из высокотеплопроводящего материала с удельной теплопроводностью k, толщиной H, причём произведение удельной теплопроводности k и толщины H составляет величину более 10-4 Вт/К. Технический результат - повышение удельной выходной мощности, выходной мощности, коэффициента усиления, долговечности, расширение функциональных возможностей. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин ускорения

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин ускорения

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин ускорения

 


Наверх