Патенты автора Шишкин Игорь Алексеевич (RU)

Изобретение относится к испытаниям интегральных схем (ИС) и может быть использовано для определения стойкости партий ИС к электростатическому разряду (ЭСР) при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят механические испытания ИС, допустимые по техническим условиям, путем многократных ударов на выводы ИС. После механических испытаний произвольные выборки из партий ИС разделяют по крайней мере на три группы ИС, на ИС каждой группы воздействуют ЭСР до наступления отказа ИС и определяют число поданных разрядов на ИС. На одну группу ИС подают ЭСР напряжением не менее удвоенного предельно допустимого по техническим условиям. На другую группу ИС подают ЭСР повышенным напряжением на 100-300 В по сравнению с первой группой. Далее опять повышают напряжение ЭСР на 100-300 В для воздействия на следующую группу ИС в выборке. Затем определяют усредненное число воздействий ЭСР на ИС каждой группы. По наибольшему значению усредненного числа воздействий ЭСР оценивают стойкость партии ИС к ЭСР как более высокую. Технический результат: повышение достоверности оценки сравнительной надежности ИС. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем, и может быть использовано как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях. Сущность: на представительной выборке интегральных схем у каждой интегральной схемы измеряют информативный параметр при нормальной температуре при номинальном и критическом напряжениях питания до и после воздействия на каждую пару выводов «вход-выход» интегральной схемы 20 электростатическими разрядами обеих полярностей напряжением максимально допустимым по техническим условиям для данного типа интегральных схем. Определяют изменение информативного параметра путем вычисления разности значений параметра до и после воздействия 20 электростатическими разрядами. Вычисляют среднее арифметическое значение изменения информативного параметра при номинальном и критическом напряжениях питания. К потенциально ненадежным изделиям относят те интегральные схемы, для которых среднее значение изменения информативного параметра примерно в 4-5 раз больше минимального среднего значения изменения информативного параметра в выборке. Технический результат: снижение трудоемкости и времени испытаний. 3 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий транзисторов одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности состоит в том, что подготавливают одинаковые по численности выборки партий транзисторов, измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре около 20°С, затем проводят испытание транзисторов на безотказность в течение приблизительно 100 часов при повышенной температуре и измеряют коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при повышенной температуре, далее после выдержки транзисторов в течение по крайней мере 24 часов при нормальных условиях вновь измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре, по результатам выполненных измерений рассчитывают значения относительного изменения коэффициента передачи тока транзисторов сразу после их испытаний на безотказность К1 и после выдержки при нормальных условиях К2, затем в каждой выборке транзисторов вычисляют произведение П1 значений К1 всех транзисторов в выборке и произведение П2 значений К2 всех транзисторов в выборке, на основании измерений и расчетов как более качественная и надежная партия транзисторов оценивается партия транзисторов с наименьшими значениями произведений П1 и П2 соответствующей выборки транзисторов. Изобретение обеспечивает отбраковку потенциально ненадежных транзисторов без разрушающих воздействий. 2 табл.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано для отбраковки из партии полупроводниковых изделий, менее стойких к электростатическим разрядам

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения
Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры

 


Наверх