Патенты автора Шашкин Владимир Иванович (RU)
Изобретение относится к технологии получения многослойных полупроводниковых структур из соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур в системе GaAs-GaAlAs для силовой электронной техники. При выращивании структуры до температурной области инверсии примеси кремния в арсениде галлия 885-895°C эпитаксиальный процесс проводят в атмосфере высокочистого инертного газа, а далее до температуры окончания эпитаксии - в атмосфере высокочистого водорода. Изобретение обеспечивает повышение значений обратного пробивного напряжения одновременно с устранением тиристорных областей на вольт-амперных характеристиках получаемых структур.
Изобретение относится к чувствительным элементам для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн
Изобретение относится к технологии получения изотопно-обогащенного германия и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов, детекторов ядерно-физических превращений, в медико-биологических исследованиях материалов
Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных структур металл-полупроводник
Изобретение относится к микроструктурным устройствам, содержащим гибкие элементы, в частности подвижные относительно друг друга электроды, что позволяет использовать их как датчики механических и термодинамических величин, таких как ускорение, температура и давление
