Патенты автора Климов Александр Юрьевич (RU)

Изобретение относится к способу изготовления офсетных печатных форм и может быть использовано при формировании на поверхности запечатываемого материала бумаги или картона, имеющих выпуклый или вогнутый рельеф. Предложен способ изготовления офсетных печатных форм, включающий в себя изготовление офсетной печатной формы с изображением, подлежащим тиснению, и формирование формы для тиснения, отличающийся тем, что форму для тиснения формируют непосредственно на печатном цилиндре печатной машины, которую вначале запускают в режиме без подачи листов, офсетную форму увлажняют при вращении цилиндров машины увлажняющим аппаратом, при каждом обороте цилиндров офсетной печатной машины послойно наносят на печатный цилиндр клей УФ, предварительно загруженный в красочный аппарат, при последующем вращении цилиндров каждый из микрослоев, нанесенных на печатный цилиндр, послойно, фиксируют лампами УФ-излучения, под воздействием которого осуществляют полимеризацию вещества и на печатном цилиндре формируют тонкий слой полимера, причем процесс проводят до формирования выпуклых элементов полимеризованного вещества высотой не менее 1 мм, затем отключают красочный и увлажняющий аппараты, лампу УФ-излучения, после чего печатную машину запускают в режим подачу листов, и на листе, проходящем между печатным и офсетным цилиндрами, формируют тисненое изображение. Технический результат заключается в повышении качества изображения, подлежащего тиснению, за счет получения формы с большей детализацией путем формирования его непосредственно на печатном цилиндре печатной машины, а также в сокращении времени изготовления тиража. 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем. В способе формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающем нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой, с последующим формированием структуры элемента памяти, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та, а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Со/ТаОх/Со/Au методом планарной технологии. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 33 ил.

Изобретение относится к сельскохозяйственному машиностроению, в частности к ротационным почвообрабатывающим орудиям

Изобретение относится к микроструктурным устройствам, содержащим гибкие элементы, в частности подвижные относительно друг друга электроды, что позволяет использовать их как датчики механических и термодинамических величин, таких как ускорение, температура и давление

 


Наверх