Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем. В способе формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающем нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой, с последующим формированием структуры элемента памяти, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та,
а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Со/ТаОх/Со/Au
методом планарной технологии. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 33 ил.
Изобретение относится к микроструктурным устройствам, содержащим гибкие элементы, в частности подвижные относительно друг друга электроды, что позволяет использовать их как датчики механических и термодинамических величин, таких как ускорение, температура и давление