Патенты автора Безносюк Сергей Александрович (RU)
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно нанотехнологии интерактивного взаимодействия, датчиков или приведения в действие, например, квантовых точек в качестве биомаркеров. Способ получения квантовых точек селенида кадмия в оболочке хитозана основан на взаимодействии селенид-ионов, получаемых из селеносульфата, с ионами кадмия (II), распределенными в водном растворе хитозана, при комнатной температуре. Разработанный способ достаточно прост, экономичен, нетоксичен и позволяет при комнатной температуре получать квантовые точки селенида кадмия, покрытые хитозаном, которые могут использоваться в качестве биомаркеров, т.к. наличие на их поверхности оболочки из молекул хитозана обеспечивает им хорошее взаимодействие с биологическими объектами. 3 ил.
Изобретение относится к получению квантовых точек, используемых в качестве биологических маркеров. Способ получения коллоидных полупроводниковых квантовых точек селенида цинка в оболочке хитозана включает взаимодействие хлорида цинка с селенид-ионами в присутствии аммиака и покрывающего агента. В раствор хитозана, полученный смешением 0,5 г сухого порошка хитозана и 50 мл 2%-ной уксусной кислоты, при комнатной температуре и постоянном перемешивании вводят 8,0 мл 0,008 М водного раствора хлорида цинка. Затем добавляют 1,5 мл 0,1 М водного раствора аммиака. После этого по каплям при постоянном энергичном перемешивании в течение одного часа медленно прибавляют к полученному раствору 0,12 мл 0,25 М раствора селеносульфата натрия. Изобретение позволяет получать квантовые точки селенида цинка, покрытые хитозаном, при комнатной температуре без использования токсичных реагентов и сложного оборудования, обеспечить лучшее взаимодействие квантовых точек с биологическими объектами. 3 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно нанотехнологии интерактивного взаимодействия, датчиков или приведения в действие, например квантовых точек в качестве биомаркеров. Описан способ получения коллоидных полупроводниковых квантовых точек селенида цинка, основанный на взаимодействии хлорида цинка с селенид-ионами в присутствии аммиака и покрывающего агента, в котором хлорид цинка, распределенный в водном растворе лактозы, используемой в качестве покрывающего агента, взаимодействует с селенид-ионами, образующимися из раствора селеносульфата натрия, при перемешивании в течение одного часа. Технический результат: разработан технически простой, экономичный, нетоксичный, низкотемпературный способ получения квантовых полупроводниковых точек селенида цинка, покрытых лактозой, для использования в качестве биологических маркеров. 6 ил.
Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькогенсодержащих соединений с последующей промывкой поверхности в прокипяченной дистиллированной воде. Отличительной особенностью от ранее известных способов предварительной халькогенной обработки поверхности арсенида галлия является то, что полупроводниковый электрод последовательно выдерживают в течение 3 минут в 0,1 Μ водном растворе селеновой кислоты, окунают в теплую дистиллированную воду с температурой 40°С, выдерживают 3 минуты в 0,1 Μ водном растворе тиосульфата натрия и промывают в двух порциях прокипяченной горячей дистиллированной воды с температурой 60-70°С. Далее следуют операции по электроосаждению на арсенид галлия металлов из водных растворов. Изобретение применяется в микроэлектронике при создании выпрямляющих контактов перед электрохимическим нанесением металла на полупроводник и обеспечивает повышение стабильности электрофизических характеристик выпрямляющих контактов металл-полупроводник при воздействии повышенных температур в окислительной атмосфере. 1 табл.
Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов
