Патенты автора Самсоненко Борис Николаевич (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления. Верхняя и нижняя опорная части носителя выполнены в виде прижимных листов, причем верхняя часть носителя выполнена с функцией наковальни, имеющей технологические отверстия, над которыми расположены сопла для прохождения газовых потоков в вертикальном направлении над удаляемыми сегментами полупроводниковой пластины, а нижняя опорная часть носителя выполнена с торцевыми гранями, расположенными параллельно пропилам, при этом в торцевых гранях выполнены сопла с отверстиями, изготовленными с возможностью прохождения газовых потоков в направлении под углом к плоскости наковальни, кроме того, в устройство дополнительно введен блок управления газовыми потоками, содержащий воздушные электроклапаны, реле времени и редуктор давления. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных фотопреобразователей за счет прецизионного выполнения многократного перегиба тыльного слоя металлизации при разделении. 3 ил.

Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления фотоэлементов с радиационно-стойким защитным стеклом. Способ изготовления стеклянных пластин для фотопреобразователей космического назначения включает создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление в растворе плавиковой кислоты на глубину, равную или большую глубины сжатого слоя стекла, защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, кислотное травление выполняют при вертикальном поступательно-возвратном перемещении стеклянных пластин в растворе, а после химической закалки выполняют одностороннее капельное нанесение на стеклянные пластины защитного слоя силиконового каучука, причем в качестве растворителя силиконового каучука используют смесь Сольвента и бензина Нефрас. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных стеклянных пластин, фотоэлементов на операциях сборки и монтажа за счет обеспечения однородности травления стеклянных пластин в процессе химико-динамического травления; увеличение механической прочности стеклянных пластин за счет стравливания дефектов скрайберной резки и полимерной защиты тыльной стороны стеклянных пластин после химической закалки. 8 ил., 1 табл.

Изобретение относится с солнечной энергетике, в частности, к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей на германиевой подложке. Cпособ изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, химико-динамическое травление германиевой подложки, удаление защитного покрытия, напыление тыльной металлизации, отжиг контактов, химико-динамическое травление подложки выполняют до израсходования плавиковой кислоты, лимитирующей количество стравливаемого германия, в растворе продуктов травления, причем раствор продуктов травления используют многократно, вновь добавляя плавиковую кислоту и перекись водорода в соотношении объемных частей, при этом плавиковой кислоты (46%) 8÷17 объемных частей, перекиси водорода (30%) 8÷19 объемных частей, раствора продуктов травления 84÷64 объемных частей, а затем выполняют химико-динамическую обработку германиевой подложки в растворе ортофосфорной кислоты, перекиси водорода и воды. Изобретение обеспечивает повышение параметров и увеличение выхода годных фотопреобразователей, изготавливаемых на утоняемой германиевой подложке, снижение затрат на вторичную переработку стравленного германия и утилизацию плавиковой кислоты. 5 ил., 4 табл.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам изготовления модулей высокоэффективных солнечных элементов на струнном каркасе в солнечных батареях космических аппаратов. Технический результат, достигаемый предлагаемым способом изготовления модуля солнечных элементов, заключается в увеличении срока эксплуатации, повышении надежности солнечной батареи и сокращении объема ремонтных работ за счет обеспечения прочности клеевого соединения силиконового наполнителя с тыльной металлизацией солнечных элементов и защитной подложкой. Достигается вышеуказанный технический результат тем, что в предложенном способе изготовления модуля солнечных элементов, включающем нанесение силиконового наполнителя на лицевую и тыльную стороны солнечных элементов, приклеивание на силиконовый наполнитель защитной подложки, выполнение вакуумной дегазации, перед нанесением силиконового наполнителя на тыльной стороне солнечного элемента формируют трехслойное адгезионное покрытие путем последовательного нанесения капельным распылением эпоксидного клея, силиконового компаунда СИЭЛ и промоутера адгезии, причем после нанесения слоя силиконового компаунда СИЭЛ выполняют термообработку при температуре 150÷180°С. 4 ил.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам изготовления модулей высокоэффективных солнечных элементов на струнном каркасе в солнечных батареях космических аппаратов. Технический результат, достигаемый предлагаемым способом изготовления модуля солнечных элементов, заключается в увеличении срока эксплуатации, в повышении надежности солнечной батареи и сокращении объема ремонтных работ за счет обеспечения прочности клеевого соединения защитной подложки с тыльной металлизацией солнечных элементов. Достигается вышеуказанный технический результат тем, что в предложенном способе изготовления модуля солнечных элементов, включающем нанесение силиконового наполнителя на лицевую и тыльную стороны солнечных элементов, приклеивание на силиконовый наполнитель защитной подложки, перед нанесением силиконового наполнителя на тыльную сторону солнечных элементов наносят капельным распылением слой промоутера адгезии, затем наносят капельным распылением слой силиконового компаунда СИЭЛ на лицевую, тыльную стороны солнечного элемента и на поверхность защитной подложки, выполняют термообработку вышеуказанных слоев силиконового компаунда СИЭЛ, затем наносят силиконовый наполнитель, выполняют наклейку на силиконовый наполнитель защитной стеклянной пластины и защитной подложки, при этом в качестве силиконового наполнителя используют силиконовый компаунд СИЭЛ. 6 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, и может быть использовано при изготовлении фотопреобразователей. Cпособ обработки полупроводниковых структур с германиевой подложкой включает фиксацию полупроводниковой структуры лицевой стороной на диске-носителе посредством клеевого соединения, утонение подложки, разделение полупроводниковой структуры на чипы, напыление тыльной металлизации с нагревом подложки, снятие металлизированных чипов с диска-носителя, при этом фиксацию полупроводниковой структуры на диске-носителе выполняют на выступах, имеющих вид полос, закрепленных вертикально на диске-носителе, при этом диск-носитель и выступы изготавливают из материалов с близкими к германиевой подложке коэффициентами термического расширения, а выступы располагают с внутренней стороны контура разделения полупроводниковой структуры, фиксацию которой на выступах выполняют посредством эпоксидно-пластизолевой смеси. Изобретение обеспечивает возможность увеличения выхода годных фотопреобразователей за счет устранения травмирующих факторов механического воздействия на полупроводниковую структуру в процессе выполнения технологических операций, кроме того, обеспечивается эффективное снятие чипов с диска-носителя в органическом растворителе и, как следствие, многократное использование дисков-носителей. 6 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей космического назначения на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Cпособ изготовления фотопреобразователя для космических аппаратов включает формирование на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; формирование мезаизоляции; отжиг контактов; выпрямление металлизированной подложки охлаждением в парах азота; дисковую резку эпитаксиальной структуры; вскрытие оптического окна травлением; напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом без применения плазмы; химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды; выпрямление фотопреобразователя охлаждением в парах азота; химико-динамическое травление областей реза германиевой подложки с одновременным вскрытием оптического окна; напыление просветляющего покрытия из последовательных слоев TiO2, ZrO2, Al2O3, причем толщину слоя ZrO2 выбирают в диапазоне 7÷20 нм, кроме того, дисковую резку выполняют с отделением сегментов эпитаксиальной структуры от вертикальных и горизонтальных сторон чипов, а после химико-динамического травления просветляющего покрытия отделяют сегменты эпитаксиальной структуры от фасок чипов. Технический результат изобретения: возможность изготовления фотопреобразователя для космических аппаратов с повышенными электрическими параметрами и повышение выхода годных фотопреобразователей. 10 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вытравливание мезы, вжигание контактов, разделение полупроводниковой структуры на чипы дисковой резкой, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс. %, перекиси водорода 6,5÷17,7 масс. %, воды 93,2÷81,6 масс. % и нанесение просветляющего покрытия. Изобретение обеспечивает повышение производительности операции химико-динамического травления контактного слоя за счет увеличения количества одновременно обрабатываемых полупроводниковых структур, расположенных свободно в растворе в несколько слоев, разделенных газовой прослойкой при экзотермическом повышении температуры травителя, сокращение расхода тетраметиламмония за счет более эффективного процесса травления контактного слоя вследствие повышения температуры раствора и увеличение фотоэлектрических параметров за счет стравливания дефектов, вносимых дисковой резкой на торцевой поверхности мезы. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области конструкции и технологии оптоэлектронных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке с выводом тыльного контакта на лицевой стороне полупроводниковой структуры, согласно изобретению включающем: создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, стравливание подложки, удаление защитного покрытия, напыление слоев тыльной металлизации, отжиг контактов, разделение пластины, вскрытие оптического окна, напыление просветляющего покрытия, выпрямление фотопреобразователя со встроенным диодом путем охлаждения в азоте, создают дополнительно меза-изолированную контактную площадку для вывода тыльного контакта фотопреобразователя, формируют лазером углубления под вышеназванной меза-изолированной контактной площадкой и по периметру фотопреобразователя, наносят защитное покрытие формированием последовательно слоев позитивного и негативного фоторезистов методом центрифугирования и слоя быстросохнущей эмали методом распыления, наклеивают пластину защитным покрытием на выступы диска-носителя, стравливают подложку до эпитаксиальных слоев в углублениях с одновременным разделением пластины на чипы фотопреобразователей, вытравливают эпитаксиальные слои в углублениях, а после напыления слоев тыльной металлизации удаляют защитное покрытие с одновременным откреплением чипов фотопреобразователей от диска-носителя, выпрямляют чипы после отжига контактов и напыления просветляющего покрытия. Технический результат изобретения заключается в повышении выхода годных фотопреобразователей на подложке толщиной менее 50 мкм за счет устранения факторов травмирования края, в упрощении технологии электрического соединения внешних выводов с тыльной металлизацией. 5 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к технологии изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Способ изготовления фотопреобразователей на утоняемой германиевой подложке, включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, стравливание подложки, удаление защитного покрытия, напыление слоев тыльной металлизации, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, разделение пластины, выпрямление фотопреобразователя со встроенным диодом путем охлаждения в азоте, при этом после вытравливания мезы формируют углубление в меза-канавке дисковым резом, наносят защитное покрытие формированием последовательно слоев позитивного, негативного фоторезистов методом центрифугирования и слоя быстросохнущей эмали методом распыления, наклеивают пластину защитным покрытием на выступы диска-носителя, стравливают подложку химико-динамическим травлением в водном растворе плавиковой кислоты и перекиси водорода до углубления в меза-канавке с одновременным разделением пластины на чипы, после напыления тыльной металлизации удаляют защитное покрытие с одновременным откреплением чипов от диска-носителя, а выпрямляют чипы после отжига контактов и напыления просветляющего покрытия. Также предложено устройство для осуществления описанного выше способа. Изобретения обеспечивают увеличение выхода годных фотопреобразователей с утоненной до толщины ~20 мкм германиевой подложкой. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей. Заявленная установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом включает столик для совмещения, держатель полупроводниковых пластин, фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин, источник освещения и микроскопы с двойным монитором. При этом столик для совмещения и держатель выполнены в виде фотошаблона для тыльной стороны полупроводниковых пластин, который снабжен вакуумными отверстиями, уплотнительной рамкой, установочными элементами в виде дисков и расположен на каретке в виде опорной плиты со встроенными вакуумными камерами. Фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин выполнен с углублениями для вышеупомянутых дисков, а источник освещения выполнен в виде металлического короба, в крышке и дне которого расположены две лампы с эллиптическими отражателями, между которыми находятся элементы ограничения светового потока в виде полых цилиндров со светопоглощающей внутренней поверхностью. Причем между верхним и нижним элементами ограничения светового потока в передней стенке короба имеется отверстие для размещения вышеупомянутой каретки, а микроскопы выполнены пространственно зафиксированными на арочной панели, закрепленной на столешнице. Технический результат - повышение производительности за счет сокращения времени на подстройку оптического устройства при совмещении и расширение функциональных возможностей за счет двухсторонней фотолитографии. 3 ил.

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей. Технический результат заключается в повышении выхода годных фотоэлементов на операциях сборки и монтажа, сокращении объема ремонтных работ за счет увеличения прочности края стеклянной пластины. В способе изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения, включающем создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление поверхности на глубину, равную или большую глубины сжатого стекла и защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, стеклянные пластины вырезают из стеклянных заготовок, которые предварительно располагают вертикально и покрывают защитным слоем путем погружения в расплав воска, формируя при этом за пределами защитного покрытия участок поверхности с геометрической конфигурацией фотопреобразователя, причем с меньшими на 2+10мм габаритными размерами, далее покрывают сплошным защитным слоем воска одну из сторон стеклянных заготовок 30-60 мкм в водном растворе плавиковой и серной кислот, после чего удаляют восковое покрытие и вырезают стеклянные пластины с утолщенным краем. 3 ил., 1 табл.

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на утоняемой подложке включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, дисковую резку эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя со встроенным диодом посредством охлаждения в парах азота, после напыления слоев лицевой металлизации и удаления фоторезиста создают фоторезистивную маску под меза-изоляцию с дополнительным рисунком в виде островков, расположенных напротив контактных площадок фотопреобразователя со встроенным диодом, кроме того, при вытравливании мезы удаляют слой германиевой подложки в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды, далее, после отжига контактов, выпрямляют посредством охлаждения в парах азота металлизированную подложку, после этого выполняют дисковую резку эпитаксиальной структуры, затем, после вскрытия оптического окна, напыляют просветляющее покрытие, а после выпрямления фотопреобразователя со встроенным диодом выполняют химико-динамическое травление в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при количественном соотношении компонентов 1÷1,5 масс. %, 10÷20 масс. %, 89÷78,5 масс. % соответственно. Изобретение обеспечивает увеличение выхода годных фотопреобразователей, повышение электрических параметров и надежности фотопреобразователей. 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя включает создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с p++и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5-45% концентрации. Технический результат, достигаемый в предлагаемом способе вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, заключается в повышении адгезии лицевой металлизации диода и снижении величины прямого напряжения на встроенном диоде. 1 табл., 2 ил.

Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины, осветитель, микроскоп для визуального контроля совмещения, фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха, дополнительно введены фотошаблоны верхнего и нижнего уровней, а столик выполнен в виде опорной плиты, в которой расположено отверстие для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины, при этом посадочное гнездо состоит из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой, снабженного отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, которые расположены в углублениях фотошаблона верхнего уровня, кроме того, введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня. Технический результат: обеспечение возможности повышения производительности операций фотолитографии, а также возможности выполнять совмещенную фотолитографию лицевой и тыльной сторон полупроводниковой пластины. 1 ил.

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом, разделение эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота. Окно под меза-травление располагают с трех сторон диодной площадки. После отжига контактов выпрямляют металлизированную подложку в парах азота, выполняют разделение эпитаксиальной структуры лазерной резкой по металлизированному тылу. После вскрытия оптического окна напыляют просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3*, в котором слои TiO2 и Al2O3 толщиной 5÷30 нм и 60÷70 нм соответственно, формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* толщиной 15÷40 нм и 5÷10 нм соответственно, с применением ионно-плазменного ассистирования. Стравливают дефекты торцевой поверхности фотопреобразователя химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды. Технический результат заключается в повышении электрических параметров, механической прочности и выхода годных фотопреобразователей. 2 табл., 5 ил.

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигурацию фотопреобразователя. Размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм. Контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда. Напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости. С тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах располагают металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижимают к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке. Поверхность плоских выступов покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации. Технический результат заключается в увеличении выхода годных фотопреобразователей. 5 ил., 1 пр.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои ТiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота; после отжига контактов выпрямление посредством охлаждения в парах азота металлизированной подложки; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; далее осуществляют вскрытие оптического окна травлением; наносят просветляющее покрытие последовательным напылением слоев ТiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, ТiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2O3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, а затем выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при следующем количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас.%, 10÷20 мас.%, 89÷78,5 мас.% соответственно. Изобретение обеспечивает повышение параметров фотопреобразователя за счет улучшения оптических свойств просветляющего покрытия и минимизации шунтирующего воздействия плазмы на р/n-переходы, выходящие на поверхность мезы. 8 ил.

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Технический результат, получаемый предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, заключается в улучшении электроизоляции фотопреобразователя и диода; повышении параметров и надежности фотоэлемента. Достигается технический результат тем, что в способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge фоторезистивной маски с рисунком лицевых контактов фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, формирование напылением и взрывом лицевых контактов Gr/Ag/Au-Ge/Ag/Au, создание фоторезистивной маски с окнами под мезаизоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльной металлизации Gr/Au/Ag/Au, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры на чипы, выравнивание чипов посредством охлаждения в парах азота, после напыления и взрыва лицевых контактов создают фоторезистивную маску под мезаизоляцию, в окнах которой защищаются области эпитаксиальной структуры, расположенные напротив контактных площадок по периметру фотопреобразователя со встроенным диодом, причем после вытравливания мезы и удаления фоторезиста создают фоторезистивную маску, защищающую участки для резки на тыльной стороне германиевой подложки, кроме того, после напыления тыльной металлизации удаляют фоторезист, после отжига контактов выравнивают металлизированную подложку охлаждением в парах азота, выполняют дисковую резку по тыльной стороне подложки, а после вскрытия оптического окна напыляют просветляющее покрытие на чипы. 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности травления. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, имеющую форму короба и снабженную цилиндрическими ванночками, в которых располагаются пластины подложкой вверх, а сами ванночки снабжены крышками-втулками, выполненными с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, при этом дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой, крышка-втулка каждой ванночки выполнена в виде перемешивающего плоского диска круглой формы из полипропилена с определенной конфигурацией технологических отверстий и с возможностью скольжения по поверхности подложки в слое травителя за счет орбитального движения платформы, кроме того, перемешивающий диск снабжен фторопластовыми вставками и держателем. 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом. Согласно изобретению на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/GaAs/Ge, выращенной на германиевой подложке с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, удаляют в диодном окне маски полупроводниковые слои, причем вытравливают p-AlGaInP слой потенциального барьера полностью или частично в смеси концентрированных соляной и фтористоводородной кислот в количественном соотношении объемных частей 5÷7 и 3÷5 соответственно, p++-AlGaAs слой туннельного перехода удаляют в смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот в количественном соотношении объемных частей 6÷10 и 8÷12 соответственно. Технический результат изобретения заключается в повышении однородности и воспроизводимости процесса травления, а также в улучшении параметров встроенного диода. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей. Технический результат, достигаемый в предложенном способе, изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и воспроизводимости стравливания контактного слоя структуры, повышении фотоэлектрических параметров. Достигается это тем, что формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигают контакты, вытравливают мезу, удаляют контактный слой структуры химикодинамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении компонентов, соответственно в мас.%: гидроокись тетраметиламмония 0,7÷1,3, перекись водорода 6,5÷17,7, вода 92,8÷81. 1 табл.

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек. Технический результат заключается в повышении производительности и упрощении конструкции. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, платформа выполнена в виде короба и снабжена цилиндрическими ванночками, при этом на дно ванночек установлены диски вкладышей, на которых горизонтально расположены пластины подложкой вверх, кроме того, крышки-втулки ванночек выполнены с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, а дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой. 3 ил.
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5÷15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают подложку, а после удаления защитного покрытия и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации. 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам, а именно к преобразователям световой энергии в электрическую

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом

Изобретение относится к электрическому оборудованию, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх