Патенты автора Подкопаев Олег Иванович (RU)
Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия // 2631779
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к металлургии полупроводников, и предназначено для изготовления кварцевых контейнеров с покрытием из диоксида кремния рабочей поверхности. Способ получения покрытия на основе диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия включает введение в реакционную зону тетрахлорида кремния и воду и осаждение пленки диоксида на упомянутой поверхности. Тетрахлорид кремния и воду вводят в реакционную зону в потоке осушенного воздуха при атмосферном давлении при объемном соотношении тетрахлорида кремния и воды 1:(2÷4). Формирование покрытия в виде диоксида кремния осуществляют в течение 10-30 мин при температуре 23°C и атмосферном давлении с последующей термообработкой при 1150°C в течение 30 мин. Обеспечивается получение покрытия из диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия с малыми затратами энергии и рациональным расходом исходных реагентов. 3 пр.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ // 2626359
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия методом Чохральского для оптических применений. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и дополнительную - кремний, в количестве от 1,3⋅1020 см-3 до 3⋅1020 см-3 путем растворения кремниевых стержней в ходе выращивания кристалла. Техническим результатом изобретения является повышение температурной стабильности оптических свойств монокристаллов германия. 1 табл.
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Устройство включает расположенные в ростовой камере 1 тигель 2 со смежными нагревателем 4 и теплоизоляцией 5, затравкодержатель 3, тепловой полый надтигельный цилиндрический экран 6, выполненный из низкотеплопроводного материала (кварца), который установлен на тигель 2 сверху с возможностью погружения в расплав его нижней части, в стенке которой выполнены сквозные прорези, при этом каждая из нижних кромок прорезей представляет собой линию в виде дуги Архимедовой или логарифмической спирали. Технический результат заключается в снижении и стабилизации радиального температурного градиента по фронту кристаллизации и внутри монокристалла и, в целом, повышении качества выращиваемого монокристалла германия. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ // 2563484
Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих их концентрацию в расплаве 0,5·1020-1,2·1020 см-3 и 1·1019-5·1019 см-3 соответственно. Техническим результатом изобретения является повышение термостабильности оптических свойств выращиваемых кристаллов германия. 1 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КОНТЕЙНЕРОВ // 2504602
Изобретение относится к способам изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для синтеза и кристаллизации расплавов полупроводниковых материалов, а также для получения особо чистых металлов и полиметаллических сплавов. Способ изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для высокотемпературных процессов включает нанесение на рабочую поверхность кварцевого контейнера полимерной пленки с последующим отжигом в инертной атмосфере. Нанесение упомянутой пленки на рабочую поверхность кварцевого контейнера проводят путем осаждения полигексаметиленгуанидингидрохлорида или полидиаллилдиметиламмонийхлорида из его 7-10%-ного водного раствора с pH 1-3 и последующего отжига в инертной атмосфере при 900-1000°C в течение 30-60 минут. Улучшается качество защитных покрытий на поверхностях кварцевых контейнеров за счет повышения их плотности и прочности с обеспечением предотвращения взаимодействия расплавленного материала с рабочими стенками контейнера любой формы и уменьшение загрязнения получаемого материала диффундирующими примесями химических элементов из кварца. 1 табл., 2 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ ТИГЛЕЙ // 2333900
Изобретение относится к огнеупорной промышленности, а именно к производству крупногабаритных кварцевых тиглей, которые могут быть использованы в производстве полупроводниковых материалов
Изобретение относится к химической промышленности и металлургии и может быть использовано для получения германиевого концентрата из ископаемых углей
