Патенты автора Мисакян Мамикон Арамович (RU)
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении СВЧ-устройств, имеющих покрытия, позволяющие снизить коэффициент вторичной эмиссии электронов. Сначала поверхность пластины обрабатывают с помощью разрядов и создают на её поверхности рельеф. После этого нагревают поверхность пластины до 50-60°C, покрывают её слоем коллоидного раствора углерода в спирте и испаряют его в потоке воздуха, нагретого до температуры 50-60°C до образования пленки толщиной 1-2 мкм. Процессы покрытия поверхности пластины слоем коллоидного раствора углерода в спирте периодически повторяют. Полученные покрытия позволяют подавить эффект лавинного размножения вторичных электронов при взаимодействии СВЧ-излучения с обработанной поверхностью. Свойства покрытий при их хранении в атмосфере воздуха при нормальном атмосферном давлении в течение 1-2 месяцев не меняются. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение может быть использовано при получении покрытий, уменьшающих коэффициент вторичной электронной эмиссии, выращивании алмазных плёнок и стёкол, элементов, поглощающих солнечное излучение. Коллоидный раствор наноразмерного углерода получают путём подачи органической жидкости - этанола, в камеру с электродами, инжектирования инертного газа в межэлектродное пространство, формирования высокотемпературного плазменного канала в пузырьках газа, содержащих пары органической жидкости. Высокотемпературный плазменный канал имеет следующие параметры: температура тяжёлых частиц 4000-5000К, температура электронов 1,0-1,5 эВ, концентрация заряженных частиц (2-3)·1017 см3, диаметр плазменного канала сотни микрон. Затем быстро, в течение нескольких микросекунд, осуществляют охлаждение. Техническим результатом является простота, возможность получения наночастиц различного типа. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области приборостроения
