Патенты автора Галанов Геннадий Николаевич (RU)

Способ определения параметров плазменного травления материалов в процессе обработки изделий включает измерение параметров модельного образца в виде структуры, образованной первой и второй акустическими линиями задержки (АЛЗ), содержащими входные и выходные электроакустические преобразователи, выполненные на одной грани плоского кристаллического звукопровода, другая противолежащая грань которого открыта для плазменного травления. Моды колебаний АЛЗ выбраны из условия обеспечения различий в зависимости времени задержки от температуры и толщины звукопровода таким образом, чтобы первая АЛЗ обладала большей чувствительностью к температуре и меньшей чувствительностью к изменению толщины звукопровода в процессе травления, а вторая АЛЗ - меньшей чувствительностью к температуре, но большей чувствительностью к изменению толщины звукопровода в процессе травления по отношению к первой АЛЗ. Искомые параметры упомянутого травления определяют по временной зависимости разности откликов выходных преобразователей при подаче сигнала возбуждения на входные преобразователи АЛЗ. Технический результат - снижение уровня пороговых значений и повышение точности измерения параметров плазменного травления с автоматическим учетом текущей температуры процесса. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Областью применения изобретения является микроэлектроника, а более конкретно микроэлектроника интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ)-резонаторов, которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах, телекоммуникации и т.д. Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах включает травление кварцевой подложки, нанесение металлизации на подложку, изготовление структур резонаторов, монтаж резонаторов в корпуса и проведение сухой обработки в две стадии, при этом на первой стадии проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси кислорода и инертного газа, причем в качестве инертного газа используют или гелий, или неон, или аргон при плотности ВЧ-мощности от 0,02 до 0,08 Вт/см3 и при давлении от 80 до 150 Па, содержании кислорода от 3 до 15 об.%, содержании инертного газа от 85 до 97 об.%, а на второй стадии проводят процесс настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде. Изобретение направлено на увеличение долговременной стабильности частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах за счет очистки резонаторов от органики и повышения степени этой очистки путем введения в кислородную плазму инертного газа и за счет настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде. 3 пр., 1 табл.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств (фильтры, резонаторы, линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ)), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах, телекоммуникации

Изобретение относится к двигателестроению, в частности к топливной аппаратуре двигателей внутреннего сгорания, а именно способам нагнетания и регулирования подачи топлива в форсунку и устройствам для их осуществления

Изобретение относится к двигателестроению, в частности к управлению характеристиками впрыскивания топлива в камеру сгорания двигателя внутреннего сгорания

 


Наверх