Патенты автора Тимошенков Сергей Петрович (RU)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния дырочного типа проводимости в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, углеродных покрытий на кремниевые столбчатые наноструктуры высотой до нескольких десятков нанометров. Для повышения плотностей автоэмиссионных токов используют эмиссионные слои с низкой поперечной электропроводностью. Технический результат - повышение стабильности и эффективности автоэмиссии. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока, источник опорного напряжения постоянного тока, усилитель, состоящий из усилителя переменного тока, фазового детектора и усилителя постоянного тока с двумя противофазными выходами. При этом в качестве усилителя переменного тока выступает зарядовый усилитель, в качестве усилителя постоянного тока выступает интегратор с двумя противофазными выходами, а на выходе введен дополнительный усилитель постоянного тока. Технический результат заключается в повышении точности измерения ускорения за счет снижения шумов, снижения нелинейности передаточной характеристики, расширения частотного диапазона преобразования, увеличения диапазона измеряемых ускорений, снижения температурной и временной нестабильности смещения нулевого сигнала компенсационного акселерометра. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока, источник опорного напряжения постоянного тока, усилитель, состоящий из усилителя переменного тока, фазового детектора и усилителя постоянного тока с двумя противофазными выходами. При этом в качестве усилителя переменного тока выступает зарядовый усилитель, в качестве усилителя постоянного тока выступает интегратор с двумя противофазными выходами, а на выходе введен дополнительный усилитель постоянного тока. Технический результат заключается в повышении точности измерения ускорения за счет снижения шумов, снижения нелинейности передаточной характеристики, расширения частотного диапазона преобразования, увеличения диапазона измеряемых ускорений, снижения температурной и временной нестабильности смещения нулевого сигнала компенсационного акселерометра. 1 ил.

Настоящее изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства пластичных электронных устройств и межсоединений, которые обладают способностью компенсировать большие деформации (растяжение и сжатие), сохраняя при этом функциональное состояние, и способу получения таких пластичных устройств и межсоединений для технологии производства радиоэлектронных узлов. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений. Достигается тем, что способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений включает изготовление жесткого основания в виде опорного металлического кольца. Далее закрепляют металлическую фольгу на опорном металлическом кольце. Наносят фоточувствительный материал на одной стороне металлической фольги и формируют в этом слое топологический рисунок фотолитографией. После этого наносят первый слой кремнийорганического полимера на сформированный фотолитографией рисунок. Затем формируют топологический рисунок фотолитографией на другой стороне металлической фольги и травят насквозь металлическую фольгу. В завершении наносят второй слой кремнийорганического полимера на полученный топологический рисунок. 11 ил.
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного материала системы тройных теллуридов германия и сурьмы Ge-Sb-Те методом вакуумно-термического испарения взрывного типа. В качестве халькогенидного материала используют смесь стехиометрических составов GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5 при соотношении 1:1, механически активированную перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала. Перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала в предварительно откаченную до давления 3,5⋅10-6 Па вакуумную камеру помещают обезжиренную, подвергнутую термическому окислению со сформированным подслоем оксида кремния кремниевую подложку, затем на поверхность подслоя оксида кремния методом вакуумно-термического испарения наносят нижний алюминиевый слой. Нанесение слоя указанного халькогенидного материала методом вакуумно-термического испарения взрывного типа проводят при давлении в рабочем объеме 10-6 Па, температуре подложки 30°С, температуре испарителя 600°С и скорости испарения шихты 1-2 нм/с. Обеспечивается разработка экономичного способа получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te, обладающих повышенной стабильностью характеристик, информационным быстродействием и невысокой потребляемой мощностью. 1 пр.

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использоваться, в частности, лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц. Способ заключается в расположении подложки в реакторе, нагреве рабочей поверхности подложки до 900-1000°C, подаче потока реакционного газа, содержащего инертный газ-носитель и моносилан, наращивании кремния до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавлении к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формировании эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины. Начальный сплошной слой кремния наращивают со скоростью от 3000 /мин до 6000 /мин. После формирования данного слоя на рабочей поверхности подложки расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 /мин. К потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы скорость роста кремниевого слоя вернулась к значениям 3000-6000 /мин. Технический результат изобретения - получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники и представляет собой конденсатор с емкостью, управляемой напряжением, т.е. варикап. Варикап представляет собой гетероструктуру «металл-пористый кремний», где поры пористого кремния заполнены металлом с помощью электрохимического осаждения. Варикап может применяться в интегральных устройствах электронной аппаратуры для перестройки частоты и частотной модуляции, а также в устройствах, требующих применения конденсаторов повышенной емкости в интегральном исполнении. Изобретение обеспечивает увеличение удельной емкости и коэффициента перекрытия по емкости варикапа. 2 н.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники. Используют модифицированный висмутом халькогенидный полупроводниковый материал тройного состава Ge2Sb2Te5. Упомянутый материал подвергают механической активации. Осуществляют неравновесное высокочастотное ионно-плазменное распыление материала в атмосфере рабочего газа смеси газа аргона и водорода при соотношении 90:10. Осаждение осуществляют на диэлектрический слой в условиях среднего вакуума при давлении в камере от 0,5 до 1,0 Па и высокочастотном напряжении поля амплитудой от 400 до 470 В. Технический результат заключается в повышении информационного быстродействия, уменьшении потребляемой мощности.1 пр.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники. Используют модифицированный висмутом халькогенидный полупроводниковый материал тройного состава Ge2Sb2Te5. Упомянутый материал подвергают механической активации. Осуществляют неравновесное высокочастотное ионно-плазменное распыление материала в атмосфере рабочего газа смеси газа аргона и водорода при соотношении 90:10. Осаждение осуществляют на диэлектрический слой в условиях среднего вакуума при давлении в камере от 0,5 до 1,0 Па и высокочастотном напряжении поля амплитудой от 400 до 470 В. Технический результат заключается в повышении информационного быстродействия, уменьшении потребляемой мощности.1 пр.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.

Изобретение относится к приборам вакуумной и твердотельной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе углеродных нанотрубок (УНТ), используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе. Технический результат - повышение тока автоэмиссии и временной стабильности этой величины, уменьшение рабочих напряжений в приборах вакуумной микроэлектроники на основе углеродных нанотрубок и продление их срока службы. Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок включает полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой, катодный узел, расположенный над изолирующим слоем, состоящий из токоведущего и контактного слоев и углеродных нанотрубок (УНТ), расположенных на поверхности контактного слоя, опорно-фокусирующую систему, состоящую из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, расположенную на верхней поверхности катодного узла и содержащую сквозную полость, анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия. Углеродные нанотрубки расположены параллельно поверхности полупроводниковой подложки, на поверхность углеродных нанотрубок нанесен слой оксида гафния, снижающий работу выхода электронов с поверхности УНТ и защищающий поверхность эмитирующих УНТ от воздействия внешних факторов, снижения величины контактного сопротивления нанотрубка-подложка при отжиге сформированной структуры автоэмиссионного элемента. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления энергонезависимых электромеханических элементов памяти с подвижными электродами. Согласно способу наносят на подложку в виде кремниевой монокристаллической пластины изолирующий диэлектрический слой и легированный слой кремния, затем формируют неподвижные и подвижные электроды одновременно в плоскости наносимых изолирующего диэлектрического и легированного кремниевого слоев параллельно плоскости подложки. Ширина подвижного электрода должна быть не более двойной толщины изолирующего диэлектрического слоя. Ширина неподвижных электродов должна быть равной не менее четырехкратной толщины изолирующего диэлектрического слоя. Технический результат - уменьшение трудоемкости, повышение надежности электромеханического элемента памяти с подвижными электродами. 2 ил.

Изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства многокристальных модулей, микросборок и модулей с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - снижение массы и габаритов, уменьшение трудоемкости и повышение надежности электронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления электронного узла вместо корпусных компонентов применяют бескорпусные кристаллы, в качестве основания используют пластину монокристаллического кремния. Формируют в ней сквозные окна с линейными размерами, соответствующими линейным размерам устанавливаемых в них бескорпусных кристаллов. Закрепляют с одной стороны основания липкую ленту, клеящейся стороной к поверхности основания. Устанавливают в сквозные окна кристаллы лицевой стороной к клеящейся стороне липкой ленты. Герметизируют полиимидным лаком. Затем формируют отверстия в слое полиимидного лака так, чтобы вскрыть контактные площадки кристалла. Для формирования топологии и коммутации слоев используют вакуумно-плазменное осаждение металлов через тонкую съемную маску со сформированной на ней топологией или используют процессы фотолитографии после вакуумно-плазменного осаждения металлов. 1 ил.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок и модулей на основе печатных плат с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - создание способа производства максимально компактных, надежных, быстродействующих и более экономичных в изготовлении электронных узлов радиоэлектронной аппаратуры за счет отсутствия процессов пайки и сварки в изготовлении электронных узлов. Достигается за счет изготовления электронных узлов радиоэлектронной аппаратуры на гибком носителе и включает формирование рисунка на фольгированном полимере методом фотолитографии, установку бескорпусных кристаллов активной стороной вниз и чип-компонентов на основание с помощью полимерного лака, герметизацию, получение отверстий в полимерной структуре до выводов электронных компонентов методом плазмохимического травления, монтаж компонентов методом магнетронного напыления металлов в вакууме, наращивание необходимого количества слоев методами фотолитографии по полимерному фотолаку, формирование крупных внешних контактных площадок для возможности последующего монтажа на печатные платы из любого материала, как стеклотекстолита, так и из керамики, полиимида и других материалов. 13 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для поверхностного монтажа микроэлектронных компонентов в многокристальные модули, микросборки и модули с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости и повышение надежности микроэлектронных узлов, снижение их массогабаритных параметров. Достигается тем, что в металлической круглой пластине по заданным координатам формируют отверстия под бескорпусные кристаллы. На одну из внешних поверхностей металлической круглой пластины натягивают липкую ленту липкой стороной внутрь пластины. Бескорпусные кристаллы устанавливают по заданным координатам контактными площадками на поверхность липкой ленты, герметизируют, отделяют липкую ленту. Наносят полиимидный фотолак, формируют в нем отверстия. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов через тонкую съемную маску или используют процессы фотолитографии после вакуумно-плазменного осаждения металлов. Повторно наносят слой диэлектрика и формируют в нем окна. Наносят последний слой металлизации, формируют коммутацию с контактными площадками и устанавливают чип компоненты. 7 ил.

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и гироскопов. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение качества структур. Способ микропрофилирования кремниевых структур включает нанесение защитной пленки на пластину из монокристаллического кремния, формирование из защитной пленки локальной маски в области формирования микропрофиля, анизотропное травление пластины монокристаллического кремния, нанесение защитной пленки, нанесение слоя поликристаллического кремния, анизотропное травление поликристаллического кремния, окисление поликристаллического кремния, травление диоксида кремния со вновь наносимой защитной пленки, травление защитной пленки до поверхности пластины и анизотропное травление в образовавшемся окне пластины монокристаллического кремния. Повторяют поочередно эти процессы необходимое количество раз до получения требуемого микропрофиля с последующим сглаживанием в изотропном или анизотропном травителе или анизотропном и изотропном травителях полученной поверхности. 2 ил.
Изобретение может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Технический результат - получение высокоплотного монтажа при ширине электропроводящих дорожек менее 50 мкм, сокращение технологического цикла. Достигается тем, что в способе изготовления гибкой микропечатной платы предварительно окисляют пластину монокристаллического кремния толщиной 20-100 мкм, диаметром 200-300 мм, <100> ориентации. Затем наносят покрытия. Проводят фотолитографию. Покрывают полученную электронную схему слоем полимера. Проводят растворение пленки двуокиси кремния с последующим отслоением кремниевой пластины. При этом образуется гибкая микропечатная плата на полимерной пленке.

Изобретение относится к изготовлению конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение качества структур. Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур включает нанесение защитной пленки на плоскую пластину из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), нанесение на нее с двух сторон защитного слоя фоторезиста, проведение одно-двухсторонней фотолитографии, вскрытие окон в защитной пленке, повторное нанесение защитной пленки, проведение одно-двухсторонней фотолитографии, вскрытие окон меньшего размера до поверхности пластины, проведение анизотропного травления в образовавшемся окне, стравливание защитной пленки и проведение анизотропного травления. Представлены альтернативные способы изготовления глубокопрофилированных структур. 5 ил.
Изобретение относится к области приборостроения и радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибких печатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления и других изделий. Технический результат - повышение точности позиционирования, идентичность получения элементов двух гибких печатных плат, их дальнейшее совмещение и соединение для получения двухсторонней гибкой печатной платы и сокращение технологического цикла - достигается тем, что в способе изготовления двухсторонней гибкой печатной платы, заключающемся в том, что на металлическую пластину с обеих сторон наносят слой алюминия и далее с обеих сторон наносят металлорезистивное электропроводящее покрытие, проводят фотолитографию с обеих сторон, метки переходных отверстий являются зеркальным отражением обеих сторон, далее стравливают одновременно с обеих сторон алюминиевое покрытие, а затем с обеих сторон отделяют гибкие печатные платы от металлической пластины и соединяют их между собой слоем полимера.

Изобретение относится к технике контроля герметичности микроэлектромеханических и микроэлектронных устройств, для функционирования которых требуется герметичный корпус с внутренней полостью. Сущность: устройство включает камеру экспозиции микроструктур в пробном газе, спектрометр, работающий в ИК-диапазоне, и блок управления позиционированием волноводов. В камере экспозиции размещены два волновода, один из которых используют для подвода ИК-излучения от спектрометра к микроструктуре, а другой - для приема и передачи излучения, прошедшего через микроструктуру, к ИК-спектрометру. Технический результат: измерение количественных характеристик натекания с высокой точностью, автоматическое тестирование микроструктур групповым способом, в том числе микроструктур, герметизированных интегрально «пластина-к-пластине», измерение больших течей в малых объемах, обнаружение скрытых дефектов корпусирования. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к офтальмологии и может быть использовано для проведения микрохирургических операций. Лезвие офтальмохирургическое содержит корпус с основанием из монокристаллического кремния и режущую кромку. Основание корпуса и режущая кромка порыты слоями нитрида кремния толщиной 100-1000 Å и нитрида титана 500-700 Å. Техническим результатом изобретения является повышение прочности, твердости, износостойкости. 1 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов, применяемых при изготовлении микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Задачей, на решение которой направлено изобретение, является упрощение и уменьшение технологического цикла сборки чувствительного элемента микромеханического датчика. В способе сборки чувствительного элемента микромеханического датчика совмещают стеклянную обкладку и кристалл из монокристаллического кремния, устанавливают и зажимают в специальном приспособлении, разогревают, выдерживают при заданной температуре и подают необходимое напряжение. При этом совмещают одновременно две стеклянные обкладки и кристалл из монокристаллического кремния, находящийся между ними, разогревают их до температуры 410°C, выдерживают 1,5 часа, подают напряжение на обе обкладки не меньше, чем на две минуты, отключают напряжение, меняют полярность напряжения, снова подают напряжение и повторяют цикл изменения полярности не менее трех раз. 1 ил.

Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой нанокомпозитную газопоглощающую структуру и способ ее получения, предназначенную для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах. Нанокомпозитная газопоглощающая структура представляет собой кремниевую подложку с центрами кристаллизации на поверхности, на которых выращен слой активного металла или сплава с развитой поверхностью.Технический результат- повышение сорбционной способности высокоразвитой поверхности газопоглощающей структуры. 2 н.п., 7 ил.
Изобретение относится к области приборостроения и радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления и других изделий. Технический результат - получение высокоплотного монтажа при ширине электропроводящих дорожек менее 50 мкм, сокращение технологического цикла - достигается тем, что в способе изготовления гибкой микропечатной платы предварительно окисляют пластину монокристаллического кремния толщиной 20-100 мкм, диаметром 200-300 мм, <100> ориентации, предварительно окисленную до толщины окисла 1-2 мкм, с последующим снятием окисла с одной стороны, а после нанесения покрытий и проведения фотолитографии проводят вытравление кремниевой пластины с двуокисью кремния и последующим отделением полимерной пленки с электропроводящей схемой и металлорезестивным покрытием.

Изобретение может применяться в микромеханических датчиках линейных ускорений. Сущность изобретения заключается в том, что микромеханический акселерометр содержит чувствительный элемент, выполненный из монокристаллического кремния низкой проводимости, внешнюю рамку с закрепленным на ней маятником при помощи упругих торсионов. Внешняя рамка имеет переменную ширину. В узкой ее части сформированы П-образные петли, обращенные наружу. Площадки крепления к стеклянным обкладкам на внешней рамке расположены строго на продольной и поперечных осях чувствительного элемента. В микромеханическом акселерометре используются круглые стеклянные обкладки. Это упрощает сборку и снижает трудоемкость изделия. Технический результат: увеличение точности с одновременным снижением трудоемкости без изменения массогабаритных параметров. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в микромеханических компенсационных акселерометрах. Чувствительный элемент содержит инерционную массу, упругие элементы, катушку обратной связи, проводящие дорожки для электрической связи катушек обратной связи со схемой управления, стеклянные обкладки, внешнюю рамку, с расположенными на ней площадками крепления к стеклянным обкладкам. Упругие элементы расположены по оси симметрии инерционной массы. Один конец которых закреплен с внешней рамкой, другой - с инерционной массой. На одной стороне инерционной массы закреплена катушка обратной связи, другая сторона инерционной массы является пластиной емкостного датчика угла. Магнитопровод с постоянными магнитами и катушками обратной связи образуют магнитную систему акселерометра. Соединение катушек обратной связи со схемой управления осуществляется проводящими дорожками, раположенными над упругими элементами, вдоль оси симметрии инерционной массы и оси крутильных колебаний упругих элементов. Изобретение позволяет повысить точность измерений. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в микромеханических датчиках линейных ускорений

Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой способ получения газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в интегральных гироскопах осциляторного типа

Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в интегральных гироскопах вибрационного типа

Изобретение относится к гироскопическим приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения в качестве индикаторов угловой скорости

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к реакторам для высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки полупроводниковых структур

Изобретение относится к инерциальным приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения, а также индикаторах движения объектов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения нелинейности выходной характеристики акселерометров

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при создании микромеханических акселерометров и гироскопов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных акселерометров

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в микромеханических гироскопах для систем управления подвижных объектов различного назначения

Изобретение относится к кислородному оборудованию члена экипажа самолета

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для контроля качества микромеханических элементов

Изобретение относится к микромеханике и предназначено для измерения частотных характеристик подвижных элементов микромеханических устройств

Изобретение относится к области технологических процессов изготовления микросистемной техники

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к гравиинерциальным микромеханическим приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения, а также в качестве индикаторов движения объектов
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх