Патенты автора Битюцкая Лариса Александровна (RU)

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в наноэлектронике при изготовлении инфракрасных сенсоров. На монокристалл InSb, являющийся наконечником одного из электродов, воздействуют импульсным электрическим полем в двухэлектродной ячейке при нормальных условиях при напряженности электрического поля, равной или более 106 В/см, продолжительности импульсов 10-20 мкс, длительности спада менее 1 мкс и скважности, равной 2. На поверхность второго электрода, покрытого слоем диэлектрика толщиной 20-100 мкм, устанавливают приемник для сбора готовых самоорганизующихся нанотрубок InSb, выполненный из ориентированных кремниевых пластин, ситалловых пластин или токопроводящего скотча. Полученные нанотрубки InSb имеют диаметр 50-100 нм и длину 2-4 мкм. 2 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения нанокомпозитных материалов для создания источников питания, работающих в экстремальных условиях. Способ получения 2D структур карбида кремния заключается в подаче на электрод из монокристаллического карбида кремния высокого импульсного напряжения, при этом монокристалл разрушается с образованием 2D структур, которые осаждаются на поверхность приемника. Отделение слоев от кристалла по плоскости спаянности происходит при воздействии импульсного электрического поля высокой напряженности (свыше 106 В/см) с импульсами продолжительностью 10-20 мкс со скважностью 3-20. Послойное расслоение с поверхности монокристалла карбида кремния происходит при нормальных условиях (298°К, 105Па) на воздухе, поэтому не требуется создание закрытого реактора. Техническим результатом изобретения является получение изолированных 2D монокристаллов карбида кремния толщиной 10-50 нм энергоэффективным и высокопроизводительным способом. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Предложен способ записи и воспроизведения информации. В способе воздействуют на поверхность записываемого слоя образца циркулярно-поляризованным светом, вводимым в волновод ближнепольным сканирующим оптическим микроскопом. В качестве образца используют наноструктурированную пленку силицидов переходных металлов на кремнии. Образец исследуют методом магнитно-силовой микроскопии на пригодность с минимальным разрешением, обеспечивающим отображение наноструктуры образца, причем размер наноструктур не должен превышать 50 нм. Образец должен обладать магнитным откликом и находиться в однодоменном состоянии намагниченности. Поверхность образца прецизионно сближают с оптическим зондом с оптической эффективностью не хуже 10-6 и подвергают воздействию циркулярно-поляризованным излучением с энергией светового воздействия не менее 3 мДж/см2, мощностью непрерывного излучения ~1 мВт. Считывание информации осуществляют с помощью сканирующего зонда микроскопа в режиме магнитно-силовой микроскопии в полуконтактном режиме путем идентификации магнитных свойств наноструктурированной пленки. Техническим результатом является повышение плотности записи информации. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники
Изобретение относится к области охраны окружающей среды, а именно к способу получения сорбента для снижения загазованности рабочей зоны органическими загрязнителями

Изобретение относится к составам на основе минеральных вяжущих и может найти применение в промышленности строительных материалов при изготовлении блочного и монолитного бетона

Изобретение относится к области материаловедения и может быть использовано для получения гальванических фрактальных покрытий, обладающих более высокой твердостью и декоративными свойствами

 


Наверх