Патенты автора Абаньшин Николай Павлович (RU)

Изобретение относится к области техники фотоэлектрических систем преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано для изготовления солнечных активных элементов. Фотовольтаическая 3D-ячейка состоит из подложки, выполненной в виде цилиндра, сечение которого в плоскости, перпендикулярной образующей, является прямоугольником, окружностью или овалом с нанесенной на его внешнюю поверхность пленочной слоистой структурой, состоящей из активного слоя, преобразующего световую энергию в электрическую, выполненного между двух пленочных электродов, выведенных на торцы цилиндра: первого (от подложки) из оптически прозрачного материала с коэффициентом поглощения большим, чем у подложки и меньшим, чем у активного слоя; второго электрода, выполненного из металла, не прозрачного и отражающего для света. Активный слой выполнен на основе одного или послойного сочетания нескольких полупроводников: кремния, германия, арсенида галлия, фосфида индия, при этом отношение длины подложки-цилиндра к меньшему размеру фигуры его сечения равно 2(Kmd)-1, где Km - медианное значение коэффициента поглощения в его спектральном интервале, d - толщина активного слоя. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента полезного действия и уменьшение стоимости приборов с использованием заявленной ячейки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к области биомедицинских диагностических технологий. Технический результат - повышение пространственного разрешения рентгеновских томографов пятого поколения, увеличение скорости пространственного сканирования рентгеновского пучка за счет использования матричного эмиттера и создания долговечного фотоэмиттерного матричного источника электронов для получения динамического пространственно-сканируемого рентгеновского излучения для томографии. Матрица фотокатода представляет собой плоскую поверхность из диэлектрика оксида кремния с прямоугольными элементами матрицы, на каждом из которых сформированы пленочные проводящие электроды из оксида индия-олова, соединенные с периодическими встречно-штыревыми планарными микролезвиями, на которых сформирована проводящая нанопленка алмазоподобного углерода (DLC), в которую внедрены золотые нанозвезды (GNS). В качестве лазерного источника света выбран импульсный полупроводниковый инжекционный лазер либо импульсный волоконный лазер с наносекундной длительностью и с длиной волны, соответствующей максимуму плазмонного резонанса золотых нанозвезд, а в качестве сканера лазерного пучка выбран 2D пространственный сканер. 8 ил.

Изобретение относится к области техники фотоэлектрических систем преобразования световой энергии в электрическую. Фотовольтаическая ячейка выполнена в виде цилиндра с размером образующей L, сечение которого в плоскости, перпендикулярной образующей, является правильной геометрической фигурой с размером в поперечнике D; на внутренней поверхности цилиндра-подложки и его торцах нанесены послойно первый электрод - химическим осаждением металла, создающего примесные акцепторные центры в полупроводниках, из солесодержащего раствора; активный слой толщиной Δ - полупроводник n-тип в виде сплошной пленки, аморфной или поликристаллической, или смеси нано- и микропорошков со средним размером зерен d, осажденных из суспензии с долевым объемным содержанием порошка m; второй электрод - смесь нано- и микропорошков электронного прозрачного для света полупроводника и непрозрачного металла в соотношении (1-δ)/δ, осажденная из суспензии; после нанесения слоистой структуры проводят ее термический отжиг в вакууме или инертной среде с подбором технологических режимов так, чтобы в активном слое образовался p-n-переход за счет диффузии акцепторной примеси из материала первого электрода в полупроводник электронной проводимости; к одному из торцов цилиндра-подложки механически и электрически присоединена диэлектрическая подложка с пленочным электродом - отражателем света. При этом параметры ячейки могут удовлетворять соотношениям D~Δ/m; Δ/d~1-3; L/D~10; δ=0,7. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента полезного действия и уменьшение стоимости технологии изготовления. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 4 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в устройствах и системах визуализации, отображения, хранения и обработки информации. Электрооптическая ячейка содержит две диэлектрические пластины, из которых, по крайней мере, одна прозрачная. На внутренние поверхности диэлектрических пластин нанесены прозрачные токопроводящие слои с выводами для подключения к источнику питания. Между пластинами размещена суспензия на основе неполярной жидкости с частицами, противоположные участки которых имеют разный электрический заряд. Частицы имеют вытянутую форму, при этом разные электрические заряды расположены на участках с противоположных концов частиц. Технический результат заключается в обеспечении высокой скорости переключения между состояниями с различной оптической плотностью, повышение контрастности, надежности и разрешающей способности. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к вакуумной микроэлектронике. Способ создания сверхбыстродействующего вакуумного туннельного фотодиода с наноструктурированным эмиттером включает измерение фототока вакуумного фотодиода, возникающего при облучении непрерывным или импульсным оптическим излучением эмиттера при установке определенного значения ускоряющего напряжения на аноде, при этом облучают планарную поверхность наноструктурированного эмиттера лазерным пучком с длиной волны, выбранной из УФ-, видимого или ИК-диапазона при энергии фотона меньше работы выхода электронов из эмиттера, устанавливают фиксированное значение напряжения на аноде U, не превышающее значение, определяемое из заданного соотношения. Изобретение обеспечивает возможность создания сверхскоростного вакуумного туннельного фотодиода, позволяющего детектировать оптическое излучение микро- и милливаттной мощности в ультрафиолетовой, видимой, ближней и средней инфракрасной областях спектра с временным разрешением, ограниченным диапазоном в сотни фемтосекунд. 6 ил.

Изобретение относится к дисплеям и может быть использовано для создания катодолюминесцентных дисплеев и способа управления ими. Технический результат заключается в увеличении срока службы катодолюминесцентного дисплея. Катодолюминесцентный дисплей 1 содержит первую стеклянную подложку 2 и вторую стеклянную подложку 3, полость 4 между ними заполнена инертным газом низкого давления. На внутренней стороне 5 первой подложки 2 расположены пиксели 6, представляющие собой покрытые люминофором 7 проводящие пиксельные площадки 8 из материала пропускающего свет. Вокруг каждого пикселя 6 размещена проводящая рамка 9. На внутренней стороне 10 второй подложки 3 размещены проводники первой группы 11 и проводники второй группы 12, причем на проводниках первой группы 11 размещены холодные катоды 13, а на проводники второй группы 12 нанесена пористая пленка 14 из материала, обладающего свойством вторичной электронной эмиссии. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение используется для определения усиления локального электростатического поля и работы выхода в нано- или микроструктурных эмиттерах. Сущность изобретения заключается в том, что измеряют темновую зависимость туннельного эмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и определяют значение напряжения V∞, облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком ультрафиолетового или видимого диапазона с фиксированным значением оптической мощности и длины волны λ1, измеряют значение туннельного фотоэмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и фиксируют значение напряжения V∞ λ1, определяют значение работы выхода А и значение усиления локального электростатического поля β в пространственной области облучения эмиттера из данного соотношения или дополнительно облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком на другой длине волны λ2 ультрафиолетового или видимого диапазона с максимальной разницей относительно первой длины волны, определяют значение напряжения V∞λ2 и определяют значение усиления локального электростатического поля в пространственной области облучения эмиттера и значение работы выхода А из данного соотношения. Технический результат: обеспечение возможности определения локального электростатического поля с одновременным определением работы вывода электронов из эмиттера. 4 ил.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к электронным приборам на основе автоэмиссионных катодов, таким как светоизлучающие элементы, дисплеи, высоковольтные разрядные устройства, коммутирующие устройства, СВЧ-приборы. Технический результат - защита эмиттеров от ионной бомбардировки за счет устранения фокусировки ионов на острие эмиттеров, обеспечения перехвата ионов, а также улучшения структуры формируемого потока автоэлектронов. В узле электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом, размещенном внутри вакуумной оболочки, содержащем, по крайней мере, одну ячейку, включающую управляющий электрод с потенциалом UУ, размещенный на диэлектрической пластине, на которой сформированы последовательно слой диэлектрика и слой эмиттер с потенциалом UЭ, образующими многослойную автоэмиссионную структуру, и противолежащую пластину с анодом, имеющим потенциал UА, ячейка содержит дополнительный управляющий электрод с потенциалом UУ1, отделенный от эмиттера слоем диэлектрика, и защитный электрод с потенциалом UЗ, отделенный от дополнительного управляющего электрода слоем диэлектрика, систему концентраторов напряженности электрического поля в виде наноразмерных структур из проводящего и/или диэлектрического материала, расположенных на свободной от слоя диэлектрика поверхности эмиттера, при этом управляющий электрод расположен вне многослойной автоэмиссионной структуры, потенциалы в режиме эмиссии удовлетворяют системе установленных соотношений, а пространство между управляющими электродами и анодами является зоной формирования электронного потока и его транспорта с эмиттеров на аноды. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике и вакуумной микроэлектронике и может быть использовано при создании сверхширокополосных фотодетекторов в ультрафиолетовой, видимой и ИК области спектра для оптической спектроскопии и диагностики, систем оптической связи и визуализации. Cверхширокополосный вакуумный туннельный фотодиод, детектирующий оптическое излучение в УФ, видимой и ИК спектральной области, характеризующийся тем, что форма поверхности фотоэмиттера представляет 3D пространственно наноградиентную структуру с заданным коэффициентом усиления локальной напряженности электростатического поля, расстояние между фотоэмиттером и анодом формируется в микро- или нанометровом диапазоне. Фотодиод создан на основе матрицы диодных ячеек планарно-торцевых автоэмиссионных структур с лезвиями α-углерода. Также предложен способ создания сверхширокополосного вакуумного туннельного фотодиода в УФ, видимой и ИК спектральной области, характеризующийся тем, что поверхность фотоэмиттера, имеющего работу выхода А, создают в виде 3D пространственно наноградиентной структуры с заданным коэффициентом усиления локальной напряженности электростатического поля β, формируют расстояние между фотоэмиттером и анодом в микро- или нанометровом диапазоне, при этом граничная величина напряжения на аноде Umax, соответствующая максимальному туннельному фотоэмиссионному току при детектировании оптического излучения с заданной длиной волны λ, определяется из предложенного соотношения. Изобретение обеспечивает возможность создания сверхширокополосного вакуумного туннельного фотодиода, позволяющего детектировать оптическое излучение в УФ, видимой и ИК спектральной области при использовании одного наноструктурного эмиттера с управляемой, изменением напряженности электростатического поля, «красной» границей фотоэффекта. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к осветительной технике и может быть использовано для освещения, декоративной подсветки и световой сигнализации, в том числе с цветовым кодированием

Изобретение относится к энергосберегающим светотехническим приборам

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к автоэлектронным катодам, и может быть использовано в производстве плоских дисплеев

Изобретение относится к низковольтным средствам отображения информации на основе катодолюминесценции и может быть использовано при разработке устройств для создания экранов цифровых и буквенно-цифровых индикаторов, универсальных панелей для визуализации отображения любой информации - текстовой, знаковой, графической, отсчетных устройств аналоговых и дискретно-аналоговых измерительных приборов, используемых в калькуляторах, часах, индикаторных табло коллективного пользования

Изобретение относится к низковольтным средствам отображения информации на основе катодолюминесценции и может быть использовано при разработке устройств для создания экранов цифровых и буквенно-цифровых индикаторов, универсальных панелей для визуализации отображения любой информации

Изобретение относится к низковольтным средствам отображения информации на основе катодолюминесценции и может быть использовано при разработке устройств для создания экранов цифровых и буквенно-цифровых индикаторов, универсальных панелей для визуализации отображения любой информации - текстовой, знаковой, графической

 


Наверх