Патенты автора Солдатенков Федор Юрьевич (RU)
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую. Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование слоев гетероструктуры на подложке GaAs, нанесение первого омического контакта, нанесение прозрачного покрытия, нанесение слоя металлического отражателя, формирование подложки-носителя GaAs с тыльным и фронтальным омическими контактами, монтаж подложки-носителя и гетероструктуры AlGaAs/GaAs путем формирования соединения AuIn2, удаление подложки GaAs и формирование второго омического контакта. Изобретение обеспечивает возможность изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs с увеличенной эффективностью преобразования электроэнергии в излучение за счет снижения степени деградации гетероструктуры. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2756171
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Фотоэлектрический преобразователь включает подложку, фоточувствительную А3В5 гетероструктуру с широкозонным окном и контактным слоем GaAs р-типа проводимости, антиотражающее покрытие на поверхности широкозонного окна в местах, свободных от фронтального омического контакта, фронтальный омический контакт на поверхности контактного слоя GaAs, содержащий слои Ag и Au, и тыльный омический контакт. Согласно изобретению фронтальный омический контакт содержит последовательно расположенные первый слой сплава никеля и хрома (NiCr) с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (5-25) нм, слой Ag толщиной (500-5000) нм, второй слой сплава NiCr с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (50-100) нм и слой Аu толщиной (30-100) нм. Фотоэлектрический преобразователь согласно изобретению имеет увеличенную электрическую проводимость контактных шин за счет увеличения адгезии контактных слоев и снижения омических потерь путем уменьшения переходного контактного сопротивления. 3 пр.
Изобретение относится к силовой микроэлектронной технике, а более конкретно, к способам изготовления высоковольтных p-i-n структур из соединений А3В5. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии осуществляется путем предварительного отжига раствора-расплава исходной шихты и выращивания в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры AlGaAs, сформированной из композиции последовательных эпитаксиальных слоев AlGaAs на подложке GaAs. В исходную шихту предварительно вводят алюминий в количестве 0,2-0,7 ат.%, а рабочий слаболегированный p0-i-n0 слой формируют путем принудительного охлаждения ростовой системы со скоростью 0,2-2,0°С/мин от температуры 820-880°С до температуры 700-750°С. Полупроводниковая p-i-n структура, выполненная согласно изобретению, позволяет повысить предельную рабочую температуру и получить мягкий характер переключения изготовленных из такой структуры диодов из проводящего в запертое состояние, что обеспечивает снижение амплитуды резких всплесков перенапряжения на выключающемся диоде и препятствует появлению высокочастотных электромагнитных помех. 3 з.п. ф-лы.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПРИБОРУ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ // 2575977
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности арсенида галлия, последовательное напыление слоя из эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, напыление с помощью магнетронного разряда постоянного тока слоя из сплава никеля с ванадием с содержанием ванадия 5-50 мас. % толщиной 5-100 нм и нанесение проводящего слоя, последующее удаление фоторезиста и отжиг контактной структуры. Способ более прост в осуществлении и обеспечивает точное воспроизведение заданных параметров контактных структур приборов на большой площади. 12 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в организме. Способ модификации поверхности пористого кремния включает двухстадийную обработку поверхности пористого кремния. На первой стадии поверхность пористого кремния обрабатывают смесью брома и инертного органического растворителя при комнатной температуре в течение 10-30 минут, промывают поверхность пористого кремния инертным органическим растворителем и сушат до полного удаления инертного органического растворителя. На второй стадии обрабатывают бромированную поверхность пористого кремния дистиллированной водой, в результате чего связанный на поверхности бром замещается гидроксильными группами, промывают обработанную поверхность пористого кремния дистиллированной водой для удаления образовавшейся бромистоводородной кислоты и затем сушат обработанную поверхность пористого кремния. Изобретение позволяет повысить скорость биодеградации пористого кремния, а также сохранить неизменными исходные размеры пор и величину его удельной поверхности. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.
Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим газофазным осаждением при пониженном давлении и последующее текстурирование поверхности слоя ZnO высокочастотным магнетронным травлением в среде рабочего газа с одновременным перемещением электромагнитов магнетрона по площади поверхности слоя ZnO в течение определенных времени и мощности магнетрона. Способ имеет повышенную производительность и позволяет уменьшить себестоимость слоев прозрачных проводящих оксидов за счет уменьшения времени и энергозатрат на их выращивание и модификацию поверхности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) концентрированного солнечного или теплового излучения нагретых тел
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ // 2426194
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (ВАРИАНТЫ) // 2391741
Изобретение относится к микроэлектронике
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГАЗОПРОНИЦАЕМОЙ МЕМБРАНЫ // 2365403
Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в портативных топливных элементах
Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии
