Патенты автора Заддэ Виталий Викторович (RU)

Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей

Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
Изобретение относится к процессам и аппаратам для получения кремния высокой чистоты
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к технологии получения металлического кремния как исходного сырья для получения солнечного кремния

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к металлургии, в частности к получению кремния высокой чистоты для изготовления солнечных элементов

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов
Изобретение относится к металлургии, в частности к получению кремния повышенной чистоты

Изобретение относится к процессам и аппаратам для получения кристаллического кремния повышенной чистоты

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к процессам и аппаратам для получения поликристаллического кремния высокой чистоты
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП), и может быть использовано в производстве возобновляемых источников энергии

Изобретение относится к энергетике, в частности, к способу и устройству бесперебойного электропитания потребителей как подключенных, так и не подключенных к централизованной электросети, например, при организации бесперебойного снабжения электричеством многоквартирных жилых домов

Изобретение относится к химической и электронной промышленности и может использоваться при получении кремния высокой чистоты

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам

Изобретение относится к электротехнике, а именно к инверторам для автономных источников электропитания разнообразного электрооборудования, требующего использования синусоидальной формы переменного тока

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика)

Изобретение относится к гелиоэнергетике

 


Наверх