Патенты автора Головин Сергей Вадимович (RU)

Изобретение относится к многоэлементным и матричным фотоприемникам (МФП) ИК-диапазона на основе теллурида кадмия-ртути, конкретно к технологии изготовления матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути (КРТ) согласно изобретению включает нанесение на поверхность КРТ тонкого эпитаксиального слоя теллурида кадмия, при этом КРТ с нанесенным слоем теллурида кадмия подвергается термообработке в атмосфере инертного газа в квазизамкнутом объеме при условиях, препятствующих деградации свойств КРТ, и при температуре, достаточно высокой для взаимной диффузии КРТ и теллурида кадмия, что приводит к появлению варизонной области, обеспечивающей эффективную пассивацию границы раздела. Изобретение обеспечивает повышение параметров МФЧЭ за счет лучшей пассивации поверхности по сравнению с другими аналогичными покрытиями, а именно повышение дифференциального сопротивления фотодиодов матрицы, понижение темнового тока, увеличение отношения сигнал-шум, а также улучшение воспроизводимости всего технологического процесса изготовления МФЧЭ.

Изобретение относится к технологии изготовления матриц фоточувствительных элементов с p-n-переходами для микрофотоэлектроники инфракрасного диапазона
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы

 


Наверх