Патенты автора Блинов Геннадий Андреевич (RU)
Гибкая прецизионная плата // 2706213
Изобретение направлено на создание высокоплотной межблочной коммутации гибкими печатными платами (шлейфами) для подвижных частей микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - повышение плотности упаковки ячеек и блоков, а также снижение массы соединительных элементов для минимизации занимаемого объема. Достигается тем, что у гибкой печатной платы выводы располагаются в трех направлениях, что позволяет обеспечить плотность размещения блоков на минимальном расстоянии. Конструкция и размещение контактных площадок, предназначенных для монтажа электронных блоков или подключения шлейфа к другим приборам, должны позволить осуществлять прочное высокоплотное межблочное соединение в микроэлектронной аппаратуре. Для этого с нижней стороны контактных площадок вытравливаются технологические области освобождения в полиимиде для монтажа с обеих сторон платы. 2 ил.
МИКРОМОДУЛЬ // 2659726
Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько БИС. Сущность изобретения: микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами. Металлизированные межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности переменного поперечного сечения по длине, с криволинейными контактными площадками на верхней и нижней поверхности гибкой платы, выполнены с уменьшением сечения от контактной площадки на верхней и нижней поверхности к срединной плоскости платы. Техническим результатом изобретения является увеличение плотности монтажа и повышение надежности межслойных соединений малогабаритных микромодулей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области создания малогабаритных многокристальных устройств, изготовленных по гибридной трехмерной технологии. В способе изготовления трехмерного многокристального модуля на гибкой плате формируют симметрично с двух противоположных краев два монтажных выступа с контактными площадками, служащих выводами многокристального модуля. Вдоль этих же краев гибкой платы располагают перпендикулярно центральной части, попарно и соосно, боковые выступы, на которые монтируют микросхемы. Покрывают обе стороны гибкой платы, за исключением контактных площадок, сплошным антикоррозионным материалом. Выполняют трехмерную сборку модуля, последовательно укладывая и приклеивая клеем-герметиком боковые выступы на центральную часть гибкой платы соосно один над другим. Складывают центральную часть гибкой платы, совмещая стороны микросхем, без перекосов частей модуля относительно друг друга, причем монтажные выступы гибкой платы располагают в основании собранного трехмерного многокристального модуля с двух противоположных краев. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и расширение функциональных возможностей трехмерного многокристального модуля, защита гибкой платы от механических и климатических воздействий при изготовлении и эксплуатации модуля, улучшение теплового режима и масштабируемости по количеству и типу используемых микросхем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центральной части пластины пар локальных углублений с плоским дном в местах расположения меза-структур, легировании выделенных областей на обеих сторонах пластины акцепторной и донорной примесями, формировании балочных выводов на противоположных сторонах пластины с областями взаимного перекрытия и получении парных меза-структур приборов. Техническим результатом является повышение процента выхода годных приборов за счет упрощения способа их производства. При этом электротехнические параметры приборов не ухудшаются, а идентичность их повышается. 2 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА // 2523060
Использование: для изготовления СВЧ полевого транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют создание n+-n-i-типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, при этом после формирования n+-n-i-типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n+-n-i-структуры формируется пассивный слабопроводящий слой. Технический результат: обеспечение возможности создания СВЧ полевого транзистора на мм-диапазон длин волн с повышенной выходной мощностью и увеличенным коэффициентом усиления по мощности. 1 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении трехмерного гибридного интегрального модуля, содержащего гибкую плату со смонтированными на ней кристаллами бескорпусных ИС
Изобретение относится к области создания гибких многослойных печатных плат (шлейфов) для монтажа микроэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к области создания малогабаритных надежных микроэлектронных модулей, содержащих большое количество ИС
