Патенты автора Старостин Сергей Петрович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления электрических конденсаторов. Способ изготовления анодов танталового конденсатора включает смешивание безводного танталового порошка и связующего, прессование в заготовки анодов конденсаторов, возгонку связующего, обработку заготовок раствором поверхностно-активного вещества, промывку заготовок обессоленной водой, сушку в вакууме и вакуумное спекание танталовых анодов. В качестве связующего используют раствор камфары или стеариновой кислоты в этиловом спирте. В качестве поверхностно-активного вещества используют водный раствор сульфанола и/или синтанола. После прессования и возгонки проводят обработку заготовок анодов раствором ПАВ, а затем проводят промывку обессоленной водой при повышенной температуре и при перемешивании. Сушку заготовок проводят в вакууме при температуре 150-160°С, остаточном давлении не более 0,15 Па и длительности не менее 20 минут. Обеспечивается получение анодов без дефектов при снижении остаточного содержания углерода. 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу получения покрытий из диоксида марганца на танталовых анодах оксидно-полупроводниковых конденсаторов, и может быть использовано при производстве электролитических конденсаторов. Способ включает многократную циклическую пропитку пористых анодов раствором нитрата марганца с возрастающей от цикла к циклу концентрацией раствора нитрата марганца и последующее пиролитическое разложение нитрата марганца до диоксида марганца, периодическую подформовку анодов после формирования полупроводникового слоя с нанесением кремниево-марганцевой суспензии. Первую и вторую операции пропитки пористых анодов проводят под вакуумом, а пиролитическое разложение раствора нитрата марганца с концентрацией менее 71% проводят без впрыска воды, при этом перед формированием предпоследнего слоя диоксида марганца проводят обработку покрытия диоксида марганца раствором реагентов, содержащим азотную кислоту и перекись водорода. Снижение эквивалентного последовательного сопротивления в конденсаторе с полученным покрытием при высоких частотах и тангенса угла диэлектрических потерь является техническим результатом изобретения. 5 з.п. ф-лы, 3 пр.,1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве конденсаторов. Способ включает подготовку поверхности катодной танталовой обкладки перед нанесением покрытия, нанесение гальванического рутениевого покрытия на поверхность обкладки и анодное оксидирование рутениевого покрытия, при этом подготовку поверхности обкладки проводят методом центрифугирования или электрофорезом для нанесения неагломерированного танталового порошка с удельным зарядом до 150000 мкКл/г и средней фракцией 2,5 мкм и последующим вакуумным спеканием при остаточном давлении 10-5 мм рт.ст., температуре 1050°С в течение 1 часа, а после окончания спекания осуществляют гальваническое нанесение рутениевого покрытия толщиной 2,0-4,0 мкм из электролита, содержащего, г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) 5-10; NH2SO3H 30 и воду деионизованную или дистиллированную до 1 л, при температуре 60±10°С, напряжении 3 В, катодной плотности тока 2-6 А/дм2, количестве циклов 4-5 и времени одного цикла 10-15 мин, а анодное оксидирование проводят в 38%-ном растворе серной кислоты. Технический результат: повышение удельной емкости и надежности конденсаторов при работе в режиме перезарядки в широком диапазоне температур до 125°С, снижение тока утечки и тангенса угла потерь. 1 з.п. ф-лы, 8 табл., 5 пр.

Изобретение относится к способу изготовления катодной обкладки, представляющей собой танталовую плоскую пластину или танталовый корпус конденсатора, с оксидированным рутениевым покрытием для танталового объемно-пористого конденсатора. Способ включает в себя подготовку поверхности катодной обкладки перед нанесением покрытия, заключающуюся в пескоструйной обработке как плоской пластины, так и внутренней поверхности корпуса конденсатора или получении на внутренней поверхности корпуса конденсатора подслоя танталового порошка путем нанесения спиртовой суспензии танталового порошка с последующим спеканием в вакууме, травление в растворе азотной кислоты с последующей промывкой дистиллированной водой и нанесение на подготовленную поверхность рутениевого покрытия. При этом пескоструйную обработку проводят с помощью порошка оксида алюминия или карбида кремния с крупностью частиц от 20 до 100 мкм при давлении воздуха 1,5-3,0 ат. Травление в растворе азотной кислоты производят в присутствии плавиковой кислоты или фторида аммония в количестве 10-20 мас.% при температуре 25-30°C в течение 20-60 с. Нанесение рутениевого покрытия с толщиной 0,5-5,0 мкм проводят из электролита, содержащего 2-20 г/л рутения в виде аммонийных солей биядерного нитридоаквахлоридного комплекса, например, с формулой (NH4)3[Ru2(µ-N)(H2O)2Cl8], 5-20 г/л серной кислоты, 10-20 г/л сульфамата аммония, в условиях перемешивания электролита при катодной плотности тока 1,0-10,0 А/дм2, температуре 40-60°C. Затем полученное металлическое рутениевое покрытие подвергают электрохимическому анодному оксидированию в растворе 35-40%-ной серной, фосфорной, азотной или щавелевой кислоты с выдержкой под анодным потенциалом при напряжении 10-100 В и силе тока 100-500 мА в течение 5-20 мин. Технический результат заключается в увеличении удельной емкости танталовых объемно-пористых электролитических конденсаторов и достижении устойчивой работы при эксплуатации в широком диапазоне температур. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 8 табл.

Изобретение относится к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов и способам их изготовления
Изобретение относится к технологии изготовления объемно-пористых анодов (ОПА)
Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству конденсаторов

 


Наверх