Патенты автора Туев Василий Иванович (RU)
СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ // 2723967
Изобретение относится к полупроводниковым источникам оптического излучения на основе светодиодных нитей - филаментов, изготавливаемых из светодиодных гетероструктур. Заявленный светодиодный источник излучения содержит колбу, заполненную газом, имеющим низкий коэффициент вязкости и высокий коэффициент теплопроводности, в которой размещен держатель со штенгелем и стойкой сердечника, на которой закреплена объемная излучающая свет конструкция из светодиодных нитей, цоколь и устройство питания, электрически соединенное по переменному току с цоколем, а положительным и отрицательным электродами со светодиодными нитями. Внутренняя поверхность колбы покрыта оптически прозрачным электропроводящим материалом. Дополнительно введен источник свободных электронов, температурно сопряженный со светодиодными нитями, причем оптически прозрачный электропроводящий материал электрически соединен с положительным электродом устройства питания, а источник свободных электронов - с отрицательным. Технический результат - повышение эффективности охлаждения источника излучения в процессе его работы. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InxGa1-xN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с нанесенными на ней последовательно буферным слоем, выполненным из нелегированного GaN, n-эмиттерным слоем, выполненным в виде слоя GaN, легированного кремнием, и р-эмиттерным слоем GaN, легированным магнием, активная область, расположенная между n-эмиттерным и р-эмиттерным слоями, состоит из нескольких квантовых ям с комбинированным профилем, полученным наложением двух и более квантовых ям прямоугольного профиля, геометрические центры которых совмещены и находятся на осевой линии квантовой ямы комбинированного профиля. Каждая квантовая яма с комбинированным профилем получена последовательным нанесением n слоев, InxGa1-xN, образующих последовательность вида члены которой отличаются друг от друга процентным содержанием индия в соседних слоях: х1,х2,…,xn,…,х2,х1, так что xi=x1qi-1, где i=2,…,n и q>1, а также тем, что толщина каждой последующей ямы ak, где k=2,…,n, увеличивается по сравнению с толщиной предыдущей ямы ak-1 на постоянную величину р>1, являющуюся множителем геометрической прогрессии ak=ak-1⋅p, и имеет высоту, обеспечивающую размещение в ней только двух уровней размерного квантования. Каждая квантовая яма комбинированного профиля отделена от других ям комбинированного профиля барьерным слоем на основе GaN. Техническим результатом изобретения является увеличение интенсивности излучения, генерируемого светодиодной гетероструктурой. Увеличение интенсивности излучения при заданном значении полного тока через гетероструктуру, представляющего собой сумму тока инжекции в ямы и сквозного тока, происходит за счет увеличения тока неравновесных носителей заряда, захватываемых квантовой ямой и рекомбинирующих в ней, при одновременном уменьшении тока, создаваемого носителями, которые протекают через светодиод, не взаимодействуя с квантовыми ямами вообще, или захватываемыми ямами, но впоследствии эмитируемыми в барьерные слои гетероструктуры без их излучательной рекомбинации. 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, в частности к фазовращателям. Секция дискретного фазовращателя с цифровым управлением содержит входной направленный ответвитель со слабой связью, вход которого является входом устройства, выходной направленный ответвитель со слабой связью, выход которого является выходом устройства, ослабитель с цифровым управлением, выход которого соединен со связанным входом вторичной линии выходного направленного ответвителя, первый и второй отрезки передающих линий, третью и четвертую замкнутые на конце четвертьволновые связанные передающие линии. Вход первого отрезка передающей линии подключен к выходу первичной линии входного направленного ответвителя. Вход второго отрезка передающей линии подключен к выходу первого отрезка передающей линии. Развязанный выход входного направленного ответвителя и развязанный выход выходного направленного ответвителя нагружены согласованными балластными нагрузками. Выход второго отрезка передающей линии подключен к входу первичной линии выходного направленного ответвителя, вход третьей замкнутой на конце связанной передающей линии подключен к связанному выходу вторичной линии входного направленного ответвителя, выход связанного плеча четвертой связанной линии соединен с входом ослабителя с цифровым управлением. Суммарная длина последовательно соединенных двух первичных линий входного и выходного направленных ответвителей, первого и второго отрезков передающих линий, области связи третьей и четвертой связанных линий и величина связи третьей и четвертой связанных линий определяются их соотношениями в каналах фазовращателя Шиффмана для случая максимальной широкополосности при значении относительного сдвига фазы в двух каналах, равном 90 градусов. Технический результат заключается в уменьшении вносимых потерь при снижении потребляемой от источника питания мощности, минимальном шаге дискретной перестройки фазы, минимальной паразитной амплитудной модуляции, при увеличенном значении мощности входного сигнала. 1 ил.
Изобретение относится к светотехнике, в частности к электронным устройствам включения в сеть переменного тока световых приборов, в которых в качестве источников света использованы группы светоизлучающих полупроводниковых светодиодов (СИД). Известные светодиодные приборы такого рода имеют высокий коэффициент пульсаций светового потока, что оказывает отрицательное влияние на общую и зрительную работоспособность. Сущность изобретения заключается в том, что в схему подключения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока, содержащую n (n=2, 3, …) последовательно соединенных СИД, диодный выпрямитель, положительной выход которого подключен к аноду первого СИД, первый резистор, одним выводом подключенный к отрицательной выходной клемме диодного выпрямителя, введены n управляемых нормально разомкнутых ключей и n-1 управляемых ключей, работающих на переключение, резисторный делитель напряжения из последовательного соединенных двух резисторов, включенный параллельно выходу диодного выпрямителя, и контроллер с процессором и двумя АЦП. Предлагаемая схема имеет на 42% меньшее значение коэффициента пульсации и не оказывает влияния на общую и зрительную работоспособность. 2 ил.
ДИСКРЕТНЫЙ АТТЕНЮАТОР СВЧ // 2631021
Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам. Дискретный аттенюатор СВЧ содержит входной и выходной трехдецибельные направленные ответвители, две согласованные нагрузки, подключенные к балластным выходам входного и выходного направленных ответвителей, ослабитель с цифровым управлением и отрезок полосковой линии. Один из рабочих выходов входного направленного ответвителя подключен к входу ослабителя с цифровым управлением, другой рабочий выход входного направленного ответвителя соединен с одним из выводов отрезка полосковой линии. Выход ослабителя с цифровым управлением соединен с одним, а другой вывод отрезка полосковой линии - с другими рабочими входами выходного направленного ответвителя. Вход входного направленного ответвителя является входом, а выход выходного направленного ответвителя - выходом устройства. Устройство выполнено с возможностью разделения сигналов на два канала, в одном из которых включен ослабитель с цифровым управлением, а в другом - фазокомпенсирующий отрезок передающей линии, с последующим векторным суммированием сигналов. Технический результат - уменьшение вносимых дискретным аттенюатором СВЧ прямых потерь, уменьшение значения дискретного уровня ослабления и уменьшение результирующего изменения фазы сигнала СВЧ в диапазоне вносимого ослабления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно - к электролюминесцентным устройствам на основе органических светоизлучающих диодов. Высоковольтное органическое люминесцентное устройство с пакетом слоев для излучения света содержит материал-основу с верхней и нижней сторонами в качестве подложки и электропроводящий слой на верхней стороне материала-основы, причем последний содержит первую область, которая выполнена с возможностью обеспечения прямого электрического контакта с верхним электродом, и вторую область в качестве нижнего электрода, которая электрически изолирована от первой области, пакет органических слоев, нанесенный на вторую область и предназначенный для излучения света, верхний электрод на верхней части пакета органических слоев и защитный элемент, закрывающий, по меньшей мере, верхний электрод и пакет органических слоев, причем первая область контактирует с отрицательным электродом, который является отрицательной клеммой устройства. Электропроводящий слой на верхней стороне материала-основы содержит, по меньшей мере, дополнительную третью область в качестве нижнего электрода, которая электрически изолирована от первой и второй областей. Дополнительно введены, по меньшей мере, второй пакет органических слоев, нанесенный на третью область и предназначенный для излучения света, по меньшей мере, второй верхний электрод на верхней части второго пакета органических слоев, причем вторая область электропроводящего слоя выполнена с возможностью обеспечения прямого электрического контакта со вторым верхним электродом. Дополнительно введены, по меньшей мере, два стабилитрона, электрически включенных последовательно согласно, анод первого из них подключен к первой области электропроводящего слоя на верхней стороне материала-основы, катод первого и анод, по меньшей мере, второго стабилитрона вместе соединены со второй областью, а катод, по меньшей мере, второго стабилитрона соединен с дополнительной, по меньшей мере, третьей областью. По меньшей мере, третья область контактирует с положительным электродом, который является положительной клеммой устройства, а электропроводящий слой на верхней стороне материала-основы и материал-основа являются, по меньшей мере, частично прозрачными для длин волн излучаемого света. Изобретение обеспечивает повышение надежности органического электролюминесцентного устройства с использованием источника питания постоянного тока при высоких потенциалах напряжения. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
ТОКОПРОВОДЯЩАЯ КЛЕЕВАЯ КОМПОЗИЦИЯ // 2612717
Изобретение относится к токопроводящим полимерным композиционным материалам, а также к клеям и пастам, изготовленным из них. Композиция содержит пластификатор, металлосодержащие компоненты наноразмерных порошков никеля и кобальта, покрытых углеродными нанотрубками. Токопроводящая клеевая композиция на основе органического связующего и нано- и микропорошка серебра дополнительно содержит глицерин и/или дибутилфталат, наноразмерные порошки никеля и кобальта, покрытые углеродными нанотрубками с заданным соотношением компонентов, с последующим механохимическим смешением с одновременной ультразвуковой обработкой, способствующей деагломерированию частиц наполнителей. Изобретение позволяет уменьшить температуру спекания материала, увеличить значение теплопроводности, уменьшить значение удельного объемного электрического сопротивления. 2 табл., 1 пр.
Использование: для подключения светового прибора в сеть переменного тока. Сущность изобретения заключается в том, что схема включения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока содержит n (n=2, 3, …) последовательно соединенных СИД, диодный выпрямитель, положительный выход которого подключен к аноду первого СИД, первый резистор, одним выводом подключенный к отрицательной выходной клемме диодного выпрямителя, при этом в схему введены n управляемых ключей, причем первый ключ подключен параллельно второму СИД, второй ключ подключен параллельно третьему СИД, …, n-1 ключ - параллельно n-му СИД, первый вывод n-го ключа подключен к катоду n-го СИД, а второй вывод - ко второму выводу первого резистора, контроллер с процессором и двумя АЦП, резисторный делитель напряжения из последовательно соединенных второго и третьего резисторов, включенный параллельно выходу диодного выпрямителя, дифференциальные входы первого АЦП подключены к первому резистору, дифференциальные входы второго АЦП подключены к третьему резистору, а n выходов процессора подключены соответственно к управляющим входам первого, второго, …, n-го управляемых ключей. Технический результат: обеспечение возможности увеличения светового потока, уменьшения эмиссии гармоник в электрическую сеть и увеличения значения коэффициента мощности устройства. 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения составляющих внутреннего сопротивления химических источников тока (ХИТ)
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам измерения полных входных сопротивлений низкочастотных и высокочастотных электрических цепей и к устройствам для их осуществления
