Патенты автора Трунина Ольга Евгеньевна (RU)

Изобретение относится к технологии, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин, и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В способе легирования полупроводниковых пластин к подложке подводят электрод, содержащий легирующий материал, и обрабатывают электрическими импульсами с большой плотностью энергии. В месте контакта электрода материал подложки локально проплавляется и происходит легирование полупроводника материалом электрода. Время обработки материала не превышает нескольких микросекунд. Техническим результатом изобретения является низкая себестоимость, высокая производительность и получение резкой границы диффузионной зоны.

Изобретение относится к металлургии, химической технологии, получению металлов высокой чистоты, преимущественно кремния, устройствам для очистки жидких металлов электропереносом в поперечном магнитном поле

 


Наверх