Патенты автора Швец Василий Александрович (RU)

Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа А2В6 на основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой области спектра. Перед измерениями, проводимыми в отношении структуры, профиль которой получают, посредством эллипсометрии определяют скорость роста структуры. При осуществлении измерений, проводимых в отношении структуры, профиль которой получают, задают, исходя из скорости роста, временной интервал измерений, при котором толщина слоя, выросшего в течение временного интервала между j-м и (j+1)-м измерениями, при постоянстве его состава и оптических свойств равна значению от 0,2 до 1,5 нм, включая указанные значения. Затем проводят с погрешностью не более 0,01° и при угле падения света ϕ со значением в диапазоне от 65 до 70° измерения эллипсометрических параметров Ψj и Δj, фиксируя время измерения tj. После измерений, в результате которых получают массив данных {tj, Ψj, Δj}, где j=1, 2, … m - порядковый номер выполненного измерения, m - полное число измерений, используя результаты определения скорости роста и измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ в процессе роста, осуществляют прямой расчет оптических постоянных слоев, сформированных на протяжении временных интервалов между каждыми двумя последовательными измерениями. Прямым образом вычисляют состав каждого слоя между двумя указанными измерениями, определяют координаты слоев и получают профиль распределения состава по толщине структуры. В результате обеспечивается: повышение точности определения профиля распределения состава - молярной компоненты твердого раствора x, меняющейся от 0 до 1, по толщине формируемой структуры, вплоть до достижения пространственного разрешения нанометрового масштаба, как по толщине, так и по составу, непосредственно в процессе роста; достижение возможности получения профиля распределения состава по толщине с любого момента в процессе формирования структуры. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.

Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава

Изобретение относится к технике, предназначенной для оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано для исследования динамики оптических свойств при быстропротекающих высокотемпературных процессах, а также при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и слоев тонких пленок при их высокотемпературных обработках

Изобретение относится к технике, предназначенной для оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и слоев тонких пленок

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и слоев тонких пленок

 


Наверх