Патенты автора Сопов Олег Вениаминович (RU)

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов
Изобретение относится к области обработки твердотельных материалов, а именно к области соединения плоских элементов, и может быть использовано для соединения немачиваемых припоем диэлектрических материалов
Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов

 


Наверх