Патенты автора Замотин Александр Германович (RU)
Установка для очистки галогенидных солей // 2696474
Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для получения особо чистых галогенидных солей методом зонной перекристаллизации, применяемых, в частности, при пирохимической переработке ядерного топлива, химическом и электрохимическом синтезе элементов и соединений в получаемых солях. Установка содержит узел зонной перекристаллизации соли 1; систему подачи инертного газа, включающую блок подачи и очистки инертного газа 14, форвакуумный насос 15 и стационарную печь 16 перчаточного бокса 7; оборудование для осуществления вспомогательных действий с очищаемой солью, помещенное в перчаточный бокс 7 с инертным газом и содержащее измельчитель солей 8, весы аналитические 9, контейнер для хранения солей 10, нишу для хранения солей 11, реторту для сушки и переплавки солей; при этом узел зонной перекристаллизации соли 1 содержит контейнер с очищаемой солью 2, помещенный в кварцевую трубу 3, торцевые крышки 4 для герметизации контейнера 2, нагреватель 5, оснащенный устройством 6 для его перемещения вдоль кварцевой трубы 3, а перчаточный бокс 7 оснащен шлюзом 13, причем перчаточный бокс 7 и шлюз 13 выполнены с возможностью размещения в каждом из них узла перекристаллизации 1 и соединены между собой, а также с системой подачи инертного газа таким образом, что имеют единое газовое пространство. Технический результат заключается в минимизации контакта очищаемой соли с отличной от инертного газа атмосферой для всех операций очистки галогенидной соли, включая загрузку исходной соли в контейнер с очищаемой солью и выгрузку очищенной соли. 1 ил.
Изобретение относится к устройствам преобразования энергии электромагнитного излучения в электричество, в частности фотопреобразователям солнечного излучения на основе органических полупроводников. Согласно изобретению формируют гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пять слоев неорганических и органических полупроводников, и в котором первый, обращенный к источнику света, слой выполнен из оксида цинка с дырочной проводимостью, второй по порядку слой выполнен из политиофена с дырочной проводимостью, легированного неорганическими отрицательными ионами, третий слой выполнен из поли-3,4,-этилендиокситиофена с дырочной проводимостью, легированного неорганическими отрицательными ионами, четвертый слой выполнен из полимерного композита, содержащего поли-3,4,-этилендиокситиофен, перфторированный сульфокатионит и легированный неорганическими отрицательными ионами, пятый слой выполнен из оксида цинка с электронной проводимостью. Изобретение обеспечивает увеличение коэффициента преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию. 2 ил.
Изобретение относится к лазерному спектральному анализу
