Патенты автора Олешко Владимир Иванович (RU)
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для визуализации электрических микронеоднородностей технологического происхождения: дислокаций, пор, преципитатов и т.д. в полупроводниковых гетероструктурах с произвольным дизайном активной области, выращенных на подложках Al2O3. В способе диагностики электрических микронеоднородностей в полупроводниковых гетероструктурах на основе InGaN/GaN подложку Al2O3 вместе с гетероструктурой и нанесенной на ее поверхность заземленной алюминиевой фольгой облучают электронным пучком с плотностью энергии от 0,1 до 0,8 Дж/см2 и скоростью нарастания напряженности электрического поля в гетероструктуре не ниже 5⋅1013 В/см⋅с. Определяют пороговую плотность энергии, выше которой в гетероструктуре возникают электрические разряды и связанные с ними микроразрушения. Микроразрушения регистрируют с помощью оптического микроскопа после многоимпульсного облучения дозой не менее 6⋅10-6 Кл/см2. Визуально судят о размерах и пространственном распределении электрических микронеоднородностей в гетероструктуре. Способ позволяет проводить диагностику в атмосферном воздухе без использования сложного и дорогостоящего оборудования на подложках с произвольным дизайном активной области. 4 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс. Энергию электронов обеспечивают преимущественно 18 кэВ и выше. Технический результат заключается в уменьшении влияния неоднородности ионизационных потерь и в устранении деградации активных слоев ППСГ при измерениях. 2 ил.
Изобретение относится к геологоразведочным работам, в частности к геохимическим поискам залежей нефти и газа
