Патенты автора Жарких Александр Петрович (RU)

Изобретение относится к области испытаний изделий электронной техники и может быть использовано для оценки качества и надежности изделий микро- и наноэлектроники, применяемых в аппаратуре с длительными сроками эксплуатации
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем оперативно запоминающих устройств (ИС ОЗУ), а также для причин их отказов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя, позволяющих после их вскрытия с сохранением контактов воздействовать на открытый кристалл потоком ионов, образующихся при коронном разряде

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов, интегральных схем), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения

 


Наверх