Патенты автора Пушин Владимир Григорьевич (RU)
Способ получения тепла для обогрева зданий и сооружений включает перекачку теплоносителя под давлением, исключающим появление кавитации в потоке теплоносителя, в нагревательном устройстве. Устройство содержит генератор тепловой энергии, систему передачи тепла потребителю, связанные между собой в замкнутый контур посредством подающего и обратного трубопроводов, расположенный в данном контуре хотя бы один циркуляционный насос и установленный с прямым и обратным трубопроводами хотя бы один трубопровод рециркуляции, при этом упомянутый хотя бы один трубопровод рециркуляции содержит хотя бы один элемент, содержащий конфузор, диффузор и выполненную между диффузором и конфузором хотя бы одну кольцевую канавку. Внешняя часть элемента выполнена из ферромагнитного материала, а внутренняя часть элемента в месте расположения кольцевых канавок выполнена из коррозионностойкого материала, обладающего возможностью прямого и обратного мартенситного фазовых переходов. Внутренняя часть элемента вне кольцевых канавок, конфузора, диффузора выполнена из парамагнитного материала, при этом кольцевая канавка выполнена в кольцевом элементе. Техническим результатом является повышение эффективности получения тепла за счет стабилизации магнитных потоков в требуемом направлении, что исключает появление противодействующих потоку жидкости вихревых токов. 3 н. и 39 з.п. ф-лы, 11 ил.
Использование: для исследования нанотонких пространственных диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование нанотонких ПДС в нанотонких аморфных пленках при их одностороннем нагреве, исследование нанотонких ПДС электронно-микроскопическим и микродифракционным методами с получением их электронно-микроскопических изображений и микроэлектронограмм, определение с помощью метода светлого и темного поля индексов плоскостей, обуславливающих появление соответствующих изгибных контуров на электронно-микроскопических изображениях нанотонких ПДС, и определение с помощью метода изгибных контуров параметров изгиба и ориентировки нанотонких ПДС, а также углов поворота решетки нанотонких ПДС и направлений ротационного искривления решетки, построение двумерного геометрического объекта - поверхности искривления решетки нанотонких ПДС для выбранного кристаллографического направления, отличается тем, что построенную поверхность искривления решетки нанотонкой ПДС принимают за нейтральную поверхность нанотонкой ПДС путем сравнительного анализа нейтральной поверхности нанотонкой ПДС и нейтральных поверхностей тонких пластинок, соответствующей геометрической формы, служащих в качестве эталонов, выявляют области максимального напряжения, возникающие в нанотонкой ПДС, и используют эту информацию об особенностях изгиба нейтральной поверхности нанотонкой ПДС для исследования и предсказания физических свойств и физических процессов в нанотонких пространственных диссипативных структурах, в том числе о формировании и развитии межблочных границ в нанотонких ПДС. Технический результат: обеспечение возможности исследования зарождения и развития межблочных границ кручения в нанотонких пространственных диссипативных структурах с упругим ротационным искривлением решетки. 3 ил.
Использование: для диагностики реальной структуры нанотонких кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур включает электронно-микроскопические, микродифракционные исследования, выявление последовательности пространственных структур путем анализа картин изгибных контуров, присутствующих на их электронно-микроскопических изображениях, выполнение расчетов с использованием стандартных кристаллографических формул для определения значений параметров, характеризующих сложность организации их решетки, определение геометрии решетки путем анализа поверхностей искривления решетки, затем определение кооперативных движений структурных единиц, обусловливающих сложность организации решетки, анализируя вращения обратной решетки, и расчетным путем энтропии n-й − Sn и энтропии (n + 1)-й − Sn+1 пространственных диссипативных структур и установление их соотношения. Технический результат: обеспечение возможности надежно и достоверно диагностировать эволюцию нанотонких пространственных диссипативных структур, сформировавшихся в аморфной пленке при ее одностороннем нагреве. 9 ил., 1 табл.
Способ получения диссипативных структур // 2637396
Использование: для получения диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки включает нагревание и последующее охлаждение, где предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродного стержня, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника селена порошкообразного селена, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 K в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе. Технический результат: обеспечение возможности получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, содержащей кристаллы уменьшенного размера, максимальный размер которых не превышает 10 мкм. 3 табл., 7 ил.
Использование: для диагностики римановой кривизны решетки нанотонких кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что способ диагностики римановой кривизны решетки нанотонких кристаллов включает получение электронно-микроскопического изображения нанотонкого кристалла в светлом поле, получение микроэлектронограммы от кристалла, микродифракционное исследование нанотонкого кристалла, анализ ротационного искривления решетки нанотонкого кристалла, при этом на электронно-микроскопическом изображении нанотонкого кристалла выбирают физическую точку M и двумерное направление, для этого выбирают пару - нелинейный изгибной экстинкционный контур и соответствующий ему рефлекс на микроэлектронограмме, испытывающий азимутальное размытие; проводят диагностику римановой геометрии решетки нанотонкого кристалла в данной точке M и данном двумерном направлении, задаваемом бивектором (а, b) - парой неколлинеарных векторов, исходящих из одной точки, совпадающей с центром микроэлектронограммы, полученной от нанотонкого кристалла, расположенных в плоскости микроэлектронограммы, где вектор b соответствует размытому рефлексу, путем совместного анализа пары - нелинейного изгибного экстинкционного контура, присутствующего на электронно-микроскопическом изображении кристалла в темном поле, и соответствующего ему рефлекса на микроэлектронограмме от кристалла, для установления непрерывности азимутального размытия рефлекса и непрерывности соответствующего ему изгибного контура, затем проводят диагностику римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла путем определения численного значения римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла в данной точке М и данном двумерном направлении, задаваемом бивектором (а, b), по определенной формуле. Технический результат: обеспечение возможности надежного, точного и экспрессного способа диагностики римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла. 6 ил., 4 табл.
Способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов включает получение электронно-микроскопического изображения нанотонкого кристалла в светлом и темном поле, получение электронограммы от кристалла, микродифракционное исследование, анализ картины изгибных экстинкционных контуров, присутствующих на электронно-микроскопическом изображении кристалла, расчет углов поворота решетки кристалла вокруг [001]. Заявленный способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонкого кристалла позволяет на основании экспериментальных данных, полученных при исследовании реальной структуры нанотонкого кристалла, построить двумерный геометрический объект - поверхность искривления решетки для выбранного кристаллографического направления. Простота и наглядность заявляемого способа позволяют визуализировать ротационное искривление решетки нанотонкого кристалла и визуализировать изменение геометрии решетки нанотонких кристаллов от евклидовой к римановой. 10 ил., 4 табл.
Использование: для диагностики реальной структуры кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют электронно-микроскопическое и микродифракционное исследования кристалла, при этом в случае присутствия на электронно-микроскопическом изображении исследуемого нанотонкого кристалла картин изгибных экстинкционных контуров проводят анализ симметрии картин контуров и при выявлении элементов симметрии, отличных от тождественного преобразования, по результатам микродифракционного исследования диагностируют реальную структуру одного из симметрично равных участков нанотонкого кристалла, а затем диагностируют реальную структуру другого как симметрично равную реальной структуре исследованного участка, после чего диагностируют реальную структуру нанотонкого кристалла в целом. Технический результат: обеспечение возможности повышения экспрессности диагностики реальной структуры нанотонких кристаллов. 7 ил., 5 табл.
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТИТАНА // 2503741
Изобретение относится к области металлургии, а именно к механико-термической обработке металлов и сплавов, и может быть использовано в машиностроительной, авиационной и других областях промышленности, а также в медицинской технике. Способ модификации поверхности титана оксидированием включает нагрев в воздушной среде, изотермическую выдержку и последующее охлаждение образцов на воздухе до комнатной температуры. Перед нагревом осуществляют деформирование поверхности образцов титана в условиях сухого трения скольжения с использованием цилиндрического индентора, а последующий нагрев деформированных образцов производят до температуры 450-650°С. Повышается прочность и износостойкость титана за счет создания в его поверхностном слое нанокристаллической двухфазной (α-титан+ТiO2) структуры. 2 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области электронно-микроскопического исследования нанотонких кристаллов
Изобретение относится к области получения нанокристаллов неорганических материалов и нанокристаллических покрытий на их основе, а именно относится к области получения нанокристаллов фторида лития или фторида натрия и нанокристаллических покрытий на их основе на подложках из различных материалов: неорганических (включая металлические, полупроводниковые, диэлектрические, керамические или стеклянные материалы) или органических материалов
Изобретение относится к области механики, в частности к технике устройств на основе материалов с эффектом памяти формы, и может найти применение в радиоэлектронике, машиностроении, микромеханике, медицине
