Патенты автора Царик Константин Анатольевич (RU)
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ предназначен для изготовления гетероэпитаксиальных слоев соединений нитридов металлов III группы (III-N), таких как AlN, GaN, AlGaN и других, на монокристаллических подложках кремния. Соединения III-N используют для создания полупроводниковых приборов силовой и СВЧ электроники. Способ заключается в первоначальном формировании сплошного монокристаллического слоя карбида кремния кубического политипа (3C-SiC) толщиной не более его критической толщины на поверхности кремниевой подложки. На поверхности 3С-SiC наращивают первый слой нитрида алюминия при температуре не более 1000°С и второй слой нитрида алюминия при температуре не более 1250°С. После этого формируют сверхрешетку состава AlN/AlxGa1-xN (0,5≥Х≥0,3) с толщиной чередующихся слоев 10-15 нм при общей толщине не менее 200 нм. Создают многослойную буферную композицию состава AlxGa1-xN, где X уменьшается от 0,3 до 0 по мере роста структуры. В заключение наращивают монокристаллический слой нитрида галлия (GaN) гексагональной ориентации. Изобретения обеспечивает повышение структурного качества и уменьшение механических напряжений гетероэпитаксиальных слоев III-N соединений на монокристаллическом кремнии. 1 пр., 3 ил.
СПОСОБ ГАЗОФАЗНОЙ КАРБИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОРИЕНТАЦИИ (111), (100) // 2578104
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, на основе гетеропереходов. Изобретение позволяет упростить технологию получения тонких пленок поликристаллического карбида кремния на монокристаллическом кремнии путем газофазной карбидизации монокристаллического кремния, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии и малого рассогласования кристаллических решеток. Способ газофазной карбидизации поверхности монокристаллического кремния включает нагрев подложки за счет теплопередачи от бесконтактного нагреваемого столика, в качестве источника кремния используется сама подложка, в качестве источника углерода используется бытовая смесь пропан-бутана в соотношении 1:1000-1:10000 в присутствии смеси аргон-водорода, содержащей 10-50% водорода, нагрев поверхности подложки осуществляется до температур 1350-1405°C с использованием термотренировки до 50°C от заданной температуры, со скоростями охлаждения менее 20°C/мин, в расширенном диапазоне давлений в реакторе 5-1100 мбар, или в качестве источника углерода используются газообразные углеводороды CH4, C2H6, C6H8. 1 ил.
Изобретение относится к устройствам точного позиционирования образца в сверхвысоком вакууме при помощи пьезоэлектрических двигателей и системы емкостных датчиков в установках с фокусированным ионным или электронным пучком, в которых формируются наноэлементы
Изобретение относится к способам формирования наномикросистем, содержащих углеродные нанотрубки
