Патенты автора Красюков Антон Юрьевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Магнитотранзистор отличается геометрией областей сильнолегированных контактов к базе и напряжением смещения на этих контактах, при котором на части областей коллекторов проходит втекающий ток от эмиттера, а на другой части вытекающий ток в сторону контакта к базе. Эти токи компенсируют ток коллекторов в исходном состоянии, что повышает отношение тока коллекторов в магнитном поле к току коллекторов без магнитного поля и таким образом повышает чувствительность по току коллекторов. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 6 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу воздействий

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу ударов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым биполярным приборам, предназначенным для выпрямления, усиления, переключения или генерирования электрических сигналов и имеющим структуру типа тиристора

 


Наверх