Патенты автора Окс Ефим Михайлович (RU)
Плазменный эмиттер импульсного форвакуумного источника электронов на основе дугового разряда // 2759425
Устройство относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств, а также использовано в электроннолучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии. Технический результат - увеличение площади теплового рассеяния, уменьшение теплопередачи от наиболее нагретой части катодного узла к капролоновому изолятору, повышение надежности работы эмиттера. В плазменный эмиттер введен составной катодный узел, состоящий из разделенного токоввода, имеющего верхний узкий выступ, переходящий в толстое основание диаметром 20 мм, затем переходящий в утоньшение, на котором располагаются защитные кольца и Т-образный капролоновый изолятор. Медный катод диаметром 6 мм, вкручивающийся в утоньшение токоввода, заключен в керамический изолятор чашеобразной формы, прикрепленный к токовводу. На нижней части керамического изолятора крепится поджигающий электрод. 1 ил., 1 табл.
Ускоряющий промежуток импульсного форвакуумного источника электронов на основе дугового разряда // 2758497
Устройство относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств, а также использовано в электронно-лучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии. Технический результат - уменьшение теплопередачи от плоского анода к высоковольтному изолятору. Ускоряющий промежуток импульсного форвакуумного источника электронов на основе дугового разряда включает плоский анод и ускоряющий электрод, которые разделены высоковольтным изолятором. Плоский анод состоит из сетки, натянутой с помощью колец, которые крепятся к основанию анода. В области контакта колец анода с выступом высоковольтного изолятора выполнено углубление в 1 мм и протяженностью 13 мм. 1 табл., 1 ил.
Изобретение относится к способу сварки стеклянных трубчатых деталей. Детали размещают в вакуумной камере, создают в ней давления 5÷20 Па и формируют сварной шов на стыке деталей сфокусированным электронным лучом от источника сфокусированного луча. Перед сваркой и во время сварки осуществляют прогрев областей труб, прилегающих к стыку двумя встречными расфокусированными электронными пучками при одновременном вращении свариваемых деталей вокруг оси симметрии. Сфокусированный электронный луч ориентируют перпендикулярно направлениям расфокусированных пучков. Применение двух встречных расфокусированных электронных пучков при одновременном вращении свариваемых деталей и перпендикулярной ориентации сфокусированного электронного луча обеспечивает повышение качества сварного соединения за счет симметрии облучения и, как следствие, одновременного нагрева участков труб, примыкающих к сварному шву, что, в свою очередь, снижает температурные градиенты и исключает растрескивание труб. 1 ил.
Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме. Устройство содержит в корпусе-аноде (1) катодный узел, включающий в себя плоскую мишень-катод (2). В катодном узле за плоскостью мишени-катода (2), которая электрически соединена с электродом (3), расположена система магнитов (4) с магнитопроводом (5). Инжектор электронов (6) размещен в катодном узле. Через отверстие в мишени-катоде (2) электроны инжектируются в прикатодный слой магнетронного разряда. В результате получают значительную дополнительную энергию, соответствующую катодному падению потенциала, и производят эффективную ионизацию рабочего газа вблизи поверхности распыляемой мишени в условиях пониженного давления, когда самостоятельная форма горения магнетронного разряда затруднительна или даже невозможна. Техническим результатом данного изобретения является снижение давления рабочего газа в пространстве дрейфа потока распыленных атомов между мишенью и подложкой. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к технологии керамических материалов и может быть использовано для получения трёхмерных объектов из керамических порошков. Изобретение направлено на сокращение времени, затрачиваемого на послойное электронно-лучевое спекание изделий из керамического порошка при обеспечении однородности нагрева каждого слоя керамического порошка. В способе спекания, содержащем операции нанесения и выравнивания слоя порошка, а также облучения электронами нанесенного слоя, используют два электронных источника, формирующих два электронных пучка с энергией 10-15 кэВ, один из которых расфокусирован и облучает весь слой порошка, а второй пучок сфокусирован и сканирует спекаемую область порошкового слоя. Облучение производят в диапазоне давлений инертного газа 5-20 Па. Технический результат достигается за счет исключения стадии предварительного прогрева слоя порошка, поскольку диапазон давлений 5-20 Па обеспечивает образование пучковой плазмы, через которую электрический заряд, приносимый электронным пучком, стекает с частиц порошка на заземленные стенки вакуумной камеры. Однородность нагрева достигается непрерывным облучением всего слоя порошка расфокусированным электронным пучком, обеспечивающим достижение температуры, не достаточной для спекания. Добавка мощности сканирующего сфокусированного пучка обеспечивает спекание по заданному рисунку. 1 ил., 1 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАЗМЫ ИОНОВ БОРА // 2550738
Изобретение относится к области плазменной техники и может быть использовано в полупроводниковой и других отраслях промышленности, где необходима модификация поверхностей материалов. Способ включает генерацию плазмы ионов бора в импульсном сильноточном магнетронном разряде, параметры которого достаточны для реализации режима самораспыления мишени из бора и составляют: ток 10-50 А, напряжение 1-2 кВ, длительность импульса - 10-100 мкс. Инициирование импульсного сильноточного магнетронного разряда осуществляется путем зажигания постоянного слаботочного магнетронного разряда с током до 50 мА, напряжением до 2 кВ и нагрева этим разрядом теплоизолированной электропроводящим материалом мишени из твердотельного бора до температуры уровня 400-500°C, при которой происходит резкое увеличение удельной проводимости бора до значений, достаточных для стабильного горения импульсного сильноточного магнетронного разряда. Технический результат - повышение содержания в плазме ионов бора до 95-98%. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к источникам получения направленного (сформированного) мягкого рентгеновского излучения, или, что то же самое, экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) с длиной волны 13,5 нм или 6,7 нм, применяемым в настоящее время или в ближайшей перспективе в проекционной литографии высокого разрешения. Технический результат - повышение эффективности и ресурса работы источников ЭУФ излучения. Плазму предварительно формируют сторонним узконаправленным инжектором, после чего нагрев электронов плазмы производят в магнитном поле в условиях электронно-циклотронного резонанса мощным электромагнитным излучением микроволнового диапазона в непрерывном режиме. Для формирования плазмы ограниченного размера используют магнитное поле и ограничивающее поперечные размеры плазмы отверстие на оси симметрии рентгеновского зеркала, при этом рабочую сторону рентгеновского зеркала изолируют от потоков плазмы, нейтральных капель материала катода и энергичных частиц. Для реализации способа в разработанный источник направленного ЭУФ излучения введен инжектор 1 узконаправленного потока плазмы 3 в магнитную ловушку 4, на выходе которой установлено рентгеновское зеркало 11, отверстие 16 на оси симметрии которого уменьшает поперечный размер потока плазмы 3. При этом рентгеновское зеркало 11 развернуто рабочей стороной от инжектора 1 плазмы, за фокальной областью 12 рентгеновского зеркала расположен уловитель плазмы 15, а конфигурация магнитного поля магнитной ловушки 4, размеры уловителя плазмы 15 и отверстия 16 на оси рентгеновского зеркала 11 подобраны таким образом, чтобы обеспечить изоляцию рабочей стороны рентгеновского зеркала 11 от потоков заряженных и нейтральных частиц. Генератор 6 электромагнитного излучения миллиметрового или субмиллиметрового диапазона длин волн для нагрева электронов плазмы 3 снабжен вогнутыми зеркалами 8, направляющими электромагнитное излучение 7 со стороны инжектора 1 на поток плазмы 3 в магнитной ловушке 4 в область электронно-циклотронного резонанса 9. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений. В качестве рабочего вещества используют карборандикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в которой атомы сильных окислителей включены в молекулу рабочего вещества. Сильные окислители, при электрическом разряде, высвобождаясь из молекулы рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, образующиеся летучие соединения удаляют вакуумной откачкой. 3 ил.
Изобретение может быть использовано при изготовлении металлокерамических узлов пайкой, например, керамической и титановой трубок. Подготавливают сборку керамической и титановой деталей с размещенным между ними алюминиевым припоем. Разогрев места стыка керамики с титаном производят при непрерывном вращении сборки сфокусированным электронным пучком в вакуумной камере при давлении 5-15 Па до расплавления припоя. После выдержки в таком состоянии в течение 1-2 минут выключают электронный источник, и после остывания извлекают сборку из вакуумной камеры. Использование алюминия в качестве припоя в совокупности с исключением операции предварительной металлизации керамики и проведением операции нагрева стыка керамики с металлом электронным пучком при заданном давлении позволяет повысить производительность процесса изготовления трубчатого соединения за счет снижения его продолжительности. 1 ил.
Изобретение относится к области технологии материалов. Техническим результатом является обеспечение высокой скорости спекания и равномерной усадки спекаемой диэлектрической керамики. Способ спекания содержит операции компактирования порошка и облучения более одной стороны компакта электронными пучками, формирование электронных пучков с энергией 10-15 кэВ производят отдельными источниками, а облучение компакта осуществляют при давлении газа 5-20 Па. Температуру компакта при облучении задают плотностью мощности пучков. Формирование пучков отдельными источниками в сочетании с давлением газа 5-20 Па. 1 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания оксидных слоев и может быть использовано при создании защитных либо пассивирующих покрытий на поверхности металла или полупроводника
Изобретение относится к обработке материалов, а именно к технологии соединения керамических деталей, и может быть использовано при изготовлении керамических изделий сложной формы, либо для соединения керамических труб
ПЛАЗМЕННЫЙ ЭМИТТЕР ЭЛЕКТРОНОВ // 2427940
Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы и может быть использовано в источниках электронных и ионных пучков в качестве эмиттера
ПЛАЗМЕННЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ИСТОЧНИК // 2306683
Изобретение относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств и использовано в электронно-лучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии
