Патенты автора Шварц Максим Зиновьевич (RU)
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей. Способ включает формирование гетероструктуры GaInP/Ga(In)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы. Способ обеспечивает снижение удельной массы фотоэлектрического преобразователя за счет значительного утонения германиевой подложки с сохранением спектральной чувствительности германиевого p-n-перехода в инфракрасном диапазоне спектра и его фототока и эффективности фотоэлектрического преобразователя в целом. 7 з.п. ф-лы.
Концентраторный фотоэлектрический модуль с планарными элементами включает по меньшей мере один планарный неконцентраторный кремниевый фотоэлектрический преобразователь (3) с двухсторонней чувствительностью, множество концентраторных А3В5 фотоэлектрических преобразователей (5), смонтированных на теплоотводящие основания (6), и расположенных на поверхности неконцентраторного фотоэлектрического преобразователя (3), закрытого защитной светопрозрачной панелью (4), концентрирующую оптическую систему (7), состоящую из множества собирающих линз (8). Концентраторный фотоэлектрический модуль согласно изобретению обладает повышенной надежностью и высокой энергопроизводительностью за счет эффективного преобразования потоков прямого и рассеянного атмосферой (диффузного) солнечного излучений, а также рассеянного при отражении от земной поверхности излучения (альбедо). 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ // 2721161
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры из фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры А3В5, нанесение антиотражающего покрытия, формирование диэлектрического покрытия на периферии фоточувствительной области и на боковой поверхности меза-структуры, формирование шин омического контакта на фронтальной поверхности гетероструктуры и контактной площадки на боковой поверхности меза-структуры, покрытой слоем диэлектрика, формирование тыльного омического контакта. Изобретение позволяет увеличить быстродействие фотопреобразователя. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль (1) содержит фронтальную светопрозрачную панель (2) с концентрирующими оптическими элементами (4), светопрозрачную тыльную панель (5), на которой сформированы планарные неконцентраторные фотоэлектрические преобразователи (6) с окнами (10), противолежащими концентрирующим оптическим элементам (4), в которых размещены концентраторные фотопреобразователи (8), и элементы крепления (11). Фронтальная панель (2) и тыльная панель (5) соединены элементами крепления (11). Центр фотоприемной площадки каждого концентраторного фотоэлектрического преобразователя (8) лежит на одной оси с центром соответствующего концентрирующего оптического элемента (4) и совпадает с его фокусом. Концентраторные фотоэлектрические преобразователи (8) снабжены защитными отражающими элементами (15) с боковой светоотражающей поверхностью, установленными на фронтальной стороне тыльной панели (5) и исключающими попадание концентрированного солнечного излучения на планарные неконцентраторные фотоэлектрические преобразователи (6) при разориентации модуля (1) от направления на Солнце. Концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль (1) имеет повышенную надежность и увеличенный эксплуатационный ресурс. 9 з.п. ф-лы, 3 ил.
СВЧ ФОТОДЕТЕКТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2676187
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ). СВЧ фотодетектор лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: Брегговского отражателя 2, настроенного на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающего чередующиеся пары слоев n-AlAs 3 / n-Al0,2Ga0,8As 4, базового слоя, выполненного из n-GaAs 5, с толщиной 50-100 нм, нелегированного слоя i-GaAs 6 толщиной 0,9-1,1 мкм, эмиттерного слоя p-GaAs 7 толщиной 450-400 нм, фронтальный слой р-Al0,2Ga0,8As, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм. Изобретение обеспечивает возможность создания такого СВЧ фотодетектора лазерного излучения, который обладал бы малой барьерной емкостью, обеспечивал высокое быстродействие и поглощал бы более 95% фотонов с длинной волны в диапазоне 800-860 нм, обеспечивая близкое к полному собирание фотогенерированных носителей. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода, субэлемента из GaInP с p-n переходом и контактного слоя из GaAs, нанесение тыльного омического контакта р-типа на тыльную сторону субэлемента из Ge и нанесение через первую маску первого омического контакта n-типа на контактный слой GaAs, удаление химическим травлением через вторую маску участков контактного слоя из GaAs, где отсутствует первый омический контакт, и нанесение на эти участки просветляющего покрытия, создание ступенчатой разделительной мезы путем травления через третью маску контактного слоя из GaAs и субэлемента из GaInP на глубину 0,2-0,4 мкм, осаждения через третью маску первого пассивирующего покрытия, вскрытия через четвертую маску первых окон в первом пассивирующем покрытии, осаждения второго омического контакта p-типа на вскрытые первые окна, травления через пятую маску, закрывающую второй омический контакт, субэлемента из GaInP и субэлемента из Ga(In)As до субэлемента из Ge, осаждения через пятую маску второго пассивирующего покрытия, вскрытия через шестую маску вторых окон во втором пассивирующем покрытии, осаждения третьего омического контакта n-типа на вскрытые вторые окна, травления через седьмую маску, закрывающую третий омический контакт, субэлемента из Ge на глубину 2-10 мкм и осаждения через седьмую маску третьего пассивирующего покрытия. Изобретение позволяет изготавливать многопереходный солнечный элемент с повышенной эффективностью преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.
Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к непрерывно следящим за Солнцем солнечным установкам как с концентраторами солнечного излучения, так и с плоскими кремниевыми модулями, предназначенным для питания потребителей, например, в районах ненадежного и децентрализованного электроснабжения
Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии
СОЛНЕЧНАЯ ЭЛЕКТРОСТАНЦИЯ // 2395758
Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии
ИМПУЛЬСНЫЙ ИМИТАТОР СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2388104
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
ИМИТАТОР СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2380663
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к устройствам, позволяющим имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ (ВАРИАНТЫ) // 2307294
Изобретение относится к области солнечной энергетики и в частности к фотоэлектрическим модулям
