Патенты автора Рембеза Екатерина Станиславовна (RU)
Изобретение относится к газовому анализу и может быть использовано для контроля токсичных и взрывоопасных газов и в тех областях науки и техники, где необходим анализ газовых сред. Полупроводниковый чувствительный элемент согласно изобретению представляет собой изолирующую подложку с предварительно нанесенными контактами, на которой нанесением пленкообразующего водно-спиртового раствора SnCl2 с углеродными нанотрубками формируют слой нанокомпозита диоксид олова. Изготовленный таким образом чувствительный элемент подвергают сушке в течение 10 минут при температуре 150°С с последующим стабилизирующим отжигом на воздухе в течение 30 минут при температуре не ниже 370°С для формирования нанокристаллической структуры. Изобретение направлено на повышение величины газовой чувствительности и селективности сенсорного элемента. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
СПОСОБ УЛУЧШЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДАТЧИКОВ ГАЗА // 2359259
Изобретение относится к области аналитического приборостроения и газовой сенсорики и может быть использовано для улучшения важнейших метрологических характеристик - снижения температуры максимальной газовой чувствительности и потребляемой мощности полупроводниковых датчиков газов на основе оксидов металлов, таких как SnO 2, ZnO, In2O3, TiO2, Ga 2О3 и т.п
Изобретение относится к газовому анализу, в частности к полупроводниковым газовым датчикам для контроля токсичных и взрывоопасных газов, и может быть использовано в тех областях науки и техники, где необходим анализ газовых сред
