Патенты автора Егоркин Владимир Ильич (RU)
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления мощных интегральных схем. Задача настоящего изобретения - уменьшение токов утечки нитридгаллиевых НЕМТ транзисторов и интегральных схем на их основе до единиц наноампер при напряжениях до 600 В. Предлагаемый способ заключается в следующем: расположенный на подложке буферный слой GaN легируется углеродом; по границам транзистора формируются изолирующие области с помощью имплантации ионов азота; перед проведением операции ионной имплантации наносится пассивирующий слой нитрида кремния. 4 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных и СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов на кремниевой подложке и интегральных схем на их основе, а именно к технологии изготовления омических контактов с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850°С в течение 30 с. Техническим результатом при реализации заявленного решения является создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке. 4 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии формирования GaN транзисторов различного назначения (мощных и СВЧ транзисторов) и, в частности, к созданию термостабильных меток совмещения, подходящих для электронной литографии и фотолитографии. Для обеспечения высокой интенсивности и низкого размытия потока отраженных электронов после проведения технологических операций при температурах в диапазоне 800-1000°С, а также для уменьшения стоимости технологического процесса предлагается конструкция меток на основе гафния. Метка состоит из двух слоев металлов: молибдена (Мо) толщиной до 50 нм и гафния (Hf) толщиной 50-100 нм. Использование подслоя молибдена улучшает адгезию меток совмещения к поверхности гетероструктуры, а высокие температуры плавления применяемых металлов обеспечивают сохранение формы и морфологии меток при термообработке подложки. 2 ил.
Изобретение относится к медицине, а именно - к урологии, физиотерапии
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники
Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений
Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений
