Патенты автора Шепелин Александр Витальевич (RU)
Изобретение относится к силовым полупроводниковым модулям и может использоваться в преобразовательной технике. Сущность изобретения заключается в том, что подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля содержит электроизоляционную теплопроводящую подложку с двумя токоведущими слоями: нижним слоем, который выполнен сплошным силовым полигоном и является частью одного из DC-тоководов, и верхним слоем, который разделен на силовые полигоны АС и DC+, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, образующие плечи полумоста; два силовых полигона, электрически связанных с нижним силовым токоведущим слоем и расположенных вдоль упомянутых полигонов, при этом полигоны АС и DC+, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, расположены в непосредственной близости друг от друга; два упомянутых силовых полигона, электрически связанных с нижним силовым токоведущим слоем, расположены за пределами рядов кристаллов подмодуля; выход АС подмодуля подсоединен к полигону АС между рядами силовых полупроводниковых элементов; а необходимые для образования полумостовой схемы соединения между полигонами и(или) полупроводниковыми элементами выполнены гибкими тоководами, ширина которых обеспечивает максимальное покрытие ими ширины тоководов подмодуля. Технический результат – повышение надежности полупроводникового силового модуля. 1 ил.
Изобретение относится к силовым полупроводниковым модулям и может использоваться в преобразовательной технике. Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля, содержащий электроизоляционную теплопроводящую подложку с токоведущим слоем, имеющим силовые полигоны: первый DC+ и АС, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, образующие плечи полумоста; три максимально возможно широких полосковых силовых вывода полумоста, расположенных параллельно рядам полупроводниковых элементов, причем вывод АС подмодуля подсоединен по всей своей ширине к полигону АС, а выводы DC+ и DC- подмодуля расположены друг от друга на расстоянии, равном толщине необходимой изоляции, отличающийся тем, что содержит дополнительную подложку с токоведущим слоем, расположенную на полигоне АС вдоль и между рядами силовых полупроводниковых элементов, причем токоведущий слой разделен на силовые полигоны: второй DC+ и DC- так, что полигон DC- расположен вдоль и в непосредственной близости от ряда силовых полупроводниковых элементов нижнего плеча полумоста, к полигонам: второй DC+ и DC- по всей своей ширине подсоединены соответствующие силовые выводы DC+ и DC- подмодуля, вывод АС подмодуля подсоединен к полигону АС за пределами рядов кристаллов подмодуля, а необходимые для образования полумостовой схемы соединения между полигонами и(или) полупроводниковыми элементами выполнены гибкими тоководами, ширина которых обеспечивает максимальное покрытие ими ширины тоководов подмодуля. Изобретение позволяет снизить выбросы напряжения на силовых полупроводниковых элементах полумостового подмодуля силового полупроводникового модуля, возникающие вследствие наличия паразитных индуктивностей в тоководах полумостового подмодуля. 1 ил.
Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для питания синхронных и асинхронных двигателей от источника высокого постоянного напряжения. Многоуровневый преобразователь электроэнергии для питания синхронных и асинхронных двигателей от источника высокого постоянного напряжения включает выходные инверторно-рекуперационные модули, каждый из которых содержит первый высокочастотный и второй мосты и конденсатор, при этом цепи постоянного тока первого и второго мостов подсоединены параллельно к конденсатору, цепь переменного тока второго моста соединена последовательно с цепями переменного тока вторых мостов других выходных инверторно-рекуперационных модулей таким образом, чтобы образовались группы, соединенные в звезду, а также первые и вторые высокочастотные трансформаторы и входные инверторно-рекуперационные модули, каждый из последних содержит высокочастотный мост и конденсатор, при этом цепи постоянного тока моста подсоединяют параллельно к конденсатору, причем цепи переменного тока мостов входных инверторно-рекуперационных модулей и первых мостов выходных инверторно-рекуперационных модулей соединяют между собой параллельно по переменному току через высокочастотные трансформаторы, цепи постоянного тока мостов входных инверторно-рекуперационных модулей соединяют последовательно, а выводы полученной цепочки подключают к источнику высокого постоянного напряжения. Изобретение позволяет получить технический результат - снизить массогабаритные показатели и повысить КПД преобразователя при работе от линии высокого постоянного напряжения. 1 ил.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в преобразователях электроэнергии, в которых потребителем энергии является параллельный колебательный контур, например в транзисторных генераторах индукционного нагрева
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в преобразователях электроэнергии, например в повышающих и понижающих преобразователях
