Патенты автора Ходжаев Валерий Джураевич (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления полевых транзисторов. Способ изготовления СВЧ мощного полевого псевдоморфного транзистора на гетероэпитаксиальной структуре AlGaAs/InGaAs/GaAs заключается в том, что формируют субмикронный Т-затвор с применением оптической литографии. При формировании основания субмикронного Т-затвора используют двухслойную маску из диэлектрика и фоторезиста. Контролируемо оплавляют вышележащий слой маски из фоторезиста и сужают окно в нижележащем слое из диэлектрика, определяющем размер основания субмикронного Т-затвора. Далее уменьшают его до размеров, сопоставимых разрешению электронно-лучевой литографии. Техническим результатом является существенное повышение мощности СВЧ транзистора до уровня мощного при одновременном увеличении его быстродействия. 4 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при создании твердотельных ограничительных модулей для применения в гибридно-интегральных защитных и стабилизирующих СВЧ-устройствах пассивного типа. Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах включает равномерное утонение центральной части полупроводниковой пластины, легирование обеих сторон пластины по всей поверхности акцепторной или донорной примесью, создание локальных углублений, превышающих глубину залегания легирующей примеси, после чего обе стороны пластины, кроме углублений, закрывают маскирующим слоем диэлектрика и проводят двухстороннее легирование пластины донорной (акцепторной) примесью. Технический результат заключается в повышении процента выхода годных приборов. 12 ил.
Изобретение относится к газопламенной обработке материалов смесью газов, получаемых при электролизе воды в электролизно-водном генераторе (ЭВГ), и применяется в малогабаритных переносных установках, использованных для микросварки, пайки и резки металлов в радиотехнической, электронной, приборостроительной и других отраслях народного хозяйства
