Патенты автора Мишина Елена Дмитриевна (RU)

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами кремния, причем соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбрано таким, чтобы большая часть атомов кремния являлась акцепторной примесью. Изобретение обеспечивает предложенный полупроводниковый фотопроводящий материал, имеющий сверхмалое время жизни фотовозбужденных носителей заряда, может быть получен упрощенным технологическим способом эпитаксиального выращивания.

Микроскоп содержит платформу для размещения образца, выполненную с возможностью перемещения по крайней мере в вертикальном и горизонтальном направлениях, источник лазерного излучения для направления излучения, падающего на исследуемый образец через полуволновую пластинку, установленную на автоматизированной вращающейся платформе, систему зеркал, фокусатор, приемную часть для автоматической настройки положения исследуемой точки поверхности образца в фокусе фокусатора при приеме отраженного от исследуемого образца излучения на частотах второй гармоники и двухфотонной люминесценции. Фокусатор представляет собой систему линз, или расширитель светового пучка и градиентную линзу, или объектив, закрепленные на автоматизированном микрометрическом трансляторе, связанном с контроллером перемещения фокусатора. Приемная часть включает детектор, используемый для приема отраженного излучения через поляризатор, устройство спектральной фильтрации и короткофокусную линзу на входную апертуру оптического волокна, связанного с устройством спектральной фильтрации. Технический результат - обеспечение автоматической настройки положения исследуемой точки поверхности образца в фокусе при приеме отраженного от образца излучения. 2 н.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области физических и химических исследований свойств материалов, в частности касается конструкции автоматизированного цифрового микроскопа для исследования микро- и наноструктур на длинах волн второй оптической гармоники и двухфотонной люминесценции

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к области мембранной технологии и нанотехнологии

Изобретение относится к области нанотехнологии для оптоэлектроники

Изобретение относится к области нанотехнологии

Изобретение относится к области нанотехнологии для микроэлектроники

 


Наверх