Патенты автора Тимохин Виктор Михайлович (RU)
Использование: для спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах. Сущность изобретения заключается в том, что для исследуемого кристалла снимают инфракрасные спектры пропускания и поглощения, при этом изучают ИК-спектры кристаллов, выращенных в растворах H2O, и кристаллов, содержащих D2О, в различных направлениях, по которым выделяют ряд спектральных линий и при сравнении величины коэффициента поглощения и положению этих линий производят диагностику молекул тяжелой воды в исследуемом кристаллическом материале. Технический результат: повышение точности, экспрессности и достоверности определения присутствия молекул тяжелой воды. 3 ил.
Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа спектральной диагностики оптических осей и типов колебательных центров в кристаллах с водородными связями. Способ включает в себя измерение для исследуемого кристалла термостимулированных токов деполяризации и получение инфракрасных спектров пропускания и поглощения в различных направлениях. По полученным данным определяют ширину запрещённой зоны для каждого кристалла, выделяют протонную составляющую в колебательных центрах и для каждой линии, соответствующей определённому колебательному центру, определяют энергию активации, длину волны и волновое число, по величине и наличию которых в данном направлении определяют типы колебательных центров и направление оптических осей. Технический результат заключается в повышении точности, экспрессности и достоверности измерений. 7 ил., 3 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РОТОРА ТУРБОМАШИНЫ // 2682064
Изобретение относится к области изготовления роторов турбомашин с применением электронно-лучевой сварки. Способ включает изготовление вала ротора со стыковочной поверхностью и замковым элементом для соединения и кольцевых деталей ротора с плоскими торцевыми стыковочными поверхностями и замковыми элементами для их соединения, размещение упомянутых вала и деталей соосно друг другу, сборку с совмещением упомянутых стыковочных поверхностей и соединение посредством электронно-лучевой сварки по упомянутым поверхностям, проведение зачистки сварных швов с удалением замковых элементов и окончательную термическую обработку собранного ротора. При этом для сборки и соединения упомянутых вала и деталей используют осевой фиксатор, состоящий из штанги с прижимными дисками и центрирующими элементами в виде сменных центровочных втулок. Использование изобретения позволяет упростить технологический процесс изготовления ротора и обеспечить при этом высокое качество и точность его изготовления, что повышает надежность и увеличивает ресурс работы турбомашины в целом. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ получения n- и p-типов протонных полупроводников заключается в определении вида дефектов, их количества и энергии активации за счет измерения термостимулированных токов деполяризации и удельной электрической проводимости, при этом создается избыточная концентрация протонов и протонных дефектов при легировании кристаллических материалов кислотами типа HCl, HI, HF (с преимущественной Н+и H3O+проводимостью, то есть p-типа) или щелочами типа NH4OH (с преимущественной ОН- проводимостью, то есть n-типа) и определении вида, концентрации и величины энергии активации релаксаторов для более широкого набора кристаллических материалов, для чего образец термостатируется при определенной температуре, не превышающей температуру плавления, заполяризованный объект охлаждается без отключения электрического поля Еп до То=77 К и поляризованное состояние "замораживается". Затем электрическое поле отключается, образец замыкается на измерительный прибор и при нагревании происходит разрушение гетерозаряда, то есть появление токов термостимулированной деполяризации, заключающейся в появлении релаксационных максимумов, величина и смещение которых по шкале температуры позволяет определить вид полупроводника, концентрацию n- и p-типов носителей заряда и их энергию активации. Проведенные комплексные исследования позволили показать природу и механизм диэлектрической релаксации, транспорта и туннелирования протонов через наноструктуру ряда кристаллов с водородными связями при низких температурах, где показано, что чистой протонной проводимости, аналогичной электронной, не существует. Имеет место сильная корреляция между транспортом за счет прыжковой диффузии протонов посредством как термоактивационных, так и туннельных переходов через кристаллическую решетку и изменения ориентации протонированных анионов НSiO43-(силикаты), НSO4- (сульфаты) или НIO3 (иодаты). Широкий диапазон рабочих температур твердых проводников и полупроводников n- и p-типов дает возможность их использования в качестве рабочего тела датчиков водорода и его изотопов, определяет перспективность их практического использования на объектах атомной энергетики при решении проблем обеспечения взрывобезопасности. 6 ил., 4 табл.
Использование: для ультразвуковой диагностики качества кристаллических и электроизоляционных материалов и соединений. Сущность изобретения заключается в том, что в исследуемом материале возбуждают электромагнитные колебания, измеряют тангенс угла диэлектрических потерь tgδ, с учетом которого определяют степень готовности материала, при этом снимают амплитудно-частотную характеристику тангенса угла диэлектрических потерь как без воздействия ультразвуковых колебаний, так и под их воздействием, когда диапазоны частот электрических и ультразвуковых колебаний совпадают, в результате чего в обоих случаях снимают амплитудно-частотную характеристику тангенса угла диэлектрических потерь, а о состоянии материала или клеевого соединения судят по результатам сравнения амплитуды и смещения максимумов tgδ по частоте относительно эталонного, при этом смещение на величину более 50 кГц свидетельствует о непригодности кристаллических и электроизоляционных материалов или неготовности клеевого соединения. Технический результат: обеспечение возможности разработки экспресс-метода контроля качества кристаллических и электроизоляционных материалов и соединений. 4 ил.
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества лазерных и оптических кристаллов и может быть использовано при изготовлении и исследовании новых кристаллических материалов. Способ диагностики анизотропии и оптических осей кристаллов заключается в том, что измеряют термостимулированные токи деполяризации (ТСТД), образец термостатируют при температуре, не превышающей температуру плавления, к образцу прикладывают электрическое поле, не превышающее пробивное поле, и производят поляризацию в течение времени, большего времени релаксации при данной температуре. После этого, не отключая электрического поля, производится охлаждение до температуры жидкого азота, затем поле отключают, осуществляют линейный нагрев образца до температуры выше температуры поляризации и исследуют полученные спектры ТСТД, снятые вдоль и перпендикулярно оптической оси шестого порядка С6 кристалла. При их сравнении определяют наличие анизотропии, а по величине максимумов ТСТД определяют точное направление оптических осей. Технический результат - повышение точности и достоверности определения анизотропии и оптических осей кристаллов. 5 ил.
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может использоваться для физико-химического анализа и при контроле чистоты кристаллических и электроизоляционных материалов как при изготовлении, так и в процессе их эксплуатации, что особенно важно для кристаллов, используемых в оптоэлектронике и лазерных технологиях
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРЕТНЫХ СВОЙСТВ СЛЮДЫ // 2368892
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля состояния материала
Изобретение относится к неразрушающим способам определения механизма электрической проводимости, в частности на атомарном уровне, и может быть использовано при разработке новых изоляционных материалов с заданной протонной проводимостью, а также кристаллов, используемых в оптоэлектронике и лазерной технике
Изобретение относится к неразрушающим методам определения физико-технических характеристик материалов, подвергающихся в процессе работы воздействию ультразвуковых вибраций, сильных электрических полей, облучению различными видами электромагнитных излучений
Изобретение относится к неразрушающим методам определения состояния материала при низких температурах и может быть использовано для определения механизма диэлектрической релаксации и электрической проводимости материалов, особенно при низких температурах
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля концентрации агрессивных сред в твердых телах и электроизоляционных материалах и может использоваться для физико-химического анализа и при контроле чистоты кристаллических и электроизоляционных материалов в процессе их эксплуатации в агрессивных средах
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля упрочнения электроизоляционных материалов для контроля качества изоляции не только в рабочих условиях, но и в технологическом процессе ее изготовления
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества изоляционного материала и может быть использовано при изготовлении и исследовании новых полимерных материалов, изготовлении и контроле качества морозостойких электроизоляционных материалов
