Патенты автора Ефимов Валерий Михайлович (RU)
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем. Микроконтакт для фотоприемной гибридной микросхемы содержит две металлические контактные площадки и между ними контактный элемент с заданной площадью S0 поперечного сечения. Контактный элемент выполнен из множества тонких электрически-проводящих соединений, присоединенных на торцах к двум металлическим контактным площадкам, причем общая площадь поперечного сечения всего множества тонких электрически-проводящих соединений, образующих контактный элемент, также составляет величину S0, но при этом площадь S1 поперечного сечения каждого тонкого электрически-проводящего соединения не менее чем в 104 раз меньше общей площади S0 поперечного сечения всего множества тонких электрически-проводящих соединений, образующих контактный элемент, а аспектное отношение одного тонкого электрически-проводящего соединения составляет величину от 103 до 104. Металлические контактные площадки выполнены на первом и втором полупроводниковых кристаллах с различными коэффициентами термического расширения. Техническим результатом изобретения является повышение стойкости контактных элементов к термоциклированиям. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического оборудования для изготовления гибридных микросхем большого формата, упрощения и удешевления такого оборудования. Заявленный соединительный пресс для матриц большого формата состоит из основания на котором помещена нижняя платформа для расположения на ней матриц большого формата, верхней платформы для передачи усилия сжатия на матрицы большого формата, причем содержит блок усиления сдавливающего усилия, состоящий из осевой конструкции, усилительного рычага с расположенным на нем подвижным элементом самоформирования углубления для приложения усилия сжатия, пневматического блока, а также конусного элемента передачи усилия сжатия, свободно расположенного на матрице большого формата, состоящего из конуса с нижним плоским основанием и опорного шарика диаметром, в 14-60 раз меньшим диаметра основания конусного элемента передачи усилия сжатия, при этом твердость материала опорного шарика должна быть не менее чем в 12 раз больше твердости материала подвижного элемента самоформирования углубления для приложения усилия сжатия. Техническим результатом является повышение усилия сжатия до 14 кН при сохранении точности совмещения множества микроконтактов, а также значительном упрощении конструкции и удешевлении изготовления соединительного пресса. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного материала, характеризующегося одним коэффициентом термического расширения, и фотоприемного кристалла с фоточувствительными элементами, выполненного на основе другого материала, характеризующегося другим коэффициентом термического расширения, жестко устанавливают на общем основании. Установку осуществляют с отсутствием связи фотоприемного модуля с общим основанием в отношении области фотоприемного модуля, в которой расположены фоточувствительные элементы, связанные со схемой считывания, используя держатель. Причем при установке фотоприемный модуль в части, содержащей указанную область, подвешивают на держателе относительно общего основания, формируя между основанием и фотоприемным модулем пространство, обеспечивающее под действием возникающих механических напряжений при термоциклировании изгибание фотоприемного модуля без контактирования с основанием. В результате обеспечивается предотвращение ухудшения изображения с увеличением циклов термоциклирования, повышение количества циклов термоциклирования в эксплуатационном периоде. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем
НАКЛОНЯЮЩЕ-КАЧАЮЩЕЕ ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ ГИБРИДИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПЕРЕВЕРНУТОГО КРИСТАЛЛА // 2411179
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке оборудования для изготовления гибридных полупроводниковых микросхем методом перевернутого кристалла (flip-chip)
УКРЕПЛЯЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ГИБРИДНОЙ МИКРОСХЕМЫ // 2402104
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных полупроводниковых микросхем, соединенных между собой множеством контактов для улучшения качества гибридизации полупроводниковых микросхем и повышения их долговечности в процессе многократного использования при различных температурах
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания
ГЕТТЕРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2379780
Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус
ШТАТИВ ДЛЯ ПОДЛОЖКИ // 2315342
Изобретение относится к оборудованию для микроэлектронной области техники
ПРЕДМЕТНЫЙ СТОЛИК // 2310218
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического и тестового оборудования
