Патенты автора Варавин Василий Семенович (RU)

Способ определения концентрации донорного фона в CdxHg1-xTe принадлежит к характеризации материалов и структур оптоэлектроники, точнее к твердым растворам CdxHg1-xTe – основному материалу для изготовления фотодиодов инфракрасного диапазона спектра. Технический результат – создание метода определения концентрации донорного фона в CdxHg1-xTe, который учитывает существование сильной релаксации электрических параметров образцов после прекращения ионного травления. В способ определения концентрации донорного фона в структурах CdxHg1-xTe, включающий ионное травление структур однородного вакансионно-легированного CdxHg1-xTe р-типа проводимости ионами Ar+ c энергиями 100-2000 эВ и измерение концентрации электронов при 77 К, вводятся дополнительные требования о том, что ионное травление проводится в CdxHg1-xTe с составом х=0-0,4 с модификацией свойств материала на глубину не менее 5 мкм, а концентрацию электронов определяют в основном объеме конвертированного n-слоя из измерений и анализа полевых зависимостей коэффициента Холла и проводимости при 77 К после релаксации электрических параметров структуры в течение 103-105 мин при температуре хранения 350-300 К. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (хД+0,1)÷1, до значения xД, детекторный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где x=xД=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xД до значения, находящегося в пределах (xД+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO2, диэлектрический слой, изготовленный из Si3N4, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg1-xCdxTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах xБ=0,5-1,0 и xЯ=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Также предложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к резонаторам полупроводниковых лазеров с лучеиспускающей поверхностью на основе гетероструктур

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути CdxHg1-xTe (KPT) фотоприемных устройств (ФПУ), в частности матричного типа, предназначенных для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов

 


Наверх