Патенты автора Кузнецов Евгений Васильевич (RU)
Использование: для динамического изменения химического потенциала электронов и редокс-потенциала в жидкости во время протекания химической реакции. Сущность изобретения заключается в том, что система для динамического измерения редокс-потенциала в электролите с ограниченным объемом включает погруженные в электролит и связанные с внешней цепью как минимум один электрод сравнения и как минимум один индикаторный электрод, при этом электрод сравнения выполнен с возможностью свободного обмена электронами с электролитом и имеет низкое значение импеданса по отношению к импедансу индикаторного электрода, электрод сравнения подключен к источнику постоянного напряжения или общему потенциалу «земли» и на него подается смещение напряжения от внешней цепи; при этом индикаторный электрод имеет высокое значение импеданса по отношению к импедансу электрода сравнения, препятствующее электронному обмену с раствором электролита, индикаторный электрод подключен к внешней цепи для измерения на нем потенциала; причем отношение импеданса измерительного электрода к импедансу электрода сравнения составляет не менее 5; при этом расстояние между электродом сравнения и индикаторными электродами не более 1 см, объем электролита составляет не более 10 см3 и сосуд, ограничивающий объем электролита, обеспечивает высокое значение импеданса электролит – нулевой потенциал «земли» по отношению к импедансу индикаторного электрода, с отношением не менее 5. Технический результат: обеспечение возможности детектирования промежуточных переходных состояний и мониторинга изменения энергии во время протекания химической реакции. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 21 ил.
Использование: для обнаружения и распознавания с высокой чувствительностью и селективностью летучих соединений в газообразной среде, а также растворенных соединений в водных растворах. Сущность изобретения заключается в том, что интегральная схема предназначена для обнаружения и распознавания аналитов в многокомпонентной среде и содержит по меньшей мере один первый микрофлюидный канал, интегрированный в по меньшей мере части поверхности интегральной схемы, по меньшей мере один ион-селективный транзистор с чувствительной поверхностью и схему обработки сигналов с транзисторов, при этом первый микрофлюидный канал имеет внутреннюю поверхность и внешнюю поверхность, по меньшей мере часть внешней поверхности первого микрофлюидного канала выполнена в виде пористой гидрофобной мембраны, причем чувствительная поверхность ионоселективного транзистора расположена в первом микрофлюидном канале под пористой гидрофобной мембраной, а по меньшей мере одна площадка чувствительной поверхности упомянутого транзистора функционализирована по меньшей мере одним типом биологического рецептора для связывания представляющего интерес аналита. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения нижнего порога детектирования устройства типа «биоэлектронный нос» или «биоэлектронный язык», повышения селективности определения целевых соединений, увеличения скорости срабатывания системы и уменьшения времени анализа в целом. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО ПЛАНАРНОГО ДВУХЗАТВОРНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА НА КНИ ПОДЛОЖКЕ // 2312422
Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС
