Патенты автора Карпов Владимир Владимирович (RU)

Изобретение относится к методике теплофизических измерений, а именно к методике определения теплопритоков к охлаждаемым элементам конструкции приемников инфракрасного излучения из окружающей среды в лабораторных и производственных условиях. Предложен способ измерения теплопритоков ИК-фотоприемников, который включает в себя процесс измерения расхода жидкого азота, испаряющегося из колодца криостата приемника, процесс контроля температуры донышка колодца Т∂ и расчет теплопритока, а на участке стабилизированного испарения измеряют величину расхода газообразного азота Vi для любого момента времени ti, затем определяют теплоприток qi по формуле qi=Vi⋅ρ⋅r; где qi - теплоприток к криостату из окружающей среды, Вт; Vi - объемный расход газообразного азота, см3/с; ρ - плотность газообразного азота, г/см3; r - скрытая теплота испарения азота, Дж/г; фиксируют конечный момент времени tk, когда расход азота становится равным нулю, после чего, используя полученные значения qi, определяют аппроксимирующую зависимость изменения теплопритока во времени: qi=A⋅exp[b⋅(tk-ti)]; где А и b - постоянные коэффициенты, определяемые путем решения полученной системы уравнений qi=f(tк-ti) с помощью, например, метода наименьших квадратов, и определяют из полученной аппроксимирующей зависимости истинное значение теплопритока qk для tк, подставляя значение (tк-ti)=0, соответствующее моменту полного испарения азота, т.е. qk=А. Технический результат - повышение достоверности результатов измерений. 2 ил., 2 табл.

Изобретение относится к технике телевизионных систем наблюдения, в частности, к стереотелевизионным системам. Техническим результатом является обеспечение работы ночью и при пониженной прозрачности атмосферы (дымка, туман, дождь, снегопад), с возможностью наличия встроенной системы контроля качества изображения. Результат достигается тем, что в состав системы дополнительно вводятся правая и левая тепловизионные камеры, в состав системы дополнительно включена телевизионная испытательная таблица, которая вводится с помощью соответствующей оптики в поле зрения телевизионных камер. 1 ил.

Изобретение относится к медицине. Способ изготовления индивидуализированного артикуляционного 3-D эндопротез-спейсера коленного сустава заключается в том, что в КТ изображении формата DICOM выделяют фрагмент изображения, соответствующий конечности с ранее установленным эндопротезом, проводят пространственно-частотную фильтрацию и сегментацию изображения с выделением поверхностей костной ткани, внутренних границ интрамедуллярных каналов, поверхностей металлических имплантатов и областей костного цемента, полученные поверхности сохраняют в виде точек, которые аппроксимируют в множество треугольников и получают трехмерный файл формата STL и методом обратного проектирования по опорным точкам выполняют построение полноценных замкнутых 3-D моделей тибиальной и феморальной частей, их сборки и узлов соединения. Далее проводят «виртуальную примерку» эндопротеза-спейсера в трехмерных графических редакторах, Оценивают биоадекватность конструкции, мобильность сустава, удобство изготовления и имплантации, разрабатывают металлическую армирующий часть эндопротез-спейсера, моделируют пиковую нагрузку с построением эпюр напряжений и деформаций методом конечных элементов с помощью современных САПР. После получения итоговой модели эндопротез-спейсера в масштабе 1:1 ее разделяют на части и печатают на 3D-принтере. Полученную мастер-модель будущего эндопротеза-спейсера склеивают, производят постобработку поверхности и заливают высокотемпературным биоинертным силиконом. В модели имеются технологические углубления для централизации металлических каркасов из медицинской нержавеющей стали, которые после установки металлического каркаса залепливаются костным цементом и перед операцией. Полученные литейные формы и металлические основания проходят стерилизацию, по объему 3-D модели вычисляют необходимое количество костного цемента. В процессе ревизионной операции производят артротомию коленного сустава, удаляют компоненты эндопротеза, производят механическую и медикаментозную обработку перипротезной, полости, замешивают необходимое количество заранее рассчитанного объёма костного цемента, импрегнированного антибиотиком, проводят инсталляцию металлического каркаса спейсера в силиконовую форму, в процессе полимеризации заполняют силиконовые формы компонентов спейсера, после затвердевания костного цемента элементы спейсера извлекают из форм и производят окончательную обработку поверхности спейсера. Элементы спейсера фиксируют в канале бедренной и большеберцовой кости с помощью костного цемента по принципу соосности топографическим ориентирам кости, в соответствии с индивидуальной анатомией. Элементы спейсера соединяют между собой посредством конгруэнтных поверхностей, восстанавливают правильную ось нижней конечности, поверхности спейсера дополнительно покрывают биогубками, пропитанными гентамицином, устанавливают вакуум, дренажную систему, рану ушивают наглухо. Изобретение обеспечивает изготовление эндопротез-спейсера в точном соответствии с индивидуальными размерами удаляемого эндопротеза и анатомической формой с сохранением качественного состояния костей в местах фиксации элементов спейсера, сохранение функциональной области удалённого сустава, сохранение частичной опороспособности конечности, изготовление компонентов спейсера во время операции, облегчение установки эндопротеза на II-м этапе реэндопротезирования, увеличение длительности использования эндопротез-спейсера, снижение интенсивности остеопении костных структур конечности после удаления эндопротеза, сохранение функционального потенциала сустава после I-го этапа реэндопротезирования, разработку программы восстановительного лечения после II-го этапа реэндопротезирования. 1 пр., 14 ил.

Предложенное изобретение относится к технике оптико-электронных приборов наблюдения и прицеливания. Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является обеспечение круглосуточной и всепогодной работы. Указанный технический результат достигается за счет того, что прицельный комплекс содержит блок наблюдения, состоящий из последовательно установленных на оптической оси объектива, электронно-оптического преобразователя и окуляра, а также блок целеуказания, состоящий из объектива формирования излучения, сфокусированного на лазерный полупроводниковый излучатель, подключенный к блоку накачки. При этом в блок наблюдения дополнительно введены последовательно установленные на оптической оси инфракрасный объектив, тепловизионный модуль, первый линзовый компонент оптики переноса, плоское зеркало, второй линзовый компонент оптики переноса, куб-призма с дихроичной гипотенузной гранью, установленная между экраном электронно-оптического преобразователя и окуляром, при этом окуляр сфокусирован через куб-призму на экран электронно-оптического преобразователя и на плоскость изображения второго линзового компонента оптики переноса, причем тепловизионный модуль содержит последовательно электрически сопряженные друг с другом матрицу микроболометров, электронный блок обработки и преобразования сигналов и OLED дисплей, а блок целеуказания дополнительно содержит установленное между объективом формирования излучения и лазерным полупроводниковым излучателем дихроичное зеркало, оптически сопряженное с дополнительно введенным вторым лазерным полупроводниковым излучателем, а также дополнительно содержит второй объектив формирования излучения, сфокусированный на дополнительно введенный третий лазерный полупроводниковый излучатель, причем входы всех трех лазерных полупроводниковых излучателей электрически соединены через дополнительно введенный трехпозиционный переключатель с выходом блока накачки. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости. Изобретение обеспечивает устранение поверхностных токов утечки и взрывных шумов туннельного типа, а также увеличение пробивного напряжения планарных р+-n переходов на кристаллах InAs. В способе формирования диэлектрического слоя методом анодного окисления в гальваностатическом режиме при плотности тока 0,5 мА/см2 в электролите на основе смеси этиленгликоля и концентрированного раствора аммиака в соотношении 5:1 с добавлением фторсодержащей компоненты - соли NH4F, обеспечивающей концентрацию NH4F в электролите 12 г/л, толщину слоя обеспечивают . 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для организации работы скрытого радиоканала. Технический результат заключается в повышении энергетической скрытности. Малогабаритный передатчик повышенной энергетической скрытности состоит из тактового генератора (1), генератора линейной последовательности (2), трех сумматоров логического сложения по модулю 2 (4, 5, 7), блока оцифровки речевой информации (6), генератора несущей частоты (9), двух перемножителей (10, 11), фазовращателя (12), алгебраического сумматора квадратурных каналов (13), полосового фильтра (14) и дополнительно введенных генератора линейной маскирующей псевдослучайной последовательности (3) и сумматора логического сложения по модулю 2 (8). 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. В способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InGaAs, включающем имплантацию ионов Be+ и постимплантационный отжиг, последний проводят при температуре 570÷580°С с длительностью 10÷20 с в вакууме или осушенной нейтральной атмосфере, что позволяет повысить технологичность и снизить энергозатраты при получении слоев с наилучшими электрофизическими свойствами. В частном случае выполнения отжиг проводят излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и области ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторение операций до получения заданных значений темнового тока. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и области ОК до заданных значений. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к способам изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на основе высокоомного кремния p-типа проводимости. Способ включает подготовку пластины исходных p-кремния или кремниевой эпитаксиальной структуры p+-p-типа, формирование маски для имплантации ионов P+ в рабочую область и охранное кольцо, двухстадийную имплантацию ионов P+ с энергией и дозой соответственно (30÷40) кэВ и (3÷4)·1015 см-2 на первой и (70÷100) кэВ и (8÷10)·1015 см-2 на второй стадии для формирования n+-p переходов рабочей области и охранного кольца, имплантацию ионов B F + 2 с энергией (60÷100) кэВ и дозой (2÷3)·10 см-2 с обратной стороны пластины, двухстадийный постимплантационный отжиг при продолжительности и температуре соответственно не менее 1 часа и (570÷600)°C на первой и не менее 5 часов и (890÷900)°C на второй стадии, защиту и просветление поверхности рабочей области и защиту периферии охранного кольца нанесением пленки SiO2, причем отжиг, начальное снижение температуры после отжига до 300°C и нанесение пленки SiO2 при температурах выше 300°C производят в условиях отсутствия кислорода, а имплантацию ионов P+ и B F + 2 проводят одну за другой в любой последовательности. Оптимально подобранные дозы имплантации, режимы и условия постимплантационного отжига и условия нанесения защитного и просветляющего покрытия обеспечивают повышение токовой чувствительности pin-фотодиодов при высоких фоновых засветках с сохранением низкого уровня темновых токов при снижении сложности, трудоемкости и энергозатрат изготовления. 1 з.п. ф-лы,1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InAs включает имплантацию ионов Ве+ с энергией (30÷100) кэВ и дозой (1013÷3·1014) см-2 и постимплантационный отжиг в две стадии с длительностью каждой (10÷20) секунд, первая - при температуре T1=400÷450°C, вторая - при температуре Т2=500÷550°C. За счет наиболее эффективного отжига, при котором сначала отжигаются простые, а затем сложные дефекты, происходит улучшение структурного совершенства слоев. 1 ил.

Изобретение относится к средствам моделирования и оценивания факторов, затрудняющих восприятие информации операторами сложных технических систем. Технический результат заключается в обеспечении предобработки информации в ситуациях сложного (произвольного) воздействия на моделируемый объект дестабилизирующих факторов посредством применения однотипных фрагментов оснащаемого интеллектуального стенда. Устройство использует многоканальную матричную структуру с обратной связью, устройства для контроля и линеаризации передаточных характеристик многоканальных преобразователей для указанных исследовательских задач и экспериментов. В устройство введены блок управления, генератор многомерных последовательностей, блоки сопряжения, коммутации, сравнения, памяти, счетчик числа переключений субблока выявления неисправностей. 2 ил.

Изобретение относится к области гироскопических систем и может быть использовано для определения азимутального положения платформы трехосного гиростабилизатора, например, в высокоточных навигационных системах различного назначения. Предлагаемый способ заключается в том, что корпус одного из гироблоков, вектор кинетического момента которого направлен примерно на запад или на восток, поворачивают относительно платформы трехосного гиростабилизатора в азимуте вслед за поворотом гироскопа к меридиану. Поворот корпуса осуществляется следящей системой, состоящей из шагового двигателя, на вход которого поступают импульсы, частота следования которых пропорциональна сигналу, снимаемому с датчика угла гироблока. Азимут платформы трехосного гиростабилизатора определяется путем обработки информации об угле поворота корпуса гироблока, который пропорционален числу импульсов на входе шагового двигателя.

Изобретение относится к области метрологического обеспечения стационарных пирометрических устройств в рабочих условиях эксплуатации и может быть применено в системах контроля температуры букс подвижного состава железных дорог. Способ измерения эквивалентной температуры включает автоматическую коррекцию градуировочной характеристики рабочего пирометра перед измерениями по встроенному опорному источнику, измерение эквивалентной температуры исследуемого объекта по его излучению и периодическую поверку пирометра, которую проводят в рабочих условиях путем измерений эквивалентной температуры встроенного опорного источника рабочим пирометром и внешним образцовым пирометром, обладающим нормированными для рабочих условий метрологическими характеристиками, сопоставления полученных значений эквивалентных температур и внесения поправок в результаты последующих измерений. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения точности и стабильности измерения. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты)

Изобретение относится к области медицины, в частности к травматологии и ортопедии

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb)
Изобретение относится к клеящим веществам на основе модифицированных эпоксидных смол и может использоваться в производстве вакуумных оптико-электронных приборов, в том числе охлаждаемых фотоприемников, подвергающихся многократным термоударам

Изобретение относится к информационно-аналитическим системам, предназначенным для мониторинга, анализа и прогнозирования сфер жизнедеятельности

Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, в частности к оценке качества изображения оптических систем

Изобретение относится к фоточувствительным полупроводниковым приборам, в частности, к приемникам излучения, содержащим размещенный в герметичном корпусе кристалл с фоточувствительными элементами и предназначенным для использования, например, в гироскопах, акселерометрах и других приборах, имеющих системы пространственной ориентации

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb)

Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных к инфракрасному излучению одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх