Патенты автора Орлова Марина Николаевна (RU)
Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания // 2777553
Изобретение относится к наноэлектронике и служит для создания энергонезависимого статического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является уменьшение энергопотребления и повышение степени интеграции. Технический результат достигается тем, что электрическая схема 4-транзисторной ячейки памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания содержит общую шину, шину питания, адресную шину, первую и вторую разрядные шины, первый и второй управляющие n(р)-МОП транзисторы, первый и второй переключающие n(р)-МОП транзисторы и использует встроенный в матрицу ОЗУ ПВ радиоактивный источник излучения в качестве генератора фототоков в нагрузочных диодах триггерной ячейки. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится технологии изготовления фотовольтаических преобразователей. Согласно изобретению предложен способ изготовления фотовольтаических (ФВЭ) элементов с использованием прекурсора для жидкофазного нанесения полупроводниковых слоев р-типа, включающий получение прекурсора [Сu(NН3)4](ОН)2 растворением Сu(ОН)2 в насыщенном растворе аммиака в этиленгликоле с концентрациями от 5 до 100 мг/мл, прогрев подложки, формирование слоя нестехиометрического оксида меди путем жидкофазного нанесения раствора методом вращения подложки (центрифугирования) на слой оксида индия, допированного фтором, на стекле в режиме вращения, от 2500 до 3500 об/мин в течение 30-90 секунд, с последующим отжигом при температуре 150-300°С в течение 1 часа, нанесение методом центрифугирования подложки слоя перовскита, нанесение аналогичным образом на слой перовскита полупроводящего органического слоя метилового эфира фенил-С61-масляной кислоты, а затем батокупроина, терморезистивное напыление проводящих контактов на основе серебра. Изобретение обеспечивает возможность варьировать толщину получаемого слоя ФВЭ за счет изменения концентрации медьсодержащего прекурсора, а также снижение температуры получения полупроводникового дырочно-транспортного слоя, что обеспечивает возможность их применения в рамках таких технологических процессов как струйная печать на гибких подложках и нанесения методом вращения подложки. 1 табл., 2 ил.
Конструкция монолитного кремниевого фотоэлектрического преобразователя и способ ее изготовления // 2608302
Изобретение относится к области многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), применяемых для солнечных батарей и фотоприемников космического и иного назначения. Монолитный кремниевый фотоэлектрический преобразователь содержит диодные ячейки с расположенными в них перпендикулярно горизонтальной светопринимающей поверхности, вертикальные p-n-переходы и расположенные в диодных ячейках, параллельно к светопринимающей поверхности, горизонтальные n+-p-(p+-n-) переходы, причем все диодные ячейки последовательно соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, при этом каждая диодная ячейка (и их вертикальные p-n-переходы) изолирована от соседних с четырех сторон, сбоку - слоем диэлектрика, снизу - дополнительным горизонтальным p-n-переходом, образованным кремниевой подложкой p- (n-) типа проводимости и нижним горизонтальным n+ (p+) слоем p-n-перехода, причем на верхней горизонтальной поверхности диодной ячейки расположен верхний горизонтальный p-n-переход, на n+ (p+) слоях которого соответственно расположены электрод катода (анода), а на p+ (n+) слое - электрод анода (катода). Также предложен способ формирования монолитного кремниевого фотоэлектрического преобразователя. Технический результат изобретения заключается в повышении коэффициента полезного действия, радиационной стойкости и технологичности многопереходных преобразователей. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к высокотемпературной очистке продуктов сгорания всех видов органического топлива от оксидов азота (NOx) путем их селективного некаталитического восстановления (СНКВ). Способ высокотемпературной очистки продуктов сгорания в газоходе теплового агрегата от оксидов азота путем их СНКВ, заключающийся в том, что в ограниченные температурным диапазоном 850 - 1100°C выбранные зоны газохода между расположенными в нем поверхностями нагрева вводят аммиаксодержащий восстановитель. Отличие: восстановитель вводят одновременно во все указанные выбранные зоны, причем в каждую из этих зон его подают с коэффициентом расхода по отношению к стехиометрическому расходу меньшим единицы. Число зон ввода преимущественно восстановителя составляет 2 - 5. Коэффициент расхода восстановителя, подаваемого в каждую зону очистки, устанавливают преимущественно в диапазоне 0,2-0,8. В качестве восстановителя преимущественно используют аммиак или карбамид. Технический результат изобретения - обеспечение максимальной степени восстановления NOx без превышения стехиометрического соотношения расхода восстановителя. 4 з. п. ф-лы, 1 ил., 4 табл.
Изобретение относится к процессам некаталитической очистки дымовых газов от оксидов азота и может быть использовано для снижения их содержания в дымовых газах топливосжигающих установок любой мощности и назначения
Изобретение относится к процессам селективной некаталитической очистки дымовых газов от оксидов азота (NOx) с использованием карбамида и предназначено для снижения содержания NOx в продуктах сгорания тепловых агрегатов различного назначения при сжигании любых видов органического топлива
Изобретение относится к процессам селективной некаталитической очистки дымовых газов от оксидов азота и может быть использовано для снижения содержания оксидов азота в низкотемпературных дымовых газах от топливосжигающих установок
