Патенты автора Бурый Евгений Владленович (RU)
Изобретение относится к приборам квантовой электроники, являющимся источниками лазерного излучения большой мощности. Сущность изобретения заключается в том, что в квантроне лазера с диодной накачкой активной среды реализована схема продольной относительно оптической оси лазера накачки. Активная среда накачивается излучением лазерных диодов, расположенных у поверхностей пары вращающихся во встречных направлениях дисков. Эти поверхности имеют покрытия, являющиеся просветляющими для излучения лазера, а покрытия поверхностей дисков, удаленных от лазерных диодов, отражают излучение накачки в направлении материала каждого из дисков. В результате в рабочей области создается квазиравномерное распределение инверсной населенности, обеспечивающее увеличение энергии излучения лазера и способствующее росту его качества. Выполнение поверхностей дисков непараллельными препятствует неконтролируемому развитию генерации лазерного излучения в объеме дисков и увеличивает мощность выходного лазерного излучения, а предусмотренное отличие формы токов накачки лазерных диодов позволяет сформировать распределение инверсной населенности, приближающееся к квазиравномерному и симметричному относительно оптической оси квантрона. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к лазерной технике. Импульсный лазерный полупроводниковый излучатель содержит герметичный корпус с выводами и крышку с прозрачным окном для вывода излучения решеток лазерных диодов, установленных на плоскости основания внутри корпуса равномерно по окружности. При этом в основании, выполненном теплопроводящим, имеются отверстия, в каждом из которых находится теплоотвод со смонтированной на нем решеткой лазерных диодов. Все решетки лазерных диодов электрически соединены последовательно с соблюдением полярности и подключены к выходной обмотке согласующего импульсного трансформатора с коэффициентом трансформации K, имеющего обмотку смещения рабочей точки магнитопровода, выполненного из магнитного материала с большой величиной индукции насыщения, например, нанокристаллического металлического сплава. Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения средней мощности излучения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к лазерной технике. Многопроходный усилитель лазерного излучения выполнен в виде оптической системы с четным числом оптически сопряженных зеркал, построенной по типу оптической системы Кассегрена, причем зеркала выполнены из оптически активного материала. Активная среда накачивается излучением лазерных диодов, расположенных у поверхностей зеркал. Эти поверхности имеют покрытия, отражающие усиливаемое лазерное излучение и являющиеся просветляющими для излучения накачки. Противоположные поверхности зеркал имеют покрытия, являющиеся просветляющими для усиливаемого лазерного излучения и отражающими для излучения накачки лазерных диодов. Технический результат заключается в обеспечении возможности уменьшения количества оптических элементов при увеличении выходной мощности пучка излучения и обеспечении его малой расходимости. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров с накачкой лазерными диодами
