Патенты автора Гусев Валентин Константинович (RU)
Изобретение относится к датчикам для измерения угла поворота, основанным на анизотропном магниторезистивном эффекте в тонких магнитных пленках, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Технический результат – балансировка углового магниторезистивного датчика. Способ балансировки углового магниторезистивного датчика содержит этапы, на которых осуществляют подключение дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечами моста Уинстона и балансировку моста Уинстона путем увеличения сопротивлений плеч моста Уинстона последовательным лазерным перерезанием перемычек соответствующих подгоночных сопротивлений, сначала на включенный мост Уинстона подают магнитное поле величиной не менее поля насыщения магниторезистивного материала датчика, затем замеряют значения выходного напряжения моста Уинстона при двух взаимно перпендикулярных направлениях магнитного поля, при которых выходное напряжение имеет максимальное и минимальное значения, и добиваются равенства этих значений по абсолютной величине, увеличивая сопротивления плеч моста Уинстона. 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано при изготовлении тахометров, датчиков перемещения, приборов для бесконтактного измерения электрического тока, магнитометров, электронных компасов и т.п. Способ изготовления магниторезистивного датчика включает формирование на изолирующей подложке методами вакуумного напыления и фотолитографии тонкопленочных функциональных элементов датчика и полиимидной изоляции между ними, нанесение конструктивной защиты, на изолирующей подложке формируют мост Уинстона, полиимидную изоляцию и катушку индуктивности «offset», а катушку индуктивности «set/reset», контактные площадки датчика и знаки совмещения формируют на плате-держателе, причем центральный виток катушки выводят на соответствующую контактную площадку платы-держателя, для чего прошивают два переходных отверстия и пропыляют обратную сторону платы-держателя, а затем изолирующую подложку монтируют на плату-держатель в соответствии со знаками совмещения и разваривают функциональные элементы датчика на контактные площадки платы-держателя. Технический результат – упрощение технологии изготовления, повышение надежности конструкции, повышение стабильности выходного напряжения датчика. 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к технологии нанесения нанопленок в вакууме и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру, магнетрон с кольцевой зоной эрозии мишени и связанные кинематически с реверсивным электроприводом вакуумный ввод с поводковым зацепом и платформу с подложкодержателями. Подложкодержатели кинематически связаны посредством оси с роликами и установлены на платформе со смещением к центру мишени относительно зоны эрозии параллельно поверхности мишени. Ролики опираются на кольцевую направляющую, опорная поверхность которой имеет скос. В центре платформы, в нижней части оси, закреплена заслонка, выполненная в виде диска с отверстиями, размер которых не менее размера подложек. В верхней части оси, над платформой, установлен поводок, связанный с поводковым зацепом. На платформе установлены стопоры для возможности поворота заслонки в противоположные стороны. Изобретение направлено на снижение неравномерности толщины и повышение качества пленок. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет повышения стабильности выходного сигнала и повышение технологичности изготовления датчика за счет сокращения числа операций процесса его изготовления. Сущность: способ включает изготовление моста Уинстона путем последовательного вакуумного напыления на подложку слоев FeNi(FeNiCo), Та, FeNi(FeNiCo) и последующего фотолитографического травления, изготовление двух пленочных катушек индуктивности «set/reset» и «offset» путем напыления проводящих слоев и последующего фотолитографического травления, нанесение изоляции между мостом Уинстона и катушками индуктивности, нанесение конструктивной защиты. При изготовлении моста Уинстона на слой Та за один цикл откачки вакуумной камеры напыляют слой Cu, а затем слой FeNi(FeNiCo) с образованием структуры FeNi(FeNiCo)-Ta-Cu-FeNi(FeNiCo), из которой путем фотолитографического травления через совмещенный фотошаблон сначала формируют контур моста Уинстона с рисунком проводящего слоя, включающим полоски, перемычки, проводники и контактные площадки, а затем через другой фотошаблон формируют магниторезистивные полоски и полюса Барбера с образованием топологии моста Уинстона с магниторезистивными полосками из FeNi(FeNiCo)-Ta и полюсами Барбера из Cu-FeNi(FeNiCo). 3 ил.
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя,при этом проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик после нанесения конструктивной защиты с последующим фотолитографическим травлением. Изобретения способа лбеспечивает повышение технических характеристик: повышение удельной чувствительности, уменьшение разбаланса и снижение стоимости датчика. 3 ил.
Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей
Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п
АБСОЛЮТНЫЙ ДАТЧИК УГЛА ПОВОРОТА // 2436037
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного определения положения вала электродвигателя
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2347302
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано в датчиках перемещений, устройствах измерения электрического тока и магнитных полей
Изобретение относится к области вакуумного напыления тонких пленок и может быть использовано в системах магнитной записи, датчиках, основанных на магниторезистивном эффекте
