Патенты автора Сергеев Вячеслав Андреевич (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: на каждую ИС из репрезентативных выборок из каждой сравниваемой партии воздействуют электростатическими разрядами (ЭСР) разной полярности напряжением, равным удвоенному от допустимого по ТУ для данного типа ИС значения до наступления отказа ИС. На ИС последующих выборок из сравниваемых партий воздействуют ЭСР-потенциалом, увеличенным на определенную величину, например на 250 В, до наступления отказа ИС. Процедуру с увеличением потенциала ЭСР повторяют не менее двух раз. Затем строят зависимости усредненных по выборкам значений числа импульсов ЭСР до наступления отказа ИС от напряжения ЭСР. Партия ИС, у которой полученная зависимость будет лежать ниже, принимается более стойкой к ЭСР по сравнению с другой партией. Технический результат: повышение достоверности оценки стойкости партий ИС к ЭС. 1 ил., 1 табл.

Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода, согласно которому через светодиод пропускают электрический ток и при заданном значении постоянного тока из диапазона токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, измеряют мощность оптического излучения светодиода, при этом мощность оптического излучения светодиода измеряют при нескольких произвольно выбранных значениях электрического тока Ik, находящихся в диапазоне токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, полученную экспериментальную ватт-амперную характеристику Pk(Ik) аппроксимируют методом наименьших квадратов функцией вида по результатам аппроксимации определяют параметры m и q аппроксимирующей функции, и значение внутреннего квантового выхода η светодиода при произвольном значении тока в заданном диапазоне рассчитывают по формуле Способ направлен на уменьшение аппаратных затрат, трудоемкости и времени измерения, а также обеспечивает расширение функциональных возможностей способа. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий (ППИ). Предложен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия, отличающийся тем, что с целью расширения функциональных возможностей и уменьшения погрешности измерения длительность tи импульса греющей мощности устанавливают равным 3, где - приблизительное (оценочное) значение тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия, дополнительно измеряют приращения температуры перехода в моменты времени t1≈ и t2=2t1, значение теплового сопротивления переход-корпус и уточненное значение тепловой постоянной времени переход-корпус. Технический результат состоит в расширении функциональных возможностей способа и в снижении погрешности измерения теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия. 4 ил.

Изобретение относится к испытаниям интегральных схем (ИС) и может быть использовано для определения стойкости партий ИС к электростатическому разряду (ЭСР) при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят механические испытания ИС, допустимые по техническим условиям, путем многократных ударов на выводы ИС. После механических испытаний произвольные выборки из партий ИС разделяют по крайней мере на три группы ИС, на ИС каждой группы воздействуют ЭСР до наступления отказа ИС и определяют число поданных разрядов на ИС. На одну группу ИС подают ЭСР напряжением не менее удвоенного предельно допустимого по техническим условиям. На другую группу ИС подают ЭСР повышенным напряжением на 100-300 В по сравнению с первой группой. Далее опять повышают напряжение ЭСР на 100-300 В для воздействия на следующую группу ИС в выборке. Затем определяют усредненное число воздействий ЭСР на ИС каждой группы. По наибольшему значению усредненного числа воздействий ЭСР оценивают стойкость партии ИС к ЭСР как более высокую. Технический результат: повышение достоверности оценки сравнительной надежности ИС. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем, и может быть использовано как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях. Сущность: на представительной выборке интегральных схем у каждой интегральной схемы измеряют информативный параметр при нормальной температуре при номинальном и критическом напряжениях питания до и после воздействия на каждую пару выводов «вход-выход» интегральной схемы 20 электростатическими разрядами обеих полярностей напряжением максимально допустимым по техническим условиям для данного типа интегральных схем. Определяют изменение информативного параметра путем вычисления разности значений параметра до и после воздействия 20 электростатическими разрядами. Вычисляют среднее арифметическое значение изменения информативного параметра при номинальном и критическом напряжениях питания. К потенциально ненадежным изделиям относят те интегральные схемы, для которых среднее значение изменения информативного параметра примерно в 4-5 раз больше минимального среднего значения изменения информативного параметра в выборке. Технический результат: снижение трудоемкости и времени испытаний. 3 табл.

Изобретение относится к технике контроля тепловых характеристик светодиодов и может быть использовано для контроля качества монтажа кристаллов светодиодов на монтажную пластину, в том числе светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус светодиода, состоящий в пропускании через светодиод импульса греющего тока заданной силы Im и длительности tи, примерно равной тепловой постоянной времени τТп-к переход-корпус светодиода, и в измерении яркости излучения светодиода люксметром, отличающийся тем, что сразу после включения импульса тока измеряют значение яркости E0 излучения светодиода, через время tи/2 после включения импульса тока измеряют прямое напряжение Um на диоде и значение яркости Е1 излучения, а через время tи после включения импульса тока - значение яркости Е2 излучения светодиода и тепловое сопротивление переход-корпус светодиода определяют по формуле где - греющая мощность, рассеиваемая светодиодом, ξ - среднее значение квантовой эффективности и средний коэффициент температурного спада интенсивности излучения данного типа светодиодов при заданном токе соответственно b1=ln(E1/E0); b2=ln(Е2/Е0). 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых характеристик и тепловых параметров цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) и может быть использовано для контроля качества ЦИМС малой и средней степени интеграции на выходном или выходном контроле. Сущность: подают на контролируемую микросхему напряжение питания Епит, нагревают микросхему путем подачи на входы ее логических элементов высокочастотных переключающих импульсов, измерят в процессе разогрева микросхемы в заданные моменты времени мгновенную потребляемую мощность и температурочувствительный параметр с известным температурным коэффициентом КU. До подачи высокочастотных переключающих импульсов все логические элементы контролируемой микросхемы устанавливают в состояние логической единицы на выходе и за короткий интервал времени τизм измеряют сумму U1(0) напряжений логической единицы на выходе всех логических элементов и ток потребления Iпот(t0) до разогрева. Затем на входы всех логических элементов подают высокочастотные переключающие импульсы. В заданные моменты времени tk подачу высокочастотных переключающих импульсов прекращают, все логические элементы контролируемой микросхемы на короткий интервал времени τизм устанавливают в состояние логической единицы на выходе. За время τизм измеряют сумму напряжений U1(tk) логической единицы на выходе всех логических элементов и ток Iпот (tk) потребления микросхемы. Определяют значение переходной тепловой характеристики в заданный момент времени по формуле где - средний ток потребления микросхемы с момента времени t0 до момента времени tk. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров электронных модулей с бескорпусными полупроводниковыми изделиями (ППИ) и может быть использовано для контроля качества сборки электронных модулей с двумя кристаллами бескорпусных ППИ как на этапах разработки и производства электронных модулей, так и на входном контроле предприятий-потребителей электронных модулей при оценке их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что на электронный модуль с двумя бескорпусными полупроводниковыми изделиями в качестве активных элементов, находящийся при начальной температуре Т0, в момент времени t01 подают импульс греющей мощности заданного уровня Р01 длительностью tИ1≈τTn-к, где τTn-к - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий, измеряют приращения температуры ΔT11(tИ1) и ΔT21(tИ1) активной области (поверхности) кристалла первого и второго полупроводниковых изделий соответственно по отношению к начальной температуре в момент окончания первого импульса греющей мощности, после окончания первого импульса греющей мощности электронный модуль охлаждают до начальной температуры, затем в момент времени t02 на него подают второй импульс греющей мощности уровня P02 длительностью tИ2≈(3÷5)τTn-к и вновь измеряют приращения температуры ΔT12(tИ1) и ΔT22(tИ1) кристаллов первого и второго полупроводниковых изделий соответственно через интервал времени tИ1 и ΔT12(tИ2) и ΔT22(tИ2) - в момент окончания второго импульса греющей мощности, тепловые постоянные времени переход-корпус полупроводниковых изделий рассчитывают по формулам , , а тепловые сопротивления переход-корпус по формулам , , где Р12=аР11, , , . 2 ил.

Использование: в области электротехники для защиты устройств электроснабжения от короткого замыкания и бесперебойного электроснабжения исполнительных устройств автоматики при переходных электрических процессах. Технический результат – обеспечение защиты устройства от ложного срабатывания. Устройство содержит последовательно соединенные клемму «Вход», первый преобразователь, нормально замкнутые неподвижный и подвижный контакты первого коммутатора, клемму «Выход». Второй преобразователь включен между неподвижным разомкнутым контактом первого коммутатора и клеммой «Общий». Высокочастотный источник тока соединен с неподвижным разомкнутым контактом первого коммутатора через нормально замкнутые контакты второго коммутатора. Входы управления первого и второго коммутатора объединены и соединены с выходом D-триггера. Информационный выход первого и второго преобразователя соединен с входом первого и второго компаратора соответственно, вход опорного напряжения каждого из которых соединен с первым и вторым источником опорного напряжения. Выход первого компаратора соединен с входом формирователя импульсов, выход которого соединен с входом D-триггера. Первый вход логического элемента 2И соединен с выходом схемы установки исходного состояния, вход которого соединен с выходом источника питания. Вход расширителя импульсов соединен с выходом второго компаратора напряжения, а выход расширителя импульсов соединен с вторым входом логического элемента 2И. 2 ил.

Изобретение относится к средствам неразрушающего контроля качества сквозных металлизированных отверстий (СМО) печатных плат (ПП). Технический результат - повышение достоверности выявления дефектов и в обеспечение возможности их идентификации. Технический результат достигается тем, что в способе неразрушающей диагностики дефектов СМО ПП верхнюю кромку металлизации в течение времени tнагр нагревают лучом лазерного излучения заданной мощности, сфокусированным по ее границам, где tнагр ≈ 3(8r)2/aт, r - радиус отверстия, ат - температуропроводность материала ПП. По окончании нагрева бесконтактным способом с помощью ИК-камеры измеряют температуру верхней ТB и нижней ТH кромок металлизации отверстия, а о дефектах СМО судят по разности этих температур δT = ТB - TH и по отношению их приращений: ΔТВ/ΔТН, где ΔТВ = ТВ - Т0, ΔТН = ТН - Т0, Т0 - начальная температура. При этом при превышении δT порогового значения δTпор делается заключение о дефектности металлизации отверстия, а при превышении q = [(ΔTB/ΔTH)-1]-1 порогового значения qпор делается заключение о дефектности адгезии металлизации с диэлектриком ПП, где значения δTпор и qпор определяются по результатам выборочных измерений на представительной выборке СМО данного типоразмера. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем с КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Технический результат: уменьшение погрешности измерения за счет исключения влияния электрической составляющей по цепи питания контролируемой микросхемы. Сущность: один или несколько логических элементов контролируемой микросхемы разогревают путем подачи на их входы переключающих импульсов высокой частоты FВЧ. На вход логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры и не имеющего функциональной связи с греющими логическими элементами, подают прямоугольные переключающие импульсы, частота следования FТЧП которых меньше частоты переключения FВЧ греющих логических элементов. Импульсы с выхода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, подают на вход вольтметра постоянного напряжения через последовательно соединенные два внешних по отношению к контролируемой микросхеме КМОП инвертора. Измеряют до и после нагрева среднее значение импульсного напряжения и греющую мощность и определяют их приращения. Среднее значение импульсного напряжения используют в качестве температурочувствительного параметра. Определяют тепловое сопротивление как отношение приращения среднего значения импульсного напряжения к приращению греющей мощности и известному температурному коэффициенту среднего значения импульсного напряжения. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для разбраковки интегральных схем (ИС) по критерию потенциальной надежности. Технический результат: повышение эффективности и достоверности разделения ИС на надежные и потенциально ненадежные. Сущность: при исследовании представительной выборки ИС частоту прямоугольных импульсов входного напряжения устанавливают близкой к предельной рабочей частоте ИС данного типа. Измеряют время нарастания выходного напряжения при изменении напряжения питания ИС от номинального до критического с шагом 0,2 В при двух температурах: комнатной температуре, близкой к 20°С, и повышенной температуре, близкой к 100°С. Определяют зависимость разности времени нарастания импульсов выходного напряжения Δτ(Uпит), измеренных при указанных температурах, от напряжения питания. Отбраковывают ИС как потенциально ненадежные по увеличению разности времени нарастания импульсов Δτ(Uпит) более чем на 10% от значения Δτ при критическом напряжении питания. 1 пр., 4 ил.

Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур и светодиодов на их основе и может быть использовано для контроля качества светодиодов на основе GaN и их разделения по уровню энергетической эффективности. Сущность способа состоит в том, что возбуждение электролюминесценции светодиода осуществляют при двух значениях постоянного электрического тока I1 и I2, соответствующих диапазону роста на токовой зависимости внутренней квантовой эффективности светодиода, причем I1<I2, при каждом из этих значений тока измеряют соответственно полные мощности P1 и Р2 оптического излучения светодиода, затем при каждом из этих значений тока через светодиод дополнительно пропускают переменный гармонический ток малой амплитуды Im<I1 и измеряют соответственно значения ƒ3∂Б1 и ƒ3∂Б2 граничной частоты модуляции электролюминесценции и значение внутреннего квантового выхода η светодиода при токе I1 и I2 рассчитывают по предложенным формулам. Преимущества изобретения состоят в уменьшении аппаратных затрат, трудоемкости и времени измерения при реализации способа. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий транзисторов одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности состоит в том, что подготавливают одинаковые по численности выборки партий транзисторов, измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре около 20°С, затем проводят испытание транзисторов на безотказность в течение приблизительно 100 часов при повышенной температуре и измеряют коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при повышенной температуре, далее после выдержки транзисторов в течение по крайней мере 24 часов при нормальных условиях вновь измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре, по результатам выполненных измерений рассчитывают значения относительного изменения коэффициента передачи тока транзисторов сразу после их испытаний на безотказность К1 и после выдержки при нормальных условиях К2, затем в каждой выборке транзисторов вычисляют произведение П1 значений К1 всех транзисторов в выборке и произведение П2 значений К2 всех транзисторов в выборке, на основании измерений и расчетов как более качественная и надежная партия транзисторов оценивается партия транзисторов с наименьшими значениями произведений П1 и П2 соответствующей выборки транзисторов. Изобретение обеспечивает отбраковку потенциально ненадежных транзисторов без разрушающих воздействий. 2 табл.

Изобретение относится к технике измерения динамических характеристик светодиодов и полупроводниковых светоизлучающих структур и может быть использовано для диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур (СГС) и их характеристики по динамическим свойствам. Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры, при котором через светоизлучающую гетероструктуру пропускают последовательность импульсов электрического тока скважностью 2 и начальной частотой следования несколько килогерц, частоту следования импульсов тока постепенно увеличивают и при каждом заданном значении Fi частоты следования импульсов тока регистрируют цифровой камерой излучение с поверхности светоизлучающей гетероструктуры, полученные оцифрованные изображения сохраняют в памяти компьютера, увеличение частоты следования импульсов тока прекращают, когда средний уровень яркости изображения, регистрируемого цифровой камерой, снизится в 1,5 раза относительно значения, измеренного на начальной частоте, на изображении светоизлучающей гетероструктуры выделяют локальную область и находят k-e изображение, на котором средняя яркость выделенной области светоизлучающей гетероструктуры в раз меньше исходной средней яркости, и определяют для k-го изображения граничную частоту ƒ3дБ=Fk электролюминесценции выбранной локальной области светоизлучающей гетероструктуры, а при отсутствии точного значения в отношении последующих изображений граничную частоту электролюминесценции локальной области светоизлучающей гетероструктуры определяется путем интерполяции по формуле. Технический результат- повышение информативности диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур по локальным динамическим параметрам. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров кристаллов бескорпусных полупроводниковых изделий в составе электронных модулей и может быть использовано для контроля качества сборки электронных модулей как на этапах разработки и производства электронных модулей, так и на входном контроле предприятий-потребителей электронных модулей при оценке их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что на электронный модуль с двумя активными элементами в виде бескорпусных полупроводниковых изделий, находящийся при начальной температуре T0. В момент времени t01 подают импульс греющей мощности заданного уровня P01 длительностью tИ1≈(3÷5)τТп-к, где τТп-к - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий. Измеряют приращения температуры ΔT11(t1) и ΔT21(t1) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий через интервал времени t1≈τТп-к после подачи импульса греющей мощности и приращения ΔT11(tИ1) и ΔT21(tИ1). В момент окончания импульса греющей мощности в течение времени tохл~τТк-с электронный модуль оставляют в выключенном состоянии с целью его охлаждения до начальной температуры, затем в момент времени t02 на него подают импульс греющей мощности уровня Р02 длительностью tИ2=t1≈τTп-к. Измеряют приращение температуры ΔT12(t1) и ΔT22(t1) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий в момент окончания импульса греющей мощности, то есть через тот же интервал времени t1 после подачи импульса греющей мощности. По результатам измерений рассчитывают тепловые сопротивления переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий по формулам где и точные значения тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий - по формулам Технический результат - снижение погрешности и обеспечение возможности измерения тепловых параметров кристаллов гальванически связанных полупроводниковых изделий в составе электронного модуля при невозможности раздельного измерения мощности, потребляемой каждым полупроводниковым изделием в отдельности и, как следствие, повышение достоверности контроля качества сборки электронных модулей. 2 ил.

Использование: в области электротехники. Технический результат – повышение чувствительности устройства при автоматическом повторном включении после самоустранения короткого замыкания и уменьшение массогабаритных показателей. Устройство автоматического повторного включения содержит высокочастотный источник тока, первый, второй и третий преобразователи, делитель частоты, первый и второй коммутаторы, первый и второй компараторы, первый и второй источники опорного напряжения, первый и второй D-триггеры, первую и вторую логические схемы 2И, первую и вторую схемы задержки, клеммы «Вход», «Выход» и «Общий». Соединены последовательно клемма «Вход», первый преобразователь, третий преобразователь, замкнутые неподвижный и подвижный контакты первого коммутатора, клемма «Выход». Второй преобразователь соединен с неподвижным разомкнутым контактом первого коммутатора и клеммой «Общий» с другой стороны. Информационный выход первого и второго преобразователей соединен с первым входом первого и второго компараторов соответственно, второй вход каждого из которых соединен с первым и вторым источниками опорного напряжения. Выход первого компаратора соединен с входом первого D-триггера и через первую схему задержки с входом второго D-триггера. Выход первого и второго D-триггеров соединен с входом управления первого и второго коммутаторов соответственно. Высокочастотный источник тока соединен через второй коммутатор с клеммой «Выход». Выход третьего преобразователя через делитель частоты соединен с первыми входами первой и второй логических схем 2И, выходы которых соединены с входами установки нуля первого и второго D-триггеров соответственно. Выход второго компаратора соединен с вторым входом второго логического элемента 2И и через вторую схему задержки соединен с вторым входом первого логического элемента 2И. 2 ил.

Изобретение относится к области измерения температуры и может быть использовано для регулирования температуры нагрева или охлаждения объекта. Сигнализатор температуры содержит генератор прямоугольных импульсов из нечетного количества инверторов цифровой интегральной микросхемы, соединенных по кольцевой схеме. Выходом генератора прямоугольных импульсов является выход любого выбранного инвертора. К каждому выходу инвертора подключают конденсатор. Конденсаторы используют в качестве температурочувствительных элементов и размещают на объекте регулирования температуры. Выход генератора прямоугольных импульсов соединяют со входом преобразователя частота-напряжение. Выход преобразователя соединяют с первым входом компаратора. Второй вход компаратора соединяют с выходом задатчика температуры срабатывания. Выход компаратора соединяют со входом регистратора. Технический результат - расширение диапазона регулирования уставки температуры. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля тепловых свойств цифровых интегральных схем (ЦИС). Сущность: для измерения переходной тепловой характеристики (ПТХ) цифровой интегральной схемы нечетное количество логических элементов включают по схеме кольцевого генератора. Подают питающее напряжение заданного значения и разогревают цифровую интегральную схему ступенькой электрической греющей мощности. Один логический элемент цифровой интегральной схемы поддерживают в заданном логическом состоянии, а в качестве температурочувствительного параметра используют напряжение на выходе логического элемента, состояние которого задано. Измеряют в процессе разогрева в заданные моменты времени ti мгновенную потребляемую мощность и напряжение на выходе логического элемента с известным температурным коэффициентом напряжения. Рассчитывают среднюю мощность потребления цифровой интегральной схемой за время от начала нагрева t0=0 до момента времени ti. Определяют значение переходной тепловой характеристики как отношение приращения напряжения на выходе логического элемента к известному температурному коэффициенту и к средней потребленной мощности для каждого заданного момента времени ti по формуле ,где Uвых(0) и Uвых(ti) - выходное напряжение логического элемента, логическое состояние которого задано, в моменты времени t0=0 и ti соответственно, КU - температурный коэффициент выходного напряжения логического элемента, Pcp(ti)=[P(0)+P(ti)]/2 - средняя мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой за время от начала нагрева до момента времени ti, а Р(0) и P(ti) - мгновенная мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой в моменты времени t0=0 и ti соответственно. Технический результат: повышение точности измерения ПТХ в начале разогрева ЦИС. 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре. СБИС предварительно программируют тестирующей программой для раздельного диагностирования блоков СБИС. Измеряют критическое напряжение питания выбранного блока путем подачи однократных тактирующих импульсов при пониженном напряжении питания и вывода результата через блок ввода/вывода при нормальном напряжении питания. Для представительной выборки СБИС измеряют зависимость критического напряжения питания от температуры в диапазоне 10÷85°С. На зависимости выделяют информативную область, ограниченную прямой, соответствующей минимально рабочему напряжению согласно ТУ для данного типа СБИС, и кривой измеренной зависимости критического напряжения питания от температуры. По площади этой информативной области оценивают надежность СБИС. Технический результат: возможность контроля качества и надежности программируемых СБИС типа микроконтроллеров и микропроцессоров. 2 табл., 1 ил.

Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока. ИС относят к надежным или потенциально ненадежным по степени отклонения индивидуальных температурных зависимостей КНП функциональных блоков ИС от усредненных по выборке. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности способа. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения. Первый фотоприемник выбирается с гауссовой спектральной чувствительностью с шириной, во много раз превышающей ширину спектра светодиода. Второй фотоприемник имеет равномерную спектральную чувствительность в заданном диапазоне длин волн излучения. При проведении измерений измеряют сигналы фотоприемников U1(0) и U2(0) сразу после подачи греющего тока и U1(tн) и U2(tн) в заданный момент времени tн после разогрева. Температуру Тпн активной области светодиода в момент времени tн рассчитывают по формуле где , Кλ - температурный коэффициент центральной длины излучения светодиода, σ1 - ширина спектральной чувствительности первого фотоприемника, Т0 - температура активной области светодиода до разогрева. Технический результат заключается в упрощении способа и сокращении времени проведения измерений. 2 ил.
Изобретение относится к осветительной технике и может быть использовано для местного освещения рабочих мест мелкого сборочного производства, офисных рабочих мест. Техническим результатом является уменьшение затенения предмета за счет его объемного освещения. Осветительное устройство содержит основание, кронштейн, соединенный первым шаровым шарниром с основанием с одной стороны и вторым шаровым шарниром с первой прямоугольной пластиной с другой стороны. Первая прямоугольная пластина соединена по меньшей мере со второй прямоугольной пластиной по меньшей мере третьим шарниром. Один светодиодный модуль размещен на первой прямоугольной пластине с одной стороны и направлен к предмету освещения, а остальные светодиодные модули размещены на обеих сторонах дополнительных прямоугольных пластин. Угол поворота дополнительных шарниров не менее 180°. Каждый шарнир конструктивно совмещен с коммутатором, который электрически соединен с драйвером питания светодиодов. Светодиодные модули включаются перемещением подвижного узла шарнира относительно неподвижного. Драйвер питания светодиодов расположен в основании светильника. В сложенном положении прямоугольные пластины со светодиодными модулями накладываются друг на друга. 4 ил.

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем и определения их температурных запасов. Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем состоит в том, что контролируемая цифровая интегральная микросхема подключается к источнику питания с напряжением Uпит, нечетное число логических элементов цифровой интегральной схемы соединяют по схеме кольцевого генератора, который периодически включают в режим генерации управляющими импульсами с периодом следования Тсл, длительность τУ которых изменяют по гармоническому закону с частотой модуляции ΩМ, глубиной модуляции m и средним значением длительности τУ0: на частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду переменной составляющей тока, потребляемого цифровой интегральной схемой, амплитуду изменения частоты генерации кольцевого генератора и разность фаз Δϕ(ΩМ) между этими гармониками и модуль теплового импеданса цифровой интегральной схемы на частоте ΩM определяют по формуле где KF - известный отрицательный температурный коэффициент частоты генерации кольцевого генератора, а фазу ϕT(ΩM) теплового импеданса рассчитывают по формуле: .Технический результат заключается в снижении погрешности и упрощении процесса измерений. 3 ил.

Использование: для контроля тепловых характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что разогревают полупроводниковое изделие путем подачи на вход (на определенные выводы) полупроводникового изделия, подключенного к источнику питания, последовательности прямоугольных импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности с частотой следования , измеряют среднюю за период следования прямоугольных импульсов напряжения мощность Pпот, потребляемую полупроводниковым изделием, разность фаз между входным импульсным напряжением и импульсным напряжением на выходе (на выходных выводах) полупроводникового изделия преобразуют в напряжение Uτ(t), в заданные моменты времени ti значения напряжения Uτ(t) запоминают и значения переходной тепловой характеристики полупроводникового изделия в моменты времени ti определяют по формуле ,где Kτ - относительный температурный коэффициент времени задержки сигнала в полупроводниковом изделии, а Uτ(0) - значение напряжения Uτ(t) в начале нагрева полупроводникового изделия, то есть при t0≈0. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий. 2 ил.

Изобретение относится метрологии, в частности к технике измерения тепловых параметров светодиодов. Через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом ΚТλ, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники греющей мощности Рm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода , а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощность оптического излучения светодиода, и модуль теплового импеданса находят по формуле ,а фазу ϕT(Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой греющей мощности. Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе мощного биполярного транзистора при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения при приближении коллекторного напряжения к значению напряжения локализации тока. Контролируемый транзистор включают по схеме с общей базой, задают постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подают напряжение, представляющее собой сумму линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимое значение для данного типа транзисторов при заданном токе, и малого синусоидального напряжения, при напряжении на коллекторе, близком к нулю, определяют амплитуду переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора и затем определяют значения напряжения на коллекторе контролируемого транзистора, при которых амплитуда переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора становится равной и соответственно, где k1 и k2 - заданные коэффициенты превышения начальной амплитуды , причем k2>k1, и искомое напряжение локализации тока вычисляют по предложенной расчетной формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности определения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах при однократном измерении. 3 ил.

Использование: для контроля тепловых свойств цифровых интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в разогреве цифровой интегральной схемы ступенчатой электрической греющей мощностью известной величины и в измерении в определенные моменты времени в процессе разогрева цифровой интегральной схемы температурочувствительного параметра с известным температурным коэффициентом, по изменению которого рассчитывают приращение температуры активной области цифровой интегральной схемы, с целью упрощения способа и уменьшения погрешности измерения переходной тепловой характеристики для задания электрической греющей мощности нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой цифровой интегральной схемы соединяют по схеме кольцевого генератора, подключают его к источнику питания, в заданные моменты времени ti измеряют мгновенную мощность, потребляемую цифровой интегральной схемой от источника питания, и частоту колебаний кольцевого генератора, а значение переходной тепловой характеристики в момент времени t находят по формуле: где и - частота колебаний кольцевого генератора в моменты времени t0=0 и ti соответственно, - температурный коэффициент частоты колебаний кольцевого генератора, Рср(ti)=[Р(0)+P(ti)]/2 - средняя мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой за время от начала нагрева t0=0 до момента времени ti, а P(0) и P(ti) - мгновенная мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой в моменты времени t0=0 и ti соответственно. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа и уменьшения погрешности измерения тепловой переходной характеристики цифровых интегральных схем. 2 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с использованием светодиодов, а также при выборе режимов эксплуатации указанных изделий. Технический результат - сокращение времени измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода. Согласно изобретению через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода направляют на входную щель монохроматора, в заданные моменты времени определяют положение максимума спектра излучения светодиода на фотоприемном устройстве, расположенном перед выходной щелью монохроматора, при этом в качестве фотоприемного устройства используется фотоприемная матрица, строки которой расположены перпендикулярно выходной щели монохроматора, в заданные моменты времени поочередно фиксируются и считываются сигналы фоточувствительных элементов строк фотоприемной матрицы, определяют номер элемента строки фотоприемной матрицы, значение сигнала которого максимально, по изменению этого номера в процессе нагрева светодиода определяют изменение длины волны в максимуме спектра излучения светодиода, по которому и определяют изменение температуры активной области светодиода в заданные моменты времени, то есть переходную тепловую характеристику светодиода. 3 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации высокочастотных импульсов, что приводит к нагреву микросхемы. В качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения. Измеряют средний ток, потребляемый микросхемой от источника питания. Определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле: , где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов наноэлектроники, таких как нанотранзисторы, нанорезисторы и др.. Сущность: способ заключается в пропускании через объект измерения последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, измерении в паузах температурочувствительного параметра - напряжения на объекте при пропускании через него измерительного тока и определении изменения температуры объекта, вызванной модуляцией греющей мощности. Далее с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду первой гармоники температуры объекта, после чего определяют тепловое сопротивление как отношение амплитуд первых гармоник температуры и греющей мощности. При этом при определении амплитуды первой гармоники греющей мощности учитывают величину рассеиваемой мощности в паузе между греющими импульсами при пропускании через объект измерительного тока. Технический результат: повышение точности. 2 ил.

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего логического элемента последовательностью периодических импульсов, измерение изменения температурочувствительного параметра, определение теплового сопротивления, при этом греющий логический элемент переключается высокочувствительными импульсами, а в качестве температурочувствительного параметра используют длительность периода следования низкочастотных импульсов, генерируемых мультивибратором, и мультивибратор состоит из логического элемента контролируемой микросхемы и логического элемента образцовой микросхемы, работающей вместе с пассивными элементами мультивибратора при неизменной температуре. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения времени измерения и погрешности измерения температурочувствительного параметра. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый n-элементный двухполюсник подают напряжение в виде случайного сигнала, имеющего равномерный амплитудный спектр в диапазоне частот, перекрывающем диапазон частот, за пределами которого модуль импеданса двухполюсника можно считать не зависящим от частоты с заданной погрешностью. На образцовом резисторе, включенном последовательно с двухполюсником, измеряют напряжение, пропорциональное току двухполюсника. По двум параллельным каналам записывают в память ЭВМ временные реализации сигналов, подаваемого на двухполюсник и снимаемого с образцового резистора, после чего рассчитывают спектральные плотности напряжения и тока, рассчитывают частотные зависимости модуля и фазы импеданса двухполюсника, определяют характерные частоты. Составляют и решают систему из n уравнений относительно параметров эквивалентной схемы замещения n-элементного линейного двухполюсника. Технический результат заключается в сокращении времени измерения параметров эквивалентных схем замещения многоэлементных линейных двухполюсников. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а, в промежутках между импульсами греющего тока через светодиод пропускают начальный ток, по результатам измерения напряжения на светодиоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом КТ - прямого напряжения на p-n переходе светодиода при протекании через него начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за время разогрева мощность оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле а фаза φT(ΩM) теплового импеданса светодиода равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности. Технический результат заключается в повышении точности измерения модуля теплового импеданса светодиодов. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Технический результат - повышение точности измерения последовательного сопротивления базы диода путем исключения саморазогрева p-n-перехода диода протекающим током в процессе измерения. Используется известный способ измерения последовательного сопротивления базы диода, в котором через диод пропускают прямой ток различной величины и измеряют падение напряжения на диоде при этих значениях прямого тока. Искомую величину последовательного сопротивления базы диода определяют по известным формулам. Для достижения технического результата прямой ток задают в виде трех последовательностей коротких прямоугольных импульсов большой скважности и амплитудой I1, kI1, 2kI1 и измеряют пиковое значение падений напряжения U1, U2, U3 на диоде при пропускании этих импульсов тока. Последовательное сопротивление базы определяется по формуле где ΔU32=U3-U2; ΔU21=U2-U1; ν=ln 2/b; b=ln k. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем. Формируют стартовый и стоповый импульсы заданной длительности и с заданной длительностью интервала между ними, превышающей длительность стартового импульса. Стартовый и стоповый импульсы подают на два параллельных канала, каждый из которых содержит схему ИЛИ и регулируемую линию задержки. Контролируемую микросхему включают в канал стопового импульса. При одном цикле рециркуляции стартовый импульс проходит канал, первый коммутатор, общую линию задержки, второй коммутатор и возвращается на схему ИЛИ канала. Стартовый импульс управляет коммутаторами, которые переключают общую линию задержки к каналу стопового импульса. Аналогичный путь проходит стоповый импульс, только по каналу с контролируемой микросхемой. Стоповый импульс также управляет коммутаторами, которые переключают общую линию задержки к каналу стартового импульса. Предварительно регулируемыми линиями задержки добиваются равенства задержек, вносимых параллельными каналами без подключенной контролируемой микросхемы. Измеряют длительность временного интервала между передними или задними фронтами стартового и стопового импульса при завершении всех циклов рециркуляции, по которой и определяют искомую величину. Длительность между передним фронтом стартового импульса и задним фронтом стопового импульса в конце всех циклов рециркуляции не должна превышать время задержки, вносимой общей линией задержки. Технический результат заключается в уменьшении погрешности измерения. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров нелинейных элементов цепей с температурозависимой вольт-амперной характеристикой, в частности полупроводниковых приборов, и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Подают на контролируемый двухполюсник последовательность коротких импульсов тока большой скважности с изменяющейся амплитудой и измеряют амплитуды импульсов напряжения на контролируемом двухполюснике. При этом амплитуду импульсов тока изменяют по гармоническому закону с заданной частотой Ω со средней амплитудой Iи и глубиной модуляции М. На частоте модуляции Ω измеряют амплитуду Um огибающей импульсного напряжения на контролируемом двухполюснике и дифференциальное сопротивление рассчитывают по формуле R д и ф | I и = U m / M I и . Технический результат заключается в повышении точности измерения дифференциального сопротивления нелинейного двухполюсника с температурозависимой вольт-амперной характеристикой. 3 ил.

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ основан на использовании известного эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения UЭБ(UK). Контролируемый транзистор включается по схеме с общей базой, задается постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подается сумма линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимого значения для данного типа транзисторов при заданном токе, и низкочастотного синусоидального напряжения с малой амплитудой, измеряют амплитуду U ˜ Э Б ( U К 0 ) , U ˜ Э Б ( U К 1 ) , U ˜ Э Б ( U К 2 ) переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора при трех значениях напряжения UK0, UКЛ1, UК2 на коллекторе контролируемого транзистора соответственно и искомое напряжение локализации вычисляют по формуле U К Л = U К 2 − m U К 1 1 − m ,   где , , . При этом для измерения крутизны зависимости UЭБ(UK) используется малый переменный сигнал, позволяющий повысить точность измерения крутизны указанной зависимости. Технический результат заключается в исключении опасных запредельных воздействий на контролируемый прибор и определении напряжения локализации тока мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов без введения контролируемого транзистора в режим «горячего пятна». 3 ил.

Устройство относится к установкам для отверждения полимерных материалов на основе полиэфирных смол ультрафиолетовым излучением и может быть использовано при изготовлении изделий со сложной поверхностью. Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением содержит рамы. Верхние и нижние направляющие соединяют рамы. Каретки установлены на направляющих. В каретках перемещаются штанги с фиксацией положения. На другой конец штанг подвешивают звенья. Звенья представляют собой пластины с двумя отверстиями на противоположных краях для соединения друг с другом в секции по ширине и в ленту по длине болтами с гайками. У звеньев скошены углы со стороны обрабатываемого изделия. Концы ленты закреплены в каретках нижних направляющих. Ультрафиолетовые светодиоды размещены в углублениях на торцах и узких гранях звеньев по толщине пластин, обращенных к обрабатываемому изделию. Блок питания подает ток на светодиоды через гибкий кабель. Изобретение обеспечивает уменьшение времени обработки изделия. 3 ил.

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем переключения контролируемой СБИС из режима выполнения специального теста в режим паузы с частотой Ω и скважностью 2. На частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду I m 1 п о т ( Ω ) первой гармоники тока, потребляемого контролируемой СБИС, амплитуду U m 1 Т П ( Ω ) первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом KT, например, напряжения на встроенном в ядро СБИС р-n переходе или напряжения логической единицы на одном из нагруженных резистивной нагрузкой выводов СБИС, логическое состояние которого не изменяется при переключении СБИС из одного режима в другой, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. Модуль теплового импеданса контролируемой СБИС на частоте Ω определяют по формуле: | Z T ( Ω ) | = U m 1 Т П ( Ω ) K T U п и т I m 1 п о т ( Ω ) , где Uпит - напряжение питания контролируемой БИС, а фазу φT(Ω) теплового импеданса контролируемой СБИС определяют как уменьшенную на 180° разность фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС. 2 ил.

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в оптических системах передачи информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п. Технический результат - повышение быстродействия при работе с датчиками излучений в виде фотодиодов, имеющими значительную паразитную емкость. Приемник оптических излучений содержит датчик излучений (1), подключенный по переменному току ко входу устройства (2), связанному с инвертирующим входом первого (3) дифференциального усилителя, неинвертирующий вход которого связан с общей шиной источников питания (4), резистор обратной связи (5), включенный между выходом первого (3) дифференциального усилителя, соединенного с выходом устройства (6), и инвертирующим входом первого (3) дифференциального усилителя. Инвертирующий вход первого (3) дифференциального усилителя соединен с инвертирующим входом дополнительного дифференциального усилителя (7), неинвертирующий вход которого связан с общей шиной источников питания (4), неинвертирующий вход первого (3) дифференциального усилителя связан с общей шиной источников питания (4) через первый (8) дополнительный резистор и подключен к выходу дополнительного дифференциального усилителя (7) через второй (9) дополнительный резистор, причем между входом устройства (2) и выходом дополнительного дифференциального усилителя (7) включен третий (10) дополнительный резистор. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения на полупроводниковом диоде при малом измерительном токе - и определяют изменение температуры р-n-перехода. При этом модуляцию длительности импульсов греющего тока осуществляют по полигармоническому закону с заданным набором частот модуляции, вычисляют с помощью Фурье-преобразования мнимые и вещественные трансформанты температуры, по ним вычисляют значения амплитуд и фаз всех гармоник температуры, после чего определяют модули и фазы теплового импеданса на всех заданных частотах модуляции. Технический результат заключается в сокращении времени процесса измерения зависимости теплового импеданса от частоты модуляции греющей мощности и повышении оперативности контроля теплофизических параметров полупроводниковых диодов. 2 ил.

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τр которых изменяется по гармоническому закону с частотой ΩМ. На частоте модуляции ΩМ выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра - выходного напряжения логической единицы того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы φ(ΩМ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. По измеренным величинам определяют модуль и фазу теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте ΩМ. Технический результат: повышение точности измерения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение предназначено для отверждения ультрафиолетовым излучением полимерных материалов и может быть использовано, в частности, при изготовлении изделий цилиндрической формы и при ремонте поврежденных участков трубопроводов. Изобретение обеспечивает отверждение цилиндрических изделий из полимерных материалов, расположенных на участках поверхностей, в том числе представляющих собой целостную, например, трубопроводную систему, без демонтажа этой системы, а также повышает безопасность эксплуатации в промышленных условиях. Ультрафиолетовый светодиодный облучатель представляет собой цилиндрический корпус с соосными отверстиями для размещения обрабатываемого изделия и разъемами для подключения кабеля от источника питания, разделенный по плоскости, проходящей через ось вращения цилиндрического корпуса, на две зеркально симметричные части, соединенные между собой шарнирным соединением по одной из линий разделения корпуса. Каждая часть содержит теплоотводящие пластины; отражатель; постоянные магниты и ручки-скобы, расположенные на обеих частях корпуса вдоль другой линии разделения. В качестве источника ультрафиолетового излучения используются последовательно соединенные ультрафиолетовые светодиоды, равномерно расположенные в виде рядов (линеек) на теплоотводящих пластинах, закрепленных по внутренней поверхности обеих частей корпуса так, что светодиоды расположены равномерно по внутренней поверхности обеих частей корпуса, а отражатель в виде тонкого слоя материала с направленной на обрабатываемую деталь отражающей поверхностью и отверстиями для светодиодов прикреплен к теплоотводящим пластинам. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем на основе КМОП логических элементов (ЛЭ)

Изобретение относится к нефтедобывающей, нефтеперерабатывающей, энергетической промышленностям, в частности к тепловым воздействиям на нефть и нефтепродукты при их сливе из хранилищ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах контроля расхода жидкостей и газов, построенных на основе струйных расходомеров-счетчиков

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх