Патенты автора Никитин Алексей Константинович (RU)

Изобретение относится к области оптических измерений и касается интерферометра для определения показателя преломления инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ). Интерферометр содержит источник коллимированного p-поляризованного монохроматического излучения, элемент преобразования излучения в ПЭВ, твердотельный образец с плоской гранью, способной направлять ПЭВ, делитель пучка ПЭВ, плоское зеркало, заслонку, линейку фотоприемников, размещенную в плоскости грани, и устройство обработки информации. Плоское зеркало примыкает своим ребром к направляющей ПЭВ грани, ориентировано перпендикулярно к ней и пересекает трек ПЭВ. Делитель выполнен в виде полупрозрачной плоскопараллельной пластинки, примыкающей своим ребром к грани образца, ориентированной перпендикулярно к ней и пересекающей трек ПЭВ. Заслонка позволяет поочередно перекрывать интерферирующие вторичные пучки ПЭВ. Технический результат заключается в упрощении устройства и процедуры обработки результатов измерений. 3 ил.

Изобретение относится к области оптических измерений и касается интерферометра для определения показателя преломления инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ). Интерферометр содержит источник коллимированного p-поляризованного монохроматического излучения, элемент преобразования излучения в ПЭВ, твердотельный образец с плоской гранью, способной направлять ПЭВ, делитель пучка ПЭВ, плоское зеркало, заслонку, линейку фотоприемников, размещенную в плоскости грани, и устройство обработки информации. Плоское зеркало примыкает своим ребром к направляющей ПЭВ грани, ориентировано перпендикулярно к ней и пересекает трек ПЭВ. Делитель выполнен в виде полупрозрачной плоскопараллельной пластинки, примыкающей своим ребром к грани образца, ориентированной перпендикулярно к ней и пересекающей трек ПЭВ. Заслонка позволяет поочередно перекрывать интерферирующие вторичные пучки ПЭВ. Технический результат заключается в упрощении устройства и процедуры обработки результатов измерений. 3 ил.

Устройство для вариативной одноцветной спектроскопии «накачка-зондирование» в терагерцовом диапазоне содержит перестраиваемый по частоте источник монохроматического излучения, первую пропускающую дифракционную решетку и вторую пропускающую дифракционную решетку. Вторая решетка оптически параллельно связана с прерывателем светового потока и первым плоским зеркалом. Первое плоское зеркало связано с оптической линией задержки светового пучка, вторым плоским зеркалом, фокусирующим объективом, исследуемым образцом, открытой частью апертуры и детектором излучения. Прерыватель светового потока оптически связан с третьим и четвертым плоскими зеркалами, фокусирующим объективом, исследуемым образцом и закрытой частью апертуры. Технический результат заключается в сокращении продолжительности измерений, за счет исключения необходимости перенастройки элементов устройства, и расширении класса исследуемых веществ. 2 ил.

Изобретение относится к области оптических измерений и касается устройства для измерения длины распространения инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ). Устройство включает в себя источник монохроматического излучения, твердотельный образец с направляющей волну плоской гранью, элемент преобразования излучения в ПЭВ, регулируемую оптическую линию задержки, элемент преобразования ПЭВ в объемную волну, фотоприемник и измерительный прибор. Элемент преобразования излучения в ПЭВ выполнен в виде цилиндрического сегмента, ось которого перпендикулярна плоскости падения излучения, а его выпуклая поверхность примыкает к грани образца и имеет протяженность линии пересечения с плоскостью падения меньше длины распространения ПЭВ. Элемент преобразования ПЭВ в объемную волну идентичен элементу преобразования излучения источника в ПЭВ. Линия задержки состоит из четырех зеркал, ориентированных перпендикулярно к поверхности образца и примыкающих к ней. Одна пара зеркал линии фиксирована на треке в плоскости падения, а вторая размещена на подвижной платформе, перемещение которой ограничено вдоль оси симметрии линии. Технический результат заключается в повышении соотношения сигнал/шум и воспроизводимости результатов измерений. 1 ил.

Изобретение относится к области оптики и касается способа генерации непрерывного широкополосного инфракрасного излучения с регулируемым спектром. Способ включает в себя нагрев металлического тела, содержащего две смежные плоские грани, генерацию оптическими фононами тела на одной из граней широкополосных поверхностных плазмон-поляритонов (ППП), дифракцию ППП на ребре, сопрягающем грани, и преобразование ППП в результате дифракции в объемное излучение. Регулирование амплитудно-частотного спектра излучения осуществляют путем изменения температуры тела и размера части направляющей ППП грани, наблюдаемой с ребра в перпендикулярном к нему направлении. Технический результат заключается в обеспечении возможности оперативного управления амплитудно-частотным спектром ансамбля гармонических компонент генерируемого ИК излучения. 3 ил.

Изобретение относится к области оптических измерений и касается способа определения диэлектрической проницаемости металла в терагерцовом диапазоне спектра. Способ включает в себя возбуждение зондирующим пучком поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) на плоской поверхности металлического образца, измерение длины распространения ПЭВ и определение ее фазовой скорости, расчет комплексного показателя преломления ПЭВ по означенным ее характеристикам и определение диэлектрической проницаемости металла путем решения дисперсионного уравнения ПЭВ для волноведущей структуры, содержащей поверхность образца. При проведении измерений на поверхность предварительно наносят однородный слой диэлектрика с известными оптическими постоянными толщиной от сотой до десятой доли длины волны излучения источника. Технический результат заключается в повышении точности измерений.

Изобретение относится к области оптических измерений и касается способа определения показателя преломления монохроматической поверхностной электромагнитной волны инфракрасного диапазона. Способ включает в себя генерацию волны на плоской поверхности образца, размещение на пути волны плоского зеркала, отражающая грань которого наклонена относительно нормали к поверхности образца в сторону направления распространения волны, регистрацию отраженного зеркалом излучения и расчет показателя по результатам измерений. Регистрацию излучения осуществляют на поверхности образца. Зеркало размещают в плоскости, не содержащей нормаль к плоскости падения излучения. При проведении измерений плавно увеличивают от нуля угол α между нормалью к плоскости образца и зеркалом, фиксируют такое его значение α*, при котором интенсивность регистрируемого излучения обнуляется. Величину показателя рассчитывают по формуле: Технический результат заключается в уменьшении продолжительности и трудоемкости измерений. 3 ил.

Изобретение относится к области оптических измерений и касается статического устройства для определения распределения интенсивности поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) вдоль ее трека. Устройство включает в себя источник монохроматического излучения, первый фокусирующий цилиндрический объектив, элемент преобразования излучения в ПЭВ, образец с направляющей волну плоской поверхностью, пересекающее трек ПЭВ плоское зеркало, размещенный над треком вне поля ПЭВ второй фокусирующий цилиндрический объектив, фотодетекторы, измерительные приборы и устройство обработки информации. Отражающая грань плоского зеркала образует с поверхностью образца тупой угол, причем обращенное к этой поверхности ребро плоского зеркала параллельно ей и удалено от нее на расстояние, превышающее глубину проникновения поля ПЭВ в окружающую среду. Верхняя точка отражающей грани зеркала в плоскости падения удалена от образца на расстояние h, определяемое соотношением: h≥x⋅tg(α), где x - расстояние от элемента преобразования до проекции верхней точки отражающей грани на трек, α - угол наклона максимума диаграммы направленности объемного излучения с трека ПЭВ. Технический результат заключается в увеличении отношения сигнал/шум и повышении точности измерений. 1 ил.

Изобретение относится к области исследования поверхности металлов и полупроводников и касается устройства для промера распределения поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) над ее треком. Устройство содержит источник монохроматического излучения, элемент преобразования излучения в ПЭВ, твердотельный образец с направляющей волну плоской поверхностью и перемещаемую вдоль трека платформу. На платформе установлен фокусирующий объектив, фотоприемник, измерительный прибор и стойка. На стойке установлены амортизированная пружинами рамка и регулировочный микровинт, сочлененный с размещенной внутри рамки площадкой, несущей элемент преобразования ПЭВ в ОВ. Пружины, упираясь в стойку, поджимают рамку к образцу, а сама рамка опирается на поверхность образца перемещающимися по ней упорами. Элемент преобразования излучения в ПЭВ выполнен в виде сектора цилиндра, ось которого ориентирована перпендикулярно плоскости падения излучения, а выпуклая поверхность этого элемента, способная направлять ПЭВ, сопряжена своим ребром с поверхностью образца и имеет протяженность трека меньше длины распространения ПЭВ. Технический результат заключается в повышении точности измерений. 1 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа управления спектром пучка широкополосного терагерцевого излучения. Способ включает в себя размещение на пути пучка излучения селективно поглощающего фильтра в виде поверхности проводящей пластины, придание излучению p-поляризации, преобразование поляризованного излучения в пучок направляемых поверхностью поверхностных плазмон-поляритонов, преобразование плазмон-поляритонов после пробега ими по пластине макроскопического расстояния в объемные электромагнитные волны. При этом пучок плазмон-поляритонов отражают примыкающим к поверхности пластины и отклоненным в плоскости ее поверхности от нормали к треку пучка плоским зеркалом. Регулирование верхней границы спектра изменением расстояния пробега плазмон-поляритонов, а регулирование нижней границы спектра осуществляют изменением угла наклона зеркала к поверхности пластины. Технический результат заключается в обеспечении возможности оперативного управления как верхней, так и нижней границами спектра терагерцевого излучения. 3 ил.

Изобретение относится к оптическим методам контроля качества поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) амплитудной рефлектометрии. Устройство содержит источник p-поляризованного монохроматического излучения, два элемента преобразования излучения в ПЭВ, приемник излучения, размещенный в окружающей среде в плоскости падения, и измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы. Причем оба элемента преобразования выполнены в виде сегментов цилиндров, центральный угол которых не меньше 45°, оси ориентированы перпендикулярно плоскости падения, а выпуклые поверхности способны направлять ПЭВ и имеют длину дуги в поперечном сечении меньше длины распространения ПЭВ. Техническим результатом является уменьшение продолжительности измерений и повышение их точности. 2 ил.

Изобретение относится к области средств коммуникации. Способ раздвоения плазмон-поляритонного канала связи терагерцового диапазона включает создание основного и вторичных каналов на индивидуальных плоскогранных подложках с прямоугольными ребрами, размещение в основном канале неоднородности в виде ребра его подложки, преобразование плазмон-поляритона с помощью этого ребра в объемную волну, при этом волноведущие грани всех каналов располагают в одной плоскости, сопрягаемые грани основного канала и одного вторичного канала, направляющего плазмон-поляритон в исходном направлении, выбирают зеркально скошенными относительно друг друга. Волноведущую грань другого вторичного канала примыкают к волноведущей грани основного канала со стороны ее более длинного ребра, смежного к ребру, пересекающему трек исходного плазмон-поляритона, скошенную грань вторичного канала отделяют от скошенной грани основного канала плоскопараллельной светоделительной пластинкой, ориентированной перпендикулярно плоскости, содержащей волноведущие грани, при этом в канале, отделенном пластинкой от основного, плазмон-поляритон генерируют объемной волной, а в канал, примыкающий к основному, плазмон-поляритон отражают пластинкой. Применение способа позволит уменьшить энергетические потери, сопровождающие передачу сигнала из основного во вторичные плазмонные каналы связи, а также устранить необходимость юстировки каналов при их раздвоении или сопряжении. 2 ил.

Изобретение относится к области информационно-коммуникационных технологий и касается способа увеличения длины распространения инфракрасных монохроматических поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) по плоской металлической поверхности. Способ включает в себя нанесение на поверхность слоя непоглощающего диэлектрика. До нанесения слоя определяют направление максимума диаграммы направленности объемных электромагнитных волн (ОЭВ), излучаемых ПЭВ с их трека. Толщину слоя и показатель преломления его материала выбирают таким образом, чтобы наличие слоя обеспечивало приращение действительной части модуля волнового вектора ПЭВ на величину где ko=2π/λ - волновое число ОЭВ в окружающей поверхность среде; λ - длина волны излучения в окружающей среде; φmах - угол отклонения максимума диаграммы направленности от плоскости поверхности. Технический результат заключается в увеличении длины распространения (ПЭВ) и обеспечении ее защиты от внешних воздействий. 2 ил.

Изобретение относится к области информационно-коммуникационных технологий и касается способа увеличения длины распространения инфракрасных монохроматических поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) по плоской металлической поверхности. Способ включает в себя нанесение на поверхность слоя непоглощающего диэлектрика. До нанесения слоя определяют направление максимума диаграммы направленности объемных электромагнитных волн (ОЭВ), излучаемых ПЭВ с их трека. Толщину слоя и показатель преломления его материала выбирают таким образом, чтобы наличие слоя обеспечивало приращение действительной части модуля волнового вектора ПЭВ на величину где ko=2π/λ - волновое число ОЭВ в окружающей поверхность среде; λ - длина волны излучения в окружающей среде; φmах - угол отклонения максимума диаграммы направленности от плоскости поверхности. Технический результат заключается в увеличении длины распространения (ПЭВ) и обеспечении ее защиты от внешних воздействий. 2 ил.

Изобретение относится к инфракрасной (ИК) спектроскопии поверхности металлов и полупроводников, а именно к определению амплитудно-фазовых спектров как самой поверхности, так и ее переходного слоя, путем измерения характеристик направляемых этой поверхностью поверхностных плазмонов (ПП). Спектрометр содержит перестраиваемый по частоте источник р-поляризованного монохроматического излучения, плоское и цилиндрическое фокусирующее зеркала, твердотельный плоскогранный проводящий образец, элемент преобразования излучения источника в поверхностные плазмоны (ПП), размещенный в непоглощающей окружающей среде непрозрачный экран, ориентированный перпендикулярно треку ПП, и фотодетектор, сопряженный с устройством обработки информации и установленный на перемещаемой вдоль трека платформе. Обращенный к направляющей ПП грани исследуемого образца край экрана удален от нее на расстояние не меньше глубины проникновения поля ПП в окружающую среду. Спектрометр также содержит регулируемую линию задержки, поворачиваемый поляризатор, укрепленное на платформе плоское зеркало, отражающая грань которого примыкает к направляющей грани исследуемого образца, наклонена к ней под углом 45° и ориентирована перпендикулярно к треку, фокусирующий объектив и установленную перед входным отверстием фотодетектора регулируемую диафрагму, лучеразделитель объемного излучения, расположенный на пути падающего на образец излучения на уровне наклонного зеркала. При этом торцовая грань образца, перпендикулярная плоскости падения излучения и смежная с направляющей гранью, имеет цилиндрическую форму поверхности, ось которой параллельна направляющей грани и лежит в плоскости, содержащей линию сопряжения цилиндрической и плоской граней, причем расстояние от этой линии до оси равно радиусу кривизны цилиндрической поверхности, а длина дуги, содержащей трек ПП на этой поверхности, меньше десяти длин распространения ПП. Изобретение обеспечивает повышение точности измерений за счет повышения соотношения сигнал/шум. 2 ил.

Изобретение относится к области информационно-коммуникационных технологий и касается способа регулирования интенсивности инфракрасной поверхностной электромагнитной волны на плоскогранной структуре. Способ включает в себя преобразование на ребре структуры поверхностной электромагнитной волны в объемную, размещение в дальней волновой зоне излучающего участка ребра структуры другой плоскогранной волноведущей структуры, на ребре которой осуществляют обратное преобразование объемной волны в поверхностную. Регулирование интенсивности поверхностной волны осуществляют за счет изменения величины зазора, разделяющего волноведущие структуры. Технический результат заключается в упрощении и повышении оперативности способа. 2 ил.

Изобретение относится к области передачи информации посредством поверхностных электромагнитных волн и касается геодезической призмы для отклонения пучка монохроматических поверхностных плазмон-поляритонов (ППП). Геодезическая призма выполнена в виде конусной канавки, которая расположена на плоской поверхности образца и имеет сглаженные края. Ось канавки параллельна поверхности образца и перпендикулярна направлению распространения ППП. Размер канавки в направлении пучка меньше длины распространения ППП. При этом ось канавки расположена над поверхностью образца, а края канавки совпадают с прямолинейными частями линии пересечения поверхности образца и поверхности конуса канавки. Технический результат заключается в повышении эффективности и уменьшении габаритов устройства. 3 ил.

Изобретение относится к области средств коммуникации, в которых перенос информации осуществляется поверхностными электромагнитными волнами, точнее поверхностными плазмон-поляритонами (ППП) терагерцового (ТГц) диапазона, направляемыми плоской поверхностью проводящей подложки, и может найти применение в плазмонных сетях связи, а также в устройствах сбора и обработки информации с использованием электромагнитных волн ТГц диапазона. Технический результат состоит в обеспечении возможности оперативного сопряжения основного и вторичного плазмонных каналов связи. Для этого способ включает размещение в нем неоднородности, создают каналы на индивидуальных подложках, грани всех подложек выбирают прямоугольными, в качестве неоднородности используют край подложки, ориентированный перпендикулярно треку исходного поверхностного плазмон-поляритона (ППП), с помощью этого края преобразуют ППП в объемную волну (ОВ), которую разделяют на ряд пространственно разнесенных вторичных ОВ, число которых не меньше числа вторичных каналов, в каждом из которых соответствующей ОВ с помощью края подложки генерируют производный от исходного ППП. 2 ил.

Изобретение относится к бесконтактным пассивным методам обнаружения и локализации металлических объектов в инфракрасном (ИК) излучении, а именно к локализации металлических тел в форме прямоугольного параллелепипеда путем регистрации излучаемого ими теплового ИК-излучения, и может найти применение в системах спецтехники, предназначенных для обнаружения и установления точного местонахождения и расположения металлических предметов в непрозрачной для видимого света среде или упаковке, в системах поточного контроля служб безопасности, в контрольно-измерительной технике, в линиях связи и устройствах обработки информации на основе металлодиэлектрических планарных структур. Предложен способ пассивной локализации ребер прямоугольного металлического параллелепипеда в инфракрасном излучении, включающий измерение в дальней волновой зоне пространственного распределения интенсивности поляризованного излучения от параллелепипеда и определение координат ребер по результатам измерений, при котором параллелепипед термостатируют, а измерения выполняют в плоскостях, параллельных его граням, при этом детектируемое излучение поляризуют таким образом, чтобы оно имело отличную от нуля составляющую электрического поля, перпендикулярную к контролируемому ребру. Технический результат - повышение точности локализации ребер прямоугольного металлического параллелепипеда. 3 ил.

Изобретение относится к области бесконтактного исследования поверхности металлов оптическими методами, а именно к способу измерения длины распространения поверхностных плазмонов, направляемых этой поверхностью. Способ включает измерение интенсивности излучения вдоль трека плазмонов и расчет значения длины распространения по результатам измерений. При этом проводят измерение интенсивности объемного излучения, порожденного плазмонами на естественных неоднородностях поверхности, представляющих собой статистически равномерно распределенные вариации оптических постоянных и шероховатости. Измерения осуществляют за пределами поля плазмонов. Технический результат заключается в повышении точности измерений. 1 ил.

Изобретение относится к оптическим методам контроля проводящей поверхности в инфракрасном (ИК) излучении и может быть использовано в физико-химических исследованиях динамики роста переходного слоя поверхности, в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек, а также в сенсорных устройствах

Изобретение относится к оптическим методам контроля поверхности металлов и полупроводников в терагерцовом диапазоне спектра и может найти применение в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек, в методах по обнаружению неоднородностей (на) проводящей поверхности, в инфракрасной (ИК) рефрактометрии металлов для определения их диэлектрической проницаемости, в ИК сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике

Изобретение относится к оптике дальнего инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) диапазонов и может найти применение в установках, содержащих широкополосные источники ТГц-излучения, в ТГц плазменной и фурье-спектроскопии проводящей поверхности и тонких слоев на ней, в перестраиваемых фильтрах ТГц-излучения

Изобретение относится к оптическим методам контроля качества поверхностей металлов и полупроводников

Изобретение относится к оптическим методам исследования поверхности металлов и полупроводников

Изобретение относится к инфракрасной спектроскопии поверхностей металлов и полупроводников
Изобретение относится к области биосенсорики и может быть использовано для изучения белков методом люминесценции

Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами, а именно к определению спектров поглощения как самой поверхности, так и ее переходного слоя, путем измерения длины распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ), направляемых этой поверхностью, в инфракрасном диапазоне (ИК) спектра и может найти применение в исследованиях физико-химических процессов на поверхности твердого тела, в ИК-спектроскопии окисных и адсорбированных слоев, в сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике

Изобретение относится к оптическим методам контроля слоев наноразмерной толщины в инфракрасном (ИК) излучении и может быть использовано как в физико-химических исследованиях динамики роста переходного слоя на проводящей поверхности, так и в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек

Изобретение относится к оптическим методам исследования материалов, а именно к определению спектров комплексной диэлектрической проницаемости или оптических постоянных

Изобретение относится к оптическим методам исследования тонких слоев на поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) спектроскопии диэлектрической проницаемости
Изобретение относится к биосенсорике и может быть использовано для маркирования различных биообъектов (ферментов, белков, ДНК) и последующей оценки их содержания в смесях оптическими методами

Изобретение относится к оптике конденсированных сред и может быть использовано для определения оптических постоянных твердых тел с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости

Изобретение относится к инфракрасной (ИК) оптике, точнее к способам управления ИК-излучением, средствам коммуникации и бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников посредством ИК-излучения

Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами, а именно - к определению спектров поглощения как самой поверхности, так и ее переходного слоя путем измерения коэффициента затухания поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ), направляемых этой поверхностью, в инфракрасной (ИК) области спектра, и может найти применение в исследованиях физико-химических процессов на поверхности твердого тела, в ИК-спектроскопии окисных и адсорбированных слоев, в контрольно-измерительной технике нанотехнологий, в лазерной и интегральной оптике

Изобретение относится к области передачи и получения информации посредством поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) терагерцового (ТГц) диапазона (частота от 0,1 до 10 ТГц) и может найти применение в спектроскопии поверхности твердого тела, в электронно-оптических устройствах передачи и обработки информации, в инфракрасной (ИК) технике

Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами

Изобретение относится к тепловым фотоприемникам для обнаружения монохроматического излучения дальнего инфракрасного (ИК) диапазона и определения угла прихода этого излучения
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх