Патенты автора Болтаев Анатолий Петрович (RU)

Изобретение относится к области защиты от подделки объекта защиты, в частности ценных бумаг, банкнот, документов

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом

 


Наверх