Патенты автора Долгачев Александр Александрович (RU)

Изобретение относится к нейронным сетям конечного кольца. Технический результат заключается в повышении надежности нейрокомпьютерной техники. Нейронная сеть конечного кольца для классификации чисел по заданному модулю р, содержит выходной слой, предназначенный для хранения числа, представленного в позиционной системе счисления, скрытый слой нейронов, предназначенный для взвешенного суммирования сохраненных чисел и выходной слой, предназначенный для формирования своих входах вычетов числа z по выбранному модулю р суммирования, при этом выходы нейронов входного слоя подключены ко входам нейронов скрытого слоя, соединенных попарно между собой, выходы нейронов скрытого слоя соединены со входами нейронов выходного слоя, при этом в сеть введены первый и второй регистры, группа блоков элементов И, причем информационный вход кода исходного числа соединен с информационным входом первого регистра, вход начала вычислений устройства соединен с входами записи первого и второго регистров, а информационный вход нулевого разряда второго регистра соединен с входом записи второго регистра. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники и может быть использовано для преобразования аналоговых электрических сигналов в цифровой код. Техническим результатом является повышение точности преобразования. Устройство содержит блок слежения-хранения, генераторы, управляемые напряжением, аналого-цифровые преобразователи, спецпроцессоры быстрого преобразования Фурье, блоки максимальной амплитуды, блоки вычитания. 7 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области создания микроструктурных элементов электронных устройств. Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных металлических частиц катализатора с последующим покрытием их тонкой пленкой тетрабората натрия (безводного), помещение пластины в радиационную печь, ее нагрев, создание в пластине поперечного, направленного от лицевой к тыльной стороне пластины градиента температуры в диапазоне от 10 до 100 К/см, создание недосыщения атомарного кремния в газовой фазе за счет подачи в нее тетрахлорида кремния и химическое газофазное травление пластины по схеме кристалл→жидкая капля→пар. Изобретение обеспечивает получение сквозных, проходящих через всю толщину отверстий в монокристаллических пластинах кремния. 5 пр.

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных структурах, функционирующих в модулярной системе счисления. Техническим результатом является уменьшение количества используемого оборудования за счет использования блоков сложения чисел по модулю для проведения вычислений и контроля операции сложения по младшему модулю. Устройство содержит: блоки сравнения, две группы мультиплексоров, группу блоков сложения чисел по модулю, группу демультиплексоров, группу регистров, три группы блоков элементов И, группу блоков сложения с константой по модулю, три группы блоков свертки по модулю, группу блоков элементов ИЛИ, блок элементов И, группу элементов НЕ, группу триггеров и связи между ними. 5 ил.

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники и может быть использовано для быстрого преобразования аналоговых электрических сигналов в цифровой код в системах, функционирующих в системе остаточных классов (СОК). Технический результат - упрощение конструкции. Аналого-цифровой преобразователь в код СОК содержит вход, первый и второй блоки слежения-хранения, аналого-цифровой преобразователь, цифроаналоговый преобразователь, блок вычитания, источник напряжения смещения, регистры-защелки, выходные шины кодов остатков в СОК. Сущность изобретения заключается в объединении функций идентичных блоков в одном АЦП, одном ЦДЛ и одном блоке вычитания. 7 ил.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь пластину кремния легируют фосфором до удельного сопротивления 0,008-0,018 Ом·см и анодируют длительностью не более 5 мин с подсветкой галогенной лампы в смеси 48%-ного раствора HF и C2H5OH (96%) в соотношении 1:1, причем плотность тока анодизации поддерживают на уровне не менее 10 мА/см2, а наночастицы катализатора наносят электронно-лучевым напылением пленки металла толщиной не более 2 нм. Изобретение обеспечивает возможность получения тонких полупроводниковых нитевидных нанокристаллов диаметром менее 10 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих высокую поверхностную плотность. 7 пр.

Изобретение относится к ветроэнергетике, известны статоры ветроэлектрогенераторов сегментного типа. Технический результат, заключающийся в упрощении и удешевлении конструкции, а также возможности обеспечения крутки, достигается за счет того, что статор ветроэлектроагрегата, содержащий магнитопроводы, систему возбуждения, стяжные элементы и обмотку, согласно изобретению статор выполнен в виде Ш-образного магнитопровода, к боковым стенкам которого прикреплены источники возбуждения внешними уголками с помощью стяжных элементов, а обмотка установлена на среднем стержне Ш-образного магнитопровода. 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники и ветроэнергетики и может быть использовано в устройствах для выработки электроэнергии. Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемом ветроэлектрогенераторе сегментного типа, содержащем вал, зубчатый ротор и модульный статор, согласно изобретению, каждый модуль статора выполнен двухпакетным, при этом в состав первого пакета входят ферромагнитные перемычки с двумя источниками возбуждения, установленными с обратной полярностью, а в состав второго пакета входят U-образные перемычки с катушками. Технический результат - улучшение эксплуатационных характеристик ветроэлектрогенератора сегментного типа за счет уменьшения его массы. Технико-экономическим преимуществом данного генератора является простота конструкции нижнего статора, что обеспечивает технологичность и высокие массогабаритные показатели ветроэлектрогенератора в целом. 2 ил.

Изобретение относится к области ветроэнергетики, в частности к регулируемым ветроколесам

Изобретение относится к ветроэнергетике, а именно к устройствам, преобразовывающим энергию ветра в электрическую или другие виды энергии

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных структурах, функционирующих в модулярной системе счисления

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электрических машинах, в частности - индукторных генераторах

 


Наверх